• Shottki diodi va tranzistorlarini qoilash yordamida (12.4b-rasm)
  • Ikki yo‘nalishli axborot shinalari yoki magistral qurilmalar
  • Murakkab invertorli TTM sxemasi (12.3-rasm) amaliyotda keng




    Download 476,08 Kb.
    bet2/3
    Sana20.05.2024
    Hajmi476,08 Kb.
    #246084
    1   2   3
    Bog'liq
    elektr2 slayd

    Murakkab invertorli TTM sxemasi (12.3-rasm) amaliyotda keng

    • Murakkab invertorli TTM sxemasi (12.3-rasm) amaliyotda keng
    • qo‘llaniladi. U ikki taktli chiqish kaskadi (VT2 va VT3 tranzistorlar, R4
    • rezistor va VD diod), boshqariluvchi faza ajratuvchi kaskad (VT1
    • tranzistor, R2 va R3 rezistorlar) dan tashkil topgan.
    • Faza tushunchasi (yunoncha paydo bo‘lish)ga binoan VT1
    • tranzistor berk va uning kollektorida (A nuqta) yuqori potensial paydo
    • bo‘lishi natijasida VT2 tranzistor ochiladi. VT1 tranzistorning ochiq
    • holatida uning emitterida (B nuqta) yuqori potensial paydo bo‘ladi va u
    • VT3 ni ochadi. Demak, VT2 va VT3 tranzistorlar galma-gal (turli
    • taktlarda) ochiladi. Shuning uchun chiqish kaskadi ikki taktli deb
    • ataladi.

    Shottki diodi va tranzistorlarini qoilash yordamida (12.4b-rasm)

    • Shottki diodi va tranzistorlarini qoilash yordamida (12.4b-rasm)
    • TTM elementining tezkorligi oshirilgan (TTMSH). Ular tranzistor
    • bazasida ortiqcha zaryadlami chiqarib yuborish vaqtini sezilarli kamay
    • tirish yoki umuman yo‘qotishga imkon beradi. Natijada impuls kamayib
    • borish vaqtidagi kechikish kamayadi. Lekin tezkorlik ortishi bilan
    • TTMSH statik parametrlari yomonlashadi. Xususan, bo‘sag‘aviy kuchla
    • nish qiymati kamayadi va ifcrnQ ortadi, bu esa o‘z navbatida oddiy
    • sxemalarga nisbatan xalaqitbardoshlikni pasaytiradi. TTMSH KlSlar
    • ning negiz elementi hisoblanadi.

    Ikki yo‘nalishli axborot shinalari yoki magistral qurilmalar

    • Ikki yo‘nalishli axborot shinalari yoki magistral qurilmalar
    • yaratishda, bir necha sxema chiqishlarini birlashtirish talab qilinadi.
    • Agar elementlar ulanayotganda, ulardan binning chiqishida past (J°chiq
    • sath, ikkinchisida esa yuqori i f chiq sath boisa, u holda ketma-ket
    • VT2 va VT3 tranzistorlardan biridan sizilish told
    • ancha katta. Bu vaqtda iste’mol qilinayotgan quwat keskin ortadi va
    • sxema ishdan chiqishi mumkin, chunki VT2, VT3 tranzistorlar va VD
    • diod uzoq muddat katta tok oqib o‘tishiga mo'ljallanmagan. Bu holat
    • yuzaga kelmasligi uchun chiqishi uchta holatga ega bo‘lgan: ikki holat -
    • bu oddiy Uchiq = ( / va Uchiq = U1 sathlar, uchinchisi esa - element
    • yuklamadan butkul uziladigan «cheksiz katta» chiqish qarshiligi holatini
    • ta’minlaydi, ya’ni tok iste’mol qilmaydigan va uzatmaydigan TTM
    • elementlar yaratilgan.
    • hiz ~ (EM —U )/Ry oqib o‘tadi. Bu tok statik rejimdagi manba tokidan

    Download 476,08 Kb.
    1   2   3




    Download 476,08 Kb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Murakkab invertorli TTM sxemasi (12.3-rasm) amaliyotda keng

    Download 476,08 Kb.