Bipolyar tranzistorlardan tashkil topgan kuchaytirgichlar. Reja: Bipolyar tranzistor haqida umumiy malumotlar. Bipolyar tranzistorning ulanish sxemalari

Download 21,33 Kb.
bet	3/3
Sana	11.01.2024
Hajmi	21,33 Kb.
	#135124

Bog'liq
Bipolyar tranzistorlardan tashkil topgan kuchaytirgichlar.
imtiyozlar, 2 5467433092236973909, 1655196537 (1), Cценарий, Электролит эритмаларнинг электр eтказувчанлиги, amaliy kta, amaliy ish, Арқонда сакраш3, Massalar tasir-WPS Office, Закон-действующих-масс-124093, Jamoat binolari. Qodirova, Документ Microsoft Word, магист Календар режа намуна 2023 3 (4), Mashina mexdoc

Bipolyar tranzistorlar. S-Bipolyartranzistor(ВТ)debo‘zarota’sirlashuvchiikkitap-n o‘tishdantashkiltopganvasignallarnitok,kuchlanishyokiquvvat bo‘yichakuchaytiruvchi uch elektrodli yarimo‘tkazgich asbobga aytiladi. -BT datokhosilbo'lishidaikkixil(bipolyar)zaryadtashuvchilar- elektronlar va kovaklarishtirok etadi. ВТ p - van - o‘tkazuvchanlik turi takrorlanuvchiuchta(emitter,baza va kollektor) yarimo‘tkazgich sohaga ega. -Tranzistor sxemaga ulanayotganda chiqishlaridan biri kirish va chiqishzanjiri uchun umumiy qilib ulanadi. W-Analog qurilma – gibrid integral sxema (keyingi matnda– GIS) asosidagi kuchaytirgich ishlab chiqiladi. -Elektron kuchaytirgich – bu qurilma elektr signalini shaklini saqlagan holda quvvatini oshirishga mo’ljallangan. -Kuchaytirgichlar radioelektron apparaturalarda eng ko’p tarqalgan qurilma hisoblanadi. Kuchaytirgichni mikrosxema ko’rinishida ado etish aktual hisoblanadi. -Integral mikrosxema (IMS) tayyorlashda tehnologiya bo’yicha ikki yo’nalish farqlanqdi: yarim o’tkazgichli va gibrid (IMS) li. GIS o’z tarkibida plyonkali passiv elementlar va osiladigan faol elementlarga ega va bir qator afzalliklarga ega: passiv elementlarni har qanday qiymatlarini olish imkoniyatiga, parametrlarni haroratga kam darajada bog’liqligi ishlab chiqarishni tashkil qilishda uncha katta bo’lmagan harajatga egaligi va platani tayyorlashni oddiyligi. O-Agar emitter o’tish teskari yo’nalishda, kollektor o’tish esa to’g’ri yo’nalishda siljigan bo’lsa, u holda bu tranzistor invers yoki teskari ulangan deb ataladi. -Tranzistor raqamli sxemalarda qo’llanilganda u to’yinish rejimida (ikkala o’tish ham to’g’ri yo’nalishda siljigan), yoki berk rejimda (ikkala o’tish teskari siljigan) ishlashi mumkin . -Kuchlanish manbai USI ning ulanishi p–n o’tish kengligiga ham tasir ko’rsatadi, chunki o’tish kuchlanishi kanal uzunligi bo’ylab turlicha bo’ladi. -Kanal potentsiali uning uzunligi bo’ylab o’zgaradi: istok potentsiali nolga teng bo’lib, stok tomonga ortib boradi, stok potentsiali esa USI ga teng bo’ladi. p–n o’tishdagi teskari kuchlanish istok yaqinida ga, stok yaqinida esa teng bo’ladi. T-Bipolyar tranzistor p-n-p va n-p-n o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan uchta yarim o’tkazgichdan tashkil topgan -Tranzistorning kuchli legirlangan chekka sohasi (n+ - soha) emitter deb ataladi va u zaryad tashuvchilarni baza deb ataluvchi o’rta sohaga (r - soha) injektsiyalaydi -. Keyingi chekka soha (n - soha) kollektor deb ataladi. U emiitterga nisbatan kuchsizroq legirlangan bo’lib, zaryad tashuvchilarni baza sohasidan ekstraktsiyalash uchun xizmat qiladi -Emitter va baza oralig’idagi o’tish emitter o’tish, kollektor va baza oralig’idagi o’tish esa -kollektor o’tish deb ataladi. Mavzular bo’yicha video-roliklarni ko’rib chiqish va taxlil qilish yangi ma’lumotlar olish. Download 21,33 Kb.

Download 21,33 Kb.