Fyzikálna elektronika látok II. (2121) Skratka názvu fel II

Kľúčové slová

Sylaby

1. 
   Emisné javy. Termoelektrónová emisia elektrónov. Autoemisia elektrónov.
   
2. 
   Fotoemisia elektrónov. Sekundárna emisia elektrónov. Absorbcia žiarenia látkami. Absorbčné spektrum.
   
3. 
   Vlastná absorbcia s priamymi a nepriamymi prechodmi. Excitónová absorbcia žiarenia. Ďalšie mechanizmy absorbcie. Absorbčné efekty vhodné pre detektory. Dielektrická funkcia.
   
4. 
   Excitóny. Fonón-polaritónová absorbcia, absorbcia mriežkou.
   
5. 
   Absorbčné spektrá.
   
6. 
   Modulačná spektroskopia. Emisné spektrometrie.
   
7. 
   Fotoemisia. Emisia žiarenia z tuhých látok. Luminiscencia.
   
8. 
   Spontánna a stimulovaná emisia žiarenia.
   
9. 
   Kvantové efekty v polovodičoch. Heteroštruktúry. Rastové technológie: MBE a MOCVD. "Band Engineering".
   
10. 
    Vrstvové štruktúry, kvantové jamy a bariéry.
    
11. 
    Supermriežky. Modulačné dopovanie. Predpäté vrstvy.
    
12. 
    Dvojdimenzionálny elektrónový plyn.
    

Cieľ
Hlbšie a komplexnejšie porozumenie vlastností elektronických prvkov, obvodov a systémov, ktoré využívajú prenos signálov fotónmi; vlastnosti heteroštruktúr, kvantových jám a supermriežok.

1. 
   Emisné javy. Termoelektrónová emisia elektrónov. Autoemisia elektrónov.
   
2. 
   Fotoemisia elektrónov. Sekundárna emisia elektrónov. Absorbcia žiarenia látkami. Absorbčné spektrum.
   
3. 
   Vlastná absorbcia s priamymi a nepriamymi prechodmi. Excitónová absorbcia žiarenia. Ďalšie mechanizmy absorbcie. Absorbčné efekty vhodné pre detektory. Dielektrická funkcia.
   
4. 
   Excitóny. Fonón-polaritónová absorbcia, absorbcia mriežkou.
   
5. 
   Absorbčné spektrá.
   
6. 
   Modulačná spektroskopia. Emisné spektrometrie.
   
7. 
   Fotoemisia. Emisia žiarenia z tuhých látok. Luminiscencia.
   
8. 
   Spontánna a stimulovaná emisia žiarenia.
   
9. 
   Kvantové efekty v polovodičoch. Heteroštruktúry. Rastové technológie: MBE a MOCVD. "Band Engineering".
   
10. 
    Vrstvové štruktúry, kvantové jamy a bariéry.
    
11. 
    Supermriežky. Modulačné dopovanie. Predpäté vrstvy.
    
12. 
    Dvojdimenzionálny elektrónový plyn.
    

Nadväznosť predmetu

1. 
   Venables, J., A.: Introduction to Surface and Thin Film Processes, Cambridge University Press 2000,ISBN 0521785006,
   
2. 
   Mitin, V., V., Kochelap, V., A., Stroscio, M., A.: Quantum Heterostructures, Cambridge University Press 1999, ISBN 0521636353,
   
3. 
   Brennan, K., F.: The Physics of Semiconductors with Applications to Optoelectronic Devices, Cambridge University Press, 1999, ISBN 0521596629,
   
4. 
   Ibach, H., Lüth, H.: Festkörperphysik, Springer, 1999, ISBN 3540660747,
   
5. 
   Casey, C., H.: Devices for Integrated Circuits, Silicon and III - V Compound Semiconductors, John Wiley & Sons, 1999, ISBN 0471171344,
   
6. 
   Lüth, H.: Surfaces and Interfaces of Solid Materials, Springer, 1998, ISBN 3540585761,
   
7. 
   Davies, J., H.: The Physics of Low Dimensional Semiconductors, An Introduction, Cambridge University Press, 1998, ISBN 052149481,
   
8. 
   Yu, P., Y., Cardona, M.: Fundamentals of Semiconductors, Physics and Materials Properties, Springer, 1996, ISBN 3540614613,
   
9. 
   Jiles, D.: Introduction to the Electronic Properties of Materials, Chapman & Hall, 1995, ISBN 0412495902,
   
10. 
    Prutton, M.: Introduction to Surface Physics, Clarendon Press, Oxford, 1995, ISBN 0198534760,
    
11. 
    Franzen, H., F.: Physical Chemistry of Solids, Basic Principles of Symmetry and Stability of Crystalline Solids, World Scientific, 1994, ISBN 98110211546,
    
12. 
    Eckertová, L. a kol.: Fyzikální elektronika pevných látek“, Univerzita Karlova, Praha 1992, ISBN 8070665311,
    
13. 
    Donoval, D.; Elektronika materiálov, skriptá EF STU