|
Normal O‘tish (Active Regimi)
|
bet | 77/84 | Sana | 22.01.2024 | Hajmi | 299,93 Kb. | | #143103 |
Bog'liq ELEKTRONIKA yakuniyNormal O‘tish (Active Regimi):
Elektron o‘tishi o‘tkazuvchan o‘tishning o‘rtasida ishlaydi.
IC va VCE normal qiymatlarda.
VCE(SAT) - minimal, IC o‘tkazuvchan o‘tish paytida maksimum.
Hamilaviy O‘tish (Saturation Regimi):
O‘tkazuvchan o‘tish paytida o‘tkazuvchan o‘tishning o‘rtasida yuqori.
IC va VCE pastroq qiymatlarda.
VCE(SAT) - minimal, IC o‘tkazuvchan o‘tish paytida maksimum.
Bloklangan (Reverse Active Regimi):
Asosdan o‘tkazuvchan o‘tish paytida o‘tkazuvchan o‘tishning oldiysi yo‘q.
IC va VCE minimal qiymatlarda.
H-parametrlar (Hybrid Parameters):
H-parametrlar tranzistorning ishlashini aniqroq tushuntirish uchun ishlatiladi:
hfe (Current Gain in the Forward-Active Regime):
Elektron o‘tish paytida o‘tkazuvchan o‘tishning o‘rtasida ishlovchi ko‘rsatkich.
hfe = ΔIC / ΔIB.
hie (Input Impedance):
Elektron o‘tish paytida IB stromining o‘zgarishiga qarab olinadigan ko‘rsatkich.
hie = ΔVBE / ΔIB.
hre (Reverse Voltage Feedback Ratio):
O‘tkazuvchan o‘tish paytida VCE o‘zgarishiga qarab olinadigan ko‘rsatkich.
hre = ΔVCE / ΔIC.
hoe (Output Conductance):
O‘tkazuvchan o‘tish paytida IC stromining o‘zgarishiga qarab olinadigan ko‘rsatkich.
hoe = ΔIC / ΔVCE.
Bu h-parametrlar tranzistorning elektromagnit maydondagi ko‘rsatkichlarni o‘lchashda va elektr sxemalarni yechishda juda muhimdir. H-parametrlar tranzistorning ish rejimlarini va o‘tkazuvchan o‘tishning qo‘shimcha xossalari haqida ma’lumot beradi.
|
| |