II-BOB.Tranzistorlarning ulanish sxemalari.
2.1.Bir kaskadli kuchaytirgichlarning umumiy baza rejimida tahlil qilish. Tranzistor sxemaga ulanayotgan da chiqishlaridan biri kirish va chiqish zanjiri uchun umumiy qilib ulanadi shu sababli quyidagi ulanish sxemalari mavjud: umumiy baza (U B ) , umumiy kollektor (U B ) , umumiy emitter ( U E ). Bu vaqtda umumiy chiqish patensiyal nolga teng deb olinadi. Kuchlanish manbai qutblari va tranzistorlar toʻplarining yo`nalishi tranzistorning aktiv rejimiga mos keladi umumiy baza ulanish sxemasi qator kamchiliklarga ega boʻlib juda ham kam ishlatiladi.
Nomidan koʻrinib turibdiki, umumiy baza yoki tuproqli tayanch konfiguratsiyasi cc ulanishi kirish signali va chiqish signali uchun umumiydir kirish signali tranzistorlar bazasi va emitter terminallari ortasida qollaniladi mos keladigan chiqish signali koʻrsatilganidek baland olinadi. Asosiy terminal yerga ulangan yoki baʼzi submit mos yozuvlar kuchlanishi natijasida ulanishi mumkin.
Emitter tushadigan kirish oqimi juda katta, chunki u mos ravishda asosiy oqim va kollektor oqimining yig`indisidir. Shuning uchun kollektor oqimi chiqishi emitter oqimidan kamroq bo`lib, bu turdagi kontaktlarning zanglashiga olib keladigan oqim ''bir'' ga oshadi birlik yoki undan kamroq, boshqacha qilib aytganda umumiy tayanch konfiguratsiyasi kelish signalini "susaytiradi".
2.2.Bir kaskadli kuchaytirgichlar ning umumiy kollektorli rejimda tahlili.
Agar emitter oʻtish teskari yoʻnalishda, kollektor oʻtish esa toʻgʻri yoʻnalishda siljigan boʻlsa u holda bu tranzistor invers yoki teskari ulangan deb ataladi. Tranzistorlar raqamli sxemalarda qoʻllanilganda oltin ish rejimida ikkala otish ham togri yonalish kesilgan yoki berganimda ikkalasi ham teskari yonalishga siljigan ishlashi mumkin.
Maydoniy tranzistorlarda yasalgan tranzistor kuchaytirgichlar. Maydoniy tranzistorlardan kuchaytirgich yasashda umumiy istok ( U I ) sxemada ulangan maydoniy tranzistorlar keng qoʻllaniladi.
Kollektor zanjirida esa oz miqdorda teskari p-n o`tish toki ( bo`ladi K- kalit ulanganda emitter zanjirida tok hosil bo`ladi.
Chunki manba kuchlanishi emitter – baza yo`nalishida to`g`ri p-n o`tish hosil bo`ladi. Bunda ko`pchilik kovaklar emitterdan bazaga o`tganda bo`lganligidan kollektor o`tishiga yetib boradi. Natijada kollektor toki ortadi. Umuman olganda tranzistorlarning asosiy xossasi bazada borayotgan jarayonlar bilan boradi. Bazada chet moddalar taqsimlanishi natijasida unda asosiy bo`lmagan zaryadlarni emitterdan kollektorga o`tishiga yordam beruvchi elektr maydon bo`lsa bunday tranzistor dreyfli tranzistor deyiladi. Agar bazada xususiy maydon bo`lmasa, asosiy bo`lmagan zaryad tashuvchilar baza orqali asosan diffuziya tufayli o`tsa bunday tranzistor dreyfsiz tranzistor deb ataladi. Tranzistorning chiqish xarakteristikasida ega mos kelgan xarakteristika K kalit ochiq bo`lgan holni ifoydalaydi. Harakteristika dan koʻrinib turibdiki kollektor bazaga qo`yilgan kuchlanish qiymati ortishi bilan tokni sezilarli darajada ortishi kuzatilmaydi. Buni tushuntirish uchun tranzistorning potensial diogrammasi bilan tanishib chiqaylik. Unda tranzistorning zaryadlar kambag`allashgan sohali ham koʻrsatilgan emitter ham kollektor sohalarida zaryadlangan zarrachalar konsentratsiyasi katta bo`lganligidan kambag`al soha asosan baza qatlamida bo`lib ,ikki soha orasidagi masofa ya ni bazaning effektiv qalinligi baza qalinligidan kichik boladi.Kollektordagi manfiy kuchlanishning ortishi kollektor o`tishdagi kambagal qatlamning kengayishiganolib keladi. Natijada bazaning effektiv qalinligi kamayadi.
2.3. Bir kaskadli umumiy emitterli ( U E ) tranzistorli kuchaytirish sxemasi.
2.3.1. O`zgarmas tokda kaskadning ishlash rejmini tahlil qilish.
Umumiy holda, tranzistorli kaskad sxemasini – sxemadagidek ko`rsatishi mumkin.Sxemada BCW 32 tipidagi tranzistordan foydalanganligi sababli zanjirni quvvatlantirishi uchun manfiy kuchlanishi ishlatiladi. Kuchaytiruvchi bosqichning asosiy parametrlarini aniqlash uchun birinchi navbatda uning rejimini o`zgarmas tokda tahlil qilish kerak. (ishlash nuqtasini aniqlashtiramiz.
, , , bu yerda asosiy parametrlari mos ravishda emitter, kollektor va baza kuchlanishning ,shuningdek toklari , , doimiy kattaliklar hisoblanadi.
Ma`lumki kollektor ( ) va ( baza toklari umumiy emitterli zanjirdagi tok bo`yicha kuchaytirish omili β bilan quyidagicha bog`langan ( kam quvvatli tranzistor uchun β= 50 ...100 )
= β
Kollektor toki baza tokiidan ko`p marta katta bo`lganligi sababli ba`zi hollarda tokini hisoblamasa ham bo`laveradi.
1.5 – sxema.O`zgarmas tok rejimida tahlil qilish uchun tranzistorli kaskad sxemasi.
quvvat manbaiga ulanganda tranzistor bazasining potensiali ,
va bo`luvchi qarshiliklar tomonidan aniqlanadi:
Emitter oʻtish joyidagi kuchlanish agar u ko`rib chiqilayotgan bosqichda bo`lgani kabi oldindan yoʻnaltirilgan boʻlsa taxminan quyidagicha tenglikka ega bo`ladi:
-0.7 B
Bunga ko`ra tranzistorning emitteridagi kuchlanishning doimiy qiymati quyidagicha bo`ladi.
+ 0.7 B
Bunday holda emitter toki om qonuni bilan aniqlanadi:
=
Kollektor toki esa
= -
Kollektordagi kuchlanishning o`zgarmas qiymati quyidagi ifodalar bilan aniqlanadi:
2.3.2. O`zgarmas tokda emitterni yerlab kaskadning ishlash rejimini tahlil qilish.
Agar tranzistorning emitteri yerga ulangan bo`lsa, =0 sharti bajarilsa oʻzgarmas tokda kaskad rejimni tahlil qilish uchun biroz boshqacha usul qo`llaniladi. Koʻrib chiqilayotgan sxema n-p-n tranzistor idan foydalanganligi sababli oldingi sxemadan farqli oʻlaroq barcha kuchlanishlar ning patensiali va turlarning yo`nalishi teskari bo`lishi kerak.
1.6-sxema. Emitteri yer langan bilan ulangan kaskad sxemasi ( = 0)
Bunday holda baza tokini aniqlash quyidagicha:
= =
Bunday sxema uchun kollektor tokiga o‘xshash munosabatdan aniqlanadi:
= β
Kollektor kuchlanishining o‘zgarmas qiymati ham bilan aniqlanadi.
Ko‘p hollarda tranzistorning doimiy tok rejimi sxemaning rezistorlari variantida aniqlanadi (1.5-rasmga qarang), shunday qilib quyidagi shart bajariladi:
= =10В
chunki bu kuchaytirilgan signalning eng kam buzilishini ta'minlaydi.
Kaskad rejimini o‘zgarmas tok nuqtai nazaridan tahlil qilish tranzistor rЭ [1, 2] emitterning ichki qarshiligini aniqlashga imkon beradi:
Bu erda φT - harorat potentsiali (φT≈25mV xona harorati 20…25 oC da).
|
