|
Bipolyar tranzistor Til qoʻshish
|
| bet | 1/2 | | Sana | 17.12.2023 | | Hajmi | 48,95 Kb. | | #121544 |
|
Bipolyar tranzistor
Til qoʻshish
lotin/кирилл
Mutolaa
Tahrirlash
Manbasini tahrirlash
Tarix
Asboblar
Vikipediya, ochiq ensiklopediya
GOST 2.730 [1] bo'yicha davrlarda bipolyar tranzistorlarni belgilash. O'qning yo'nalishi faol rejimda emitent birikmasi orqali oqim yo'nalishini ko'rsatadi va n-p-n va p-n-p tranzistorlarini ko'rsatish uchun ishlatiladi. Doira individual holatda tranzistorni, yo'qligi - mikrosxemaning bir qismi sifatida tranzistorni anglatadi.
Bipolyar tranzistor - uch elektrodli yarimo'tkazgichli qurilma, tranzistorlar turlaridan biri. Yarimo'tkazgich strukturasida ikkita p-n birikmasi hosil bo'ladi, ular orqali zaryad o'tkazish ikki qutbli tashuvchilar - elektronlar va teshiklar tomonidan amalga oshiriladi. Shuning uchun qurilma maydon (unipolyar) tranzistoridan farqli o'laroq, "bipolyar" (ingliz tilidan. Bipolyar) deb nomlangan.ranzistor .
U elektr tebranishlarini kuchaytirish yoki yaratish uchun elektron qurilmalarda, shuningdek, kommutatsiya elementida (masalan, TTL davrlarida) foydalaniladi.
Qurilma[tahrir | manbasini tahrirlash]
frame| Transistorli qurilmaning eng oddiy vizual diagrammasi
Planar bipolyar npn tranzistorining soddalashtirilgan tasavvurlar diagrammasi.
Bipolyar tranzistor o'zgaruvchan turdagi nopoklik o'tkazuvchanligiga ega bo'lgan uchta yarimo'tkazgich qatlamidan iborat: emitent ("E", inglizcha E bilan belgilanadi), tayanch ("B", inglizcha B) va kollektor ("K", inglizcha C) . Qatlamlarning almashinish tartibiga qarab n-p-n (emitter - n-yarimo'tkazgich, asos - p-yarim o'tkazgich, kollektor - n-yarim o'tkazgich) va p-n-p tranzistorlar farqlanadi. Supero'tkazuvchilar to'g'rilanmaydigan kontaktlar qatlamlarning har biriga ulanadi.
Supero'tkazuvchilar turlari nuqtai nazaridan emitent va kollektor qatlamlari farq qilmaydi, ammo ishlab chiqarish jarayonida ular qurilmaning elektr parametrlarini yaxshilash uchun doping darajasida sezilarli darajada farqlanadi. Kollektor qatlami engil doping bilan qoplangan, bu esa ruxsat etilgan kollektor kuchlanishini oshiradi. Emitent qatlami katta miqdorda qo'llaniladi: emitent ulanishining teskari kuchlanishining kattaligi juda muhim emas, chunki tranzistorlar odatda oldinga yo'naltirilgan emitent aloqasi bo'lgan elektron zanjirlarda ishlaydi. Bundan tashqari, emitent qatlamining og'ir dopingi asosiy qatlamga ozchilik tashuvchisini yaxshiroq in'ektsiya qilishni ta'minlaydi, bu umumiy tayanch davrlarida oqim o'tkazish koeffitsientini oshiradi. Asosiy qatlam engil doping bilan qoplangan, chunki u emitent va kollektor qatlamlari orasida joylashgan va yuqori elektr qarshiligiga ega bo'lishi kerak.
Ish printsipi[tahrir | manbasini tahrirlash]
Faol kuchaytiruvchi ish rejimida tranzistor yoqilgan bo'lib, uning emitent birlashmasi oldinga yo'naltirilgan [2] (ochiq) va kollektor birikmasi teskari yo'naltirilgan (yopiq).
n-p-n tranzistorida emitentdagi ko'pchilik zaryad tashuvchilar (elektronlar) tayanch hududiga ochiq emitent-bazaning ulanishi (in'ektsiya qilinadi) orqali o'tadi. Ushbu elektronlarning ba'zilari bazadagi (teshiklar) ko'pchilik zaryad tashuvchilar bilan qayta birlashadi. Biroq, asos juda nozik va nisbatan engil doplanganligi sababli, rekombinatsiya vaqti nisbatan uzoq bo'lganligi sababli, emitentdan yuborilgan elektronlarning aksariyati kollektor hududiga tarqaladi. Teskari yo'nalishli kollektor birikmasining kuchli elektr maydoni bazadan (elektronlardan) ozchilik tashuvchilarni ushlaydi va ularni kollektor qatlamiga o'tkazadi. Shunday qilib, kollektor oqimi amalda emitent oqimiga teng bo'ladi, bazadagi kichik rekombinatsiya yo'qolishi bundan mustasno, bu asosiy oqimni tashkil qiladi.
Ishlash rejimlari[tahrir | manbasini tahrirlash]
|
| |
