|
Ko‘rib chiqilgan «I-NE» elementlari integral yo‘li bilan ham bajarilishi mumkin
|
| bet | 34/44 | | Sana | 23.05.2024 | | Hajmi | 252,1 Kb. | | #251181 |
Bog'liq Impuls texnologiyasida qisqa muddatli intervalgacha elektr tebraKo‘rib chiqilgan «I-NE» elementlari integral yo‘li bilan ham bajarilishi mumkin.
12.17-rasm. DTM elemantining prinsipial sxemasi
; ; ; .
25-Ma’ruza
Tranzistor-tranzistorli mantiq (TTM)
12.18-rasmda TTL-elementining, bir qator Yarim o‘tkazgichli raqamli qurilmalar uchun integral mitti sxemaning asosi bo‘lishi sxemasi keltirilgan. Ushbu sxemada VT1 . ko‘p immitirli tranzistor qo‘llanilgan. Agarda xech bo‘lmaganda emitter-baza o‘tishidan birontasi to‘g‘ri ulangan holda bo‘lsa, VT1 ko‘p emmiterli tranzistorning kollektor o‘tishi teskari yo‘nalishga siljiydi. Kirish o‘tkazuvchanligi bo‘lmaganligida baza-kollektor o‘tkazuvchanligi to‘g‘ri yo‘nalishda ulanadi. 12.18-rasmda vx1, vx2 va vx3 kirishlarda «1» darajali mantiq (3.5 voltga qarshi signali) mavjud deylik.
Ushbu kirish darajasida baza-kollektor o‘tkazuv-chanligi R1 qarshiliq orqali to‘g‘ri yo‘llangan va VT1 tranzistorining kollektori o‘tkazuvchanligida tok quyidagi zanjirlar orqali oqadi. Tok manbai +E qarshilik R1, orqali baza-kollektor o‘tkazuvchanligi tranzistor VT1, VT2 baza-emitter o‘tkazuvchanligi va VT4 baza-emitter o‘tkazuvchanligi. Ushbu zanjirga tegishli to‘g‘ri yo‘nalishda ulangan. VT1 tranzistorning emitter-baza o‘tkazuvchanligi teskari yo‘nalishda siljigan. VT1 tranzistori rejimi invers rejimida VT2 va VT4 to‘yingan rejimda. VT2 potensiali bo‘lganidan VT3. yopilishini ta’minlaydi. Demak VT3 yopiq (qirqish rejimi), VT4, ochig‘i to‘yigan, demak sxema chiqqshida past potensial ta’minlanadi («0» daraja).
12.18-rasm
Kirish signallarining boshqacha qiymatlarida masalan birontasi past darajali kuchlanish bo‘lsa mantiq «0» daraja (taxminan 0,3 V), bunda emitter-baza o‘tkazuvchanligi kirishiga mos holda to‘g‘ri yo‘nalishda siljiydi ushbu o‘tkazuvchanligidagi tok, tok manbai +E, qarshilik R1, emitter-baza o‘tkazuvchanligi kirish signali manbai orqali oqadi. O‘tkazuvchanlikda kuchlanish to‘g‘ri yo‘nalishda siljib 0,6 V ga yaqin bo‘ladi. VT1 tranzistor bazasidagi kuchlanish korpusga nisbatan 0,9 V ( ).
Ko‘p emmiterli tranzistorning kollektoridagi kuchlanish dan kichik ya’ni kollektor o‘tkazuvchanligi , kuchlanishi taxminan 0,4 V ga va u 0,5 V bo‘ladi. Ushbu qirqish kuchlanishi va kuchlanishlar summasidan kichik. O‘chirilgan VT2, tranzistorning kirish qarshiligi VT1, ko‘p emmiterli tranzistorning kollektor yuklamasi juda katta. VT2 yopiq tranzistorning kirik toki . kichik tok bo‘ladi. Ushbu tok VT1. tranzistorning kollektor toki bo‘ladi. Demak VT1 tranzistori sezilarli baza tokiga ega bo‘lib baza-emitter ochiq o‘tkazuvchanlikdan oqib, . Kichik kollektor toki baza va kollektor toklari bunday VT1 tranzistorlar tokida to‘yingan bo‘ladi. Uning kollektor o‘tishi teskari yo‘nalishga siljigan. Ochiq kirish o‘tishidan oqayotgan emitter-bazali tok baza toki va kollektor . Toklaridan tashkil topadi. Emitter tok qiymati kirish qismida mantiqiy «0» kuchlanish darajasi bo‘lganiga mos keladi VT1 tranzistorining qolgan emitterlari invers rejimida ishlaydi va toki kichik bo‘ladi.
SHunday qilib mantiqi «0» darajali kuchlanishga mos keladigan xech bo‘lmaganda VT2 kirish qismi yopiq. VT2 kollektor potensiali +E, ga yaqin bo‘lib VT3. ni ochadi va to‘yintiradi. Bunda VT4 yopiq, chunki baza potensiali nolga yaqin. Sxema chiqish kuchlanishidagi kuchlanish 3,5V atrofida (mantiqiy «1» daraja), chunki +E VT3 to‘yingan tranzistor orqali va VD1 diodi to‘g‘ri ulangan. Diodlar VD2-VD4 mikrosxemada balki kirish impulslardan himoyalash funksiyasini bajaradi. Signalni o‘zgartirish «I-NE», mantiqiy operatsiyaga mos kelib VT1 ko‘p emitterli tranzistor kaskadida bajarilgan «I» operatsiya esa invertor bo‘lib, VT2, VT3 va VT4 («NE» operatsiyasi) tranzistorlarda yig‘ilgan.
«I-NE» sxemalar parametrlari K155 seriya uchun: ;
; ; ; ; .
|
| |
