A rejimda sokinlik rejimida ishchi nuqta uzatish xarakteristikasi kvazichiziq soha o‗rtasida joylashadi (41 - rasm).
a) b)
- rasm
Kirish signalining ikkala yarim davri uzatish xarakteristikasining kvazichiziq sohasida joylashganligi sababli nochiziqli buzilishlar eng kichik (KG 1%) bo‗ladi.
V rejimda nochiziqli buzilishlarni kamaytirish maqsadida musbat yarim davrni, ikkinchisi – manfiy yarim davrni kuchaytiradigan, ikkita kuchaytirgichdan tashkil topgan ikki taktli sxema qo‗llaniladi.
b)
– rasm.
AV sinfi A va V sinflari oralig‗idagi holatni egallaydi va ikki taktli qurilmalarda qo‗llaniladi. Bu yerda sokinlik rejimida bir tranzistor berk bo‗lganda, ikkinchisi ochilish arafasida bo‗ladi, lekin bu holat asosiy ishchi yarim davrni kichik inersiyaga ega bo‗lgan VAX sohasiga olib chiqishga imkon yaratadi.
koeffisient A sinfiga nisbatan yuqori, KG 3 % bo‗ladi.
Emitter qaytargich. Kuchlanish bo‗yicha kuchaytirish koeffisienti birga yaqin bo‗lgan, kirish signal qutbini o‗zgartirmaydigan va katta kirish va kichik chiqish differensial qarshilikka ega bo‗lgan kuchaytirgichlar – qaytargich deb ataladi.
Emitter qaytargich klassik sxemasi 43 – rasmda keltirilgan. Tranzistorga o‗zgarmas kirish kuchlanishi berilganda (A rejim), emitter zanjirida RE rezistorda kuchlanish pasayishini yuzaga keltiruvchi o‗zgarmas tok oqib o‗tadi. Chiqish kuchlanish Uchiq shunday o‗rnatiladiki, baza – emitter kuchlanishi
– rasm.
Emitter qaytargichning kirish qarshiligi UE sxema va tok bo‗yicha MTA sxemalari kirish qarshiligidan farq qilmaydi va quyidagiga teng bo‗ladi
rКИР ( 1)RЭ .
Chiqish qarshiligi rChIQ (RE orqali amalga oshirilgan) 100 % manfiy teskari aloqa hisobiga kamayadi. Bu holat shu sababli sodir bo‗ladiki, chiqish kuchlanishining har bir kuchayishi emitter tokini oshiradi, demak baza toki ham ortadi. Unga esa RG qarshilik ko‗rsatadi.
Mikroelektronikada FIK juda kichik bo‗lganligi sababli A sinfi qo‗llanilmaydi. V va AV sinfiga mansub ikki taktli kuchaytirigichlar ancha ommabop hisoblanadi. Va biz ularni o‗rganishga o‗tamiz.
Diodlar. Diodlar bitta p-n o‗tishga ega. Lekin bipolyar tranzistorli IMSlarda asosiy tuzilma sifatida tranzistor tanlangan, shuning uchun diodlar tranzistorning diod ulanishi yordamida hosil qilinadi. Bunday ulanishlarning beshta varianti mavjud. Agar diod yasash uchun emitter – baza o‗tishdagi p-n o‗tish qo‗llanilsa, u holda kollektor – baza o‗tishdagi p-n o‗tish uziq bo‗lishi kerak.
Rezistorlar. Bipolyar tranzistorli IMSlarda rezistor hosil qilish uchun bipolyar tranzistor tuzilmasining biror sohasi: emitter, kollektor yoki baza qo‗llaniladi. Emitter sohalari asosida kichik qarshilikka ega bo‗lgan rezistorlar hosil qilinadi. Baza qatlami asosida bajarilgan rezistorlarda ancha katta qarshiliklar olinadi.
|
