|
Impuls texnologiyasida qisqa muddatli intervalgacha elektr tebranishlari qo'llaniladi
|
| bet | 33/44 | | Sana | 23.05.2024 | | Hajmi | 252,1 Kb. | | #251181 |
Bog'liq Impuls texnologiyasida qisqa muddatli intervalgacha elektr tebra«ILI» (YOKI) mantiq
12.16-rasmda elektr kuchlanishi ko‘rinishdagi x1 va x2 mantiqiy o‘zgaruvchanli diz’yunksiya operatsiyasi 12.15-rasm «I» turdagi DM xaqqonilik jadvali bilan bajarilishi tasvirlangan. Birlik darajasi deganda musbat Yuqori potensial tushiniladi. Agar biror bir kirish qismida birlik daraja bo‘lsa, VD1 (VD2) ochiq diod orqali ushbu kuchlanish chiqish qismiga bir birlik kuchlanishni hosil qiladi.
EYUK ( ), manbaining ichki qarshiligiga sezgir bo‘lganligidan mantiqiy «0» va «1» darajalar nostabil bo‘ladi.
Ushlanish vaqti ;
12.2-jadval Xaqqonilik jadvali
|
kir1
|
kir2
|
chiq
| |
1
|
1
|
1
| |
1
|
0
|
1
| |
1
|
1
|
1
| |
0
|
0
|
0
|
12.16-rasm «ILI» (YOKI) turdagi diodli mantik
Aytib o‘tilgan kamchiliklarni bartaraf etish uchun DTM (diodli-tranzistorni mantiq sxemasi ishlab chiqilgan.
24-Ma’ruza
Diodli-tranzistorli mantiq DTM (DTL)
Bunday qurilmaning sxemasi 12.17-rasmda keltirilgan. Ushbu qurilmada diodlar VD1 va VD2 (R1- qarshilik bilan) mantiqiy «I» operatsiyasini bajaradi, tranzistor VT1 invertor sxemasida ishlaydi va «NE» yo‘q operatsiyasini bajaradi, VDsm1 va VDsmn diodlar kalitini ochish bo‘sag‘asini oshiradi u VT1 tranzistorida yig‘ilgan sxemaning avzalliklari:
Sxema mantiqiy «0» va «1»larda Yuqori stabillikni xarakterlaydi;
Sxema ichki karshilikga ham bog‘liq;
Ushbu «I-NE» va-yo‘q chiqish qarshiligi mantiqiy «0» da VT tranzistorning kichik mantiqiy «1» chiqish qarshiligi .
|
| |
