|
VBE (Base-Emitter Voltaji)
|
| bet | 70/84 | | Sana | 22.01.2024 | | Hajmi | 299,93 Kb. | | #143103 |
Bog'liq ELEKTRONIKA yakuniyVBE (Base-Emitter Voltaji): Elektron o‘tishni boshqarish uchun o‘tkazuvchan o‘tish va asos orasidagi voltaj.
VCE (Collector-Emitter Voltaji): O‘tkazuvchan o‘tishni olib kelish uchun o‘tkazuvchan o‘tish va jamg‘armoq orasidagi voltaj.
IC (Collector Current): O‘tkazuvchan o‘tish orqali olinadigan elektron o‘tishi.
Tranzistorning Statik VAX-lari:
Hamilaviy O‘tish Regimi (Saturation Region):
O‘tkazuvchan o‘tish paytida VCE voltageining past chegarasi bilan amaliyotda ishlovchi statik VAX-lardan biri.
IC o‘tkazuvchan o‘tish paytida yuqori, VCE pastroq, VA - minimal bo‘ladi.
Normal O‘tish Regimi (Active Region):
O‘tkazuvchan o‘tish uchun optimal holda ishlovchi regim.
IC o‘tkazuvchan o‘tish paytida o‘rtacha qiymatga yetadi.
VCE va VA normal (o‘rtacha) qiymatlar.
Oson bo‘ladi (Cut-off Region):
Elektron o‘tishi asosga olib keladi, shuning uchun hammasi oldiysi hammasi o‘rnatilgan bo‘ladi.
IC va VCE qiymatlari minimal.
Bloklangan (Reverse Active Region):
O‘tkazuvchan o‘tish paytida asosdan oldiysi o‘tkazuvchan o‘tishdan kamroq elektron o‘tishi olinadigan, lekin hali ham olib keladigan regim.
IC va VCE minimal qiymatlarga ega.
Bu regimlar elektron o‘tishi boshqarilish paytida tranzistorning ish rejimiga bog‘liqdir va har bir regimda tranzistorning statik VAX-lari o‘zgaradi.
Bipolyar tranzistor, ularning shartli belgilanishi, ishlash prinsipi, ish rejmlari.
Bipolyar Tranzistor (Bipolar Junction Transistor - BJT):
Bipolyar tranzistor (BJT), p-turi va n-turi o‘rtasida qo‘rqin ornatilgan yarimo‘tkazgich asbobdir. U, elektronika sohasida amplifikatsiya (o‘zi kuchlanish), o‘tkazish vaqti boshqarish, hamda qurilish sohasida keng qo‘llaniladi.
|
| |
