0.025m
DC 1e-009Ohm
I1
BC547A
U2 V1
Olingan IB va UBE qiymatlari 1-jadvalda umumlashtirildi. Ulardan foydalanib, biz BC547A tranzistorining statik kirish xarakteristikalarini yaratamiz.
1-jadval.
UE Ib = f (Ube) da Uke = 0 V va Uke = 9 V ga mos keladigan BC547A tranzistorining statik kirish xarakteristikalari oilasi.
Uкe=0В
|
Uкe=9В
|
Ib, мкА
|
UBE, мВ
|
Ib, мкА
|
UBE, мВ
|
25
|
563
|
25
|
728
|
50
|
572
|
50
|
739
|
75
|
579
|
75
|
748
|
100
|
589
|
100
|
756
|
125
|
598
|
125
|
761
|
150
|
512
|
150
|
768
|
175
|
620
|
175
|
796
|
200
|
638
|
200
|
820
|
250
|
654
|
250
|
851
|
300
|
679
|
300
|
859
|
350
|
681
|
350
|
867
|
400
|
689
|
400
|
874
|
450
|
696
|
450
|
889
|
500
|
701
|
500
|
895
|
Ib, мкА
Tegishli ma'lumotlarga ko'ra, biz tranzistorning kirish xarakteristikalarining Ib = f (Ube) grafigini chizamiz (3-rasm).
3-rasm. BC547A tranzistorining kirish xarakteristikalarining Ib = f (Ube) grafigi
UE Ik = f (Uke) da Ib = const qiymatga mos keladigan tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasini qurish.
UE ulanish sxemasiga mos keladigan BC547A tranzistorining statik chiqish xarakteristikalari turkumini qurish uchun biz multisim dasturiy ta'minot muhitida xarakteriograf-IV dan foydalanamiz (4-rasm).
4-rasm. Transistorning chiqish xarakteristikalari
Xarakterografda siz 5 tadan kam bo‟lmagan chiqish xarakteristikalarini olishingiz kerak. Buning uchun, «параметры моделирования» oynasida, Ib baza toki uchun 5 parametr olindi. UKE kuchlanishi 0 dan 20 V gacha o'zgartirildi. O'sish = 50 mV.
Xarakteriograf-IV yordamida 2-jadvalni to'ldiramiz. Shu bilan birga, Ib ning joriy qiymatlarini xarakteriograf qiymatiga o'rnatamiz.
2-jadval.
UE Ik = f (Uke) ning Ib= const qiymatiga mos keladigan BC547A tranzistorining statik chiqish xarakteristikalari.
Uke, В
|
Ib=0 мкА
|
Ib=90
|
Ib=180
|
Ib=270
|
Ib=360
|
Ib=450
|
мкА
|
мкА
|
мкА
|
мкА
|
мкА
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0,125
|
0
|
6,45
|
11,45
|
15,79
|
19,75
|
22.98
|
0,25
|
0
|
9,55
|
14,7
|
23,79
|
29,12
|
33,86
|
0,5
|
0,00004
|
12,65
|
17,95
|
31,79
|
34,12
|
34,75
|
1
|
0,00012
|
15,75
|
21,2
|
39,79
|
38,12
|
46,75
|
2
|
0,0002
|
18,85
|
24,45
|
47,79
|
47,12
|
58,75
|
3
|
0,00028
|
21,95
|
27,7
|
55,79
|
51,12
|
70,75
|
4
|
0,00036
|
25,05
|
30,95
|
63,79
|
59,12
|
82,75
|
5
|
0,00044
|
28,15
|
35,45
|
71,79
|
69,12
|
94,75
|
6
|
0,00052
|
31,25
|
38,7
|
79,79
|
73,12
|
106,75
|
7
|
0,0006
|
34,35
|
41,95
|
87,79
|
83,12
|
118,75
|
8
|
0,00068
|
37,45
|
46,95
|
95,79
|
87,12
|
130,75
|
9
|
0,00076
|
40,55
|
50,2
|
103,79
|
97,12
|
142,75
|
10
|
0,00084
|
43,65
|
57,2
|
111,79
|
104,12
|
154,75
|
15
|
0,00092
|
46,75
|
60,45
|
119,79
|
124,12
|
166,75
|
20
|
0,001
|
49,85
|
63,7
|
127,79
|
128,12
|
178,75
|
Ik, mA
Olingan ma'lumotlarga asosida, tranzistorning chiqish xarakteristikalari grafigini Ik = f (Uke) quramiz (4-rasm).
rasm. BC547A tranzistorining chiqish xarakteristikalarining Ik = f (Uke) grafigi
К КЭ
I f U
I Б const
shu to‟plamga kiruvchi BT chiqish xarakateristikasiga quyidagi
tenglama orqali
UИП экв UКЭ
R
I
К
К эк в
, koordinata o‟qlarida yotuvchi 2 ta nuqta orqali,
to‟g‟ri chiziqli urinma o‟tkazamiz, koordinata nuqtalari
IК 0 , koordinata
o‟qidagi kuchlanish
U КЭ
UИП экв 7.5 В va
IК UИП экв
/ RК экв 39
мА ,
UКЭ 0
toklar.
I f U
К КЭ I
I Б const , ifoda orqali baza toki Б i
va chiqish kuchlanishdagi kalitni
Uвыхi U КЭ i
( i 1,…, N ), aniqlovchi yuklamaning to‟g‟ri va egri chiziqli kesishish
nuqtalarini topamiz, N –shu kabi nuqtalar soni.
6.rasm. UKE ni aniqlash
Jadval 3. Chiqish kuchlanishining qiymatlari
UКEi, В
|
UКЭ0
|
UКЭ1
|
UКЭ2
|
UКЭ3
|
UКЭ4
|
UКЭ5
|
Uвыхi=UКEi, В
|
8,8
|
7.9
|
5,4
|
4,3
|
3.6
|
2,9
|
RB-ni aniqlaymiz RB = h11э
Buning uchun 5-rasmdagi 2-nuqtadan foydalanamiz, bunda I B2 = 180 mkA.
Kirish xarakteristikasidan h11E-ni aniqlaymiz:
rasm. h11e ni aniqlash
Rasmdan biz Ib1 = 150 mkA, Ib3 = 240 mkA, Ube3 = 785mV, Ube8 = 823 mV ekanligini aniqlaymiz. Keyin h11e aniqlanadi:
h ΔUбэ
Uбэ8 Uбэ3
810мВ 790мВ
220000 м
11 э
ΔIб
Iб 3
240 мкА 150 мкА
Shunday qilib,
R B = h 11э=22000 Ом
BT ning kirish VAXi
IБ f U БЭ U КЭ const , UКЭ 0
da chiqish kuchlanishiga mos
keladigan UБЭ i kuchlanishni topishga imkon beradi.
rasm. Ubei ni aniqlash
Keyin mos keladigan kirish kuchlanishi quyidagi ifoda bo'yicha hisoblanadi:
Uвх i U БЭ i IБ i RБ
4-jadval. Kirish kuchlanishini hisoblash natijalari
UBEi, В
|
UБЭ0
|
UБЭ1
|
UБЭ2
|
UБЭ3
|
UБЭ4
|
UБЭ5
|
0,726
|
0.756
|
0,789
|
0,852
|
0,896
|
0,756
|
Ukiri, В
|
Uвх0
|
Uвх1
|
Uвх2
|
Uвх3
|
Uвх4
|
Uвх5
|
0
|
2,492
|
4,312
|
6,122
|
7,936
|
9,74
|
Olingan qiymatlar
Uвыхi
va Uвх i
juftligi kalitning uzatish xarakteristikasini
qurishga imkon beradi.
1
U
вых
ning Yuqori chiqish darajasi BT ning kesishish
sohasiga mos keladi (6-rasmda "0" nuqtasi):
U
1
вых
U ИП экв
U ИП экв
7.5 В .
Chiqish darajasi pastligi to'yinish rejimiga to'g'ri keladi (6-rasmdagi "5" nuqtasi)
U
0
вых
U КЭ нас
Uzatish xarakteristikasini quramiz:
Uвых, В
Jadval 5. Uzatish xarakteristikasi
Uвхi, В
|
0
|
2,492
|
4,312
|
6,122
|
7,936
|
9,74
|
Uвыхi, В
|
7.5
|
7
|
4,6
|
3,6
|
2,9
|
2,5
|
9-rasm. Transistor Transistor kalitining xarakteristikasi
Uzatish xarakteristikasida kalitning 3 ta sohasi mavjud: kesilgan soha – kichik darajadagi kirishdagi kuchlanishga mos keluvchi soha, aktiv soha- BT ni kesilgan rejimdan to‟yinish rejimiga o‟tuvchi va aksincha bo‟lgan rejim, to‟yinish sohasi – yuqori darajadagi kirish kuchlanishiga mos keluvchi soha.
Kalitning uzatish xarakteristikasini yanada aniq hisoblash uchun tok bo‟yicha statik koeffisiyenti orqali uzatish tokining baza toki f (IБ ) qiymatiga bog‟liqligini hisobga olish kerak.
Xulosa
Bipolyar tranzistor elektronika sohasida keng qo'llaniladigan bir elektronik
komponentdir. Uning nomi "bipolar" degan atamasi, unda elektronlar va "qurilmalar"
(holelar) qurilmasi bilan bir xil ko'p to'plamlar o'rnatilganligi uchun
ishlatiladi.Bipolyar tranzistorlarni ikki turdagi tranzistorlar, ya'ni NPN (Negative
Positive-Negative) va PNP (Positive-Negative-Positive) tranzistorlar tarqatiladi. Bu turdagi tranzistorlar o'rtasida asosiy farqi o'tkazuvchi materiallarning polari va
ulardagi elektrlar ko'chish yonalishlari bo'lib, ulardagi qurilmalar xarakteristikasini
belgilaydi.Bipolyar tranzistorlar elektronikada amplifikatsiya (kuchaytirish) va
boshqarish uchun qo'llaniladi. Ular oddiy elektronika buyumlarini yaratishda,
signallarni o'zgartirish va boshqarishda o'rtacha komponentlar hisoblanadi.
Odatda, tranzistorlar elektronik apparatlarda o'zgartirishlarni bajarish, kamaytirish va
o'chirish uchun ishlatiladi.Tranzistorning asosiy xususiyatlaridan biri amplifikatsiya
faktori (β) hisoblanadi, bu tranzistorning kuchaytirish koeffitsientini ifodalaydi. Bu
amplifikatsiya faktori o'rtacha to'plam amplifikatsiya darajasi bo'lib, boshqa
xususiyatlardan qat'iy nisbatda bog'liq bo'lishi mumkin.Bipolyar tranzistorlarning
boshqa muhim xususiyatlari orasida bazasi (base), emitori
(emitter) va kollektor (collector) elemanlari kiritilganligi, ulardagi elektrlar o'tkazish
yo'nalishlari va tranzistorning maxsus ishlovchi diapazoni kabi xususiyatlar keltirilishi
mumkin. Bipolyar tranzistorlar esa elektronikaning asosiy
qoidalari va qavslari bo'lgan diodlar va rezistorlar bilan birgalikda ishlatiladi. Ular
elektronikani tashkil etishda asosiy komponentlar hisoblanadi.Umumiy xulosa sifatida,
bipolyar tranzistorlar elektronikada keng qo'llaniladigan va asosiy komponentlardan
biridir. Ular amplifikatsiya, boshqarish va o'zgartirishlarni bajarishda o'rta darajada
ishlatiladi.
Foydanalingan adabiyotlar
1.Aripov X.K., Аbdullaev А.М., Alimova N.B., Bustanov X.X., Toshmatov Sh.T.
“Sxemotexnika” (darslik), Toshkent. «Tafakkur bo`stoni», 2013
2.X.K. Aripov, А.М. Аbdullayev, N.B. Alimova, X.X. Bustanov, Ye.V. Obyedkov,
Sh.T. Toshmatov. Elektronika (darslik) Toshkent.: «Fan va texnologiya», 2011y
3.Thomas F. Schubert, Jr., Ernest M. Kim. Fundamentals of Electronics Book 1:
Electronic Devices and Circuit Applications, 2014
4.В.Т. Еременко, А.А. Рабочий, А.П. Фисун, И.И. Невров, А.В. Тютякин, А.Е.
Георгиевский. Oсновы электротехники и электроники. Учебник. Орел, 2012
5.John Bird. Electrical Circuit Theory and Technology, Fifth edition,
Simultaneously published in the USA and Canada, 2014.
6.X.K. Aripov, A.M. Abdullayev, T.U. Nurmuxamedova, Sh.Q. Xolmonov,
X.N.Teshaboyev, A.X. Abdullayev. “Elektronika va sxemalar 1” fani bo‘yicha
laboratoriya mashg‘ulotlari uchun uslubiy qo‘llanma. –Toshkent: TATU. 2020.
|
