Analog integral mikrosxemalar elementar negiz bosqichlar asosida yasaladilar. Negiz bosqichlarga UE sxemada ulangan bipolyar tranzistorlar hamda UI sxemada ulangan maydoniy tranzistorlardan yasalgan bir bosqichli kuchaytirgichlar kiradi. Negiz bosqichlar bir vaqtning o‗zida tok yoki kuchlanish, hamda tok va kuchlanish bo‗yicha kuchaytirish bilan quvvatni kuchaytiradilar.
Bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi. Umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi eng keng tarqalgan. Kuchaytirgich tahlil qilinganda signal manbai yoki qarshilik RG bilan ketma – ket ulangan ideal kuchlanish manbai YeG ko‗rinishida (35 a-rasm), yoki qarshilik RG bilan parallel ulangan ideal tok manbai IG ko‗rinishida (35 b-rasm) ifodalanishi mumkin.
b)
– rasm.
Agar RG va kuchaytirgich bosqichining kirish qarshiligi qiymatlari bir – biriga yaqin bo‗lsa, signal manbaining turi hisoblash aniqligiga ta‘sir ko‗rsatmaydi. Agar RG kuchaytirgich bosqichining kirish qarshiligidan ancha katta bo‗lsa, 6.1 b- rasmda keltirigan signal manbaidan, aks holda esa 35 a-rasmda keltirigan signal manbaidan foydalanish tavsiya etiladi.
Umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi sxemasi 36 – rasmda keltirilgan.
Sxemani tahlil qilganda, tranzistor holati kirish kuchlanishi bilan boshqarilganda uzatish xarakteristikasi (37-rasm), chiqish xarakteristikalar oilasi hamda kirish xarakteristikalar oilasidan foydalanish qulay.
– rasm. 37 – rasm.
Uzatish xarakteristikasi - kollektor toki IK ning baza – emitter kuchlanishi
UBE ga bog‗liqligi eksponensial funksiya bilan approksimatsiyalanadi.
Kirish signali mavjud bo‗lmaganda kuchaytirgich bosqichi sokinlik rejimida bo‗ladi. Sokinlik rejimida kollektor – emittter kuchlanishining doimiy tashkil etuvchisi UКЭ EП IK RK .
Kirishga o‗zgaruvchan kirish signalining musbat yarim davri berilsa, baza toki ortadi va u kollektor toki o‗zgarishiga olib keladi. Bu holat uzatish xarakteristikasi (37-rasm) dan ko‗rinib turibdi. Kollektor toki IK ning UBE kuchlanishiga bog‗liq ravishda o‗zgarishi xarakteristika tikligi S bilan ifodalanadi:
Signal manbaiga nisbatan kuchaytirish bosqichi uchun kirish qarshiligi katta rol o‗ynaydi. Uning qiymati qancha katta bo‗lsa, signal manbai shuncha kam yuklanadi va shunchalik yaxshi kirish bosqichiga uzatiladi. Kirish zanjirini yuklamaga ulangan kuchlanish manbai ko‗rinishida ifodalash uchun differensial kirish qarshiligi kattaligi kiritiladi.
Kuchaytirgich bosqichining chiqish yoki ichki qarshiligi rChIQ bu bosqichni yuklama (keyingi bosqich) bilan o‗zaro ta‘sirlashuvida katta rol o‗ynaydi. Kuchaytirgichning chiqish qarshiligi yuklamadan tok oqib o‗tayotganda chiqish kuchlanishini kamayishiga olib keladi va bu holatni kuchaytirish koeffisientini hisoblayotganda hisobga olish kerak bo‗ladi.
Yuklama qarshiligi RYu va chiqish qarshiligi rChIQ kuchaytirgich kuchaytirish Koeffisientini martaga kamaytiruvchi kuchlanish bo‗luvchisini hosil qiladilar.
Bu kattalik statik koeffisientdan kollektor tokining keng o‗zgarish diapazonida sezilarli farq qilmaydi va /(1) ga teng.
Nochiziqli buzilishlarni kamaytirish va kuchaytirish koeffisientini temperaturaviy barqarorligini oshirish maqsadida kuchaytirgich bosqichiga manfiy teskari aloqa kiritiladi.
| 