O‘ZBEKISTON RESPUBLIKASI
OLIY TA‘LIM, FAN VA INNOVATSIYALAR VAZIRLIGI
ANDIJON MASHINASOZLIK INSTITUTI
“INTELEKTUAL BOSHQARUV VA KOMPYUTER TIZIMLARI” fakulteti
“AXBOROT TEXNOLOGIYALARI” kafedrasi
“AXBOROT TIZIMLARI VA TEXNOLOGIYALARI” yo‘nalishi
2-bosqich 35-22 guruh talabasi
RAXIMJONOV OG‘ABEK KAMOLIDDIN O‘G‘LINING
“ELEKTRONIKA VA SXEMOTEXNIKA”
FANIDAN
KURS LOYIHASI
MAVZU: “TESKARI BOG‘LANISH KIRITILGANDA KUCHAYTIRGICHNI PARAMETRLARINI XISOBLASH”
Qabul qiluvchi ______________ Atajanov Muhiddin
Andijon-2024
Mundarija
Kirish
I-BOB. Bir kaskadli kuchaytirgichning bazaviy elementlar tahlili
1.1. Tranzistor haqida malumot.
1.2. Rezistorlar.
1.3. Kondensatorlar.
II-BOB.Tranzistorlarning ulanish sxemalari.
2.1. Bir kaskadli kuchaytirgichning umumiy bazali rejimda tahlili.
2.2. Bir kaskadli kuchaytirgichning umumiy kollektorli rejimda tahlili.
2.3. Bir kaskadli kuchaytirgichning umumiy emitterli rejimda tahlili.
2.3.1. Oʻzgarmas tokda kaskadning ishlash rejimini tahlil qilish.
2.3.2. O’zgarmas tokda emitterni yerlab kaskadning ishlash rejimini tahlil qilish.
2.3.3. Tranzistor kaskadining ish nuqtasini tahlili .
2.3.4. Oʻzgaruvchan to`k bo`yicha kaskadning ishlash rejimini tahlil qilish.
III-BOB. Bipolyar tranzistorli UE kaskadni berilgan qiymatlar bo`yicha hisobi.
4. Tanlangan tranzistor bo`yicha bir kaskadli kuchaytirgich sxemasini loyihalash.
Xulosa.
Foydalanilgan adabiyotlar ro`yxati.
Kirish
Kurs ishining maqsadi talablarini mustaqil ishlash qobiliyatini rivojlantirish, olgan nazariy bilimlarni qoʻllashda amaliy koʻnikmalar hosil qilish va zamonaviy texnika, hamda texnologiyalarni qoʻllashni oʻrganishdir.
Elektronika fan va texnologiyaning barcha yangi sohalariga kirib bordi. U oʻlchash texnologiyasi, boshqaruv tizimlari va texnologik jarayonlarni tartibga solishda qo`llaniladi. Elektronikaning asosiy bilimlaridan bir aniq signallarni kuchaytirish uchun moljallangan kuchaytiruvchi sxemalarni tahlil qilsh va sintez qilishdir.
Hozirgi vaqtda kuchaytirgich sifatida operativ kuchaytirgichlarning keng qoʻllanilishiga qaramasdan baʼzi hollarda tranzistorli sxemalar signallarni kuchaytirish uchun ham qo`llaniladi ular ko`pincha eng oddiy va eng arzon hisoblanadi Shu munosabat bilan tranzistorni, ularni loyihalash usullarini va asosiy parametrlarni hisoblashni oʻrganish dolzarb vazifadir. O`quv qo`llanma materiali buni hal qilish uchun moʻljallangan topshiriqlar, sxemalarni loyihalash ko`nikmalarini rivojlantirish uchun u kurs ishini bajarish uchun testlar yoki topshiriqlar sifatida ishlatilishi mumkin bo`lgan o`quv topshiriqlarini to`plamini o`z ichiga oladi.
Zamonaviy kam quvvatli kuchaytiruvchi sxemalar bipolyar tranzistorlar, maydoniy tranzistorlar va operatsion kuchaytirgichlarga asoslangan. Tranzistorli kuchaytirgichlarning juda ko`p tarqalgan asosiy sxemalari baza (bipolyar tranzistorlardan foydalanganda),
Kuchaytiruvchi sxemani tanlashga uning oʻzgarmas tok rejimini tahlil qilishga, shuningdek oʻzgaruvchan tokda uning asosiy parametrlari kuchlanish boʻyicha kuchaytirish, kirish va chiqish qarshiliklarini aniqlashga asoslanadi. Kuchaytiruvchi bosqichning chastota xarakteristikalarini koʻrish birinchi navbatda o`tish diapazoning pastki chastotasini aniqlashga qaratiladi.
1.Bir kaskadli kuchaytirgichning bazaviy elementlar tahlili.
1.1.Tranzistorlar haqida maʼlumot.
Bipolyar transistor (B.T) deb o`zaro tasirlashuvchi ikkita p-n o`tishdan tashkil topgan va signallarni tok va kuchlanishga yoki quvvat bo`yicha kuchaytiruvchi uch elektrodli yarim o’tkazgich asbobga aytiladi. B.T da tok o`tishiga ikki xil (bipolyar) zaryad tashuvchilar--elektronlar va kovaklar ishtirok etadi.
B.T p- va n- oʻtkazuvchanlik turi takrorlanuvchi uchta (emitter, baza va kollektor) yarim o`tkazgich sohalariga ega.
1.1 – sxema 1.2 - sxema
Yarim o'tkazgich sohalarni belgilashda asosiy zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi yuqori boʻlgan soha yoki belgisi qo'yilishi bilan boshqa sohalardan farqlanishi qabul qilinganTranzistorning sohalari ichida en yuqori konsentratsiya ega boʻlgan chekka soha ( - soha) - p - n yoki ( - soha ) - p - n turli tranzistorlarda emitter E deb ataladi. Emitterning vazifasi tranzistorning baza (B) soha deb ataluvchi o’rta ( p- yoki n- turli sohasiga zaryad tashuvchilarniinjeksiyalashdan iborat.
Tranzistor tuzilmasining boshqa chekkasida joylashgan n- soha ( - p- n) yoki p- soha ( - p – n ) kollektor (K) deb ataladi. Uning vazifasi baza sohasidagi noasosiy zaryad tashuvchilarni ekstraktiyalashdan iborat emitter bilan baza orasidagi p-n o'tish ( K O' ) deb ataladi.
Baza sohasi kollektor va emitter o'tishlarning oʻzaro taʼsirlashuvini taʼminlash kerakligi sababli, BT ning baza sohasidagi kengligi bazadagi no asosiy zaryad tashuvchilar diffuziya uzunligidan kichik ( - n – p B T uchun - p- n B T uchun ) bo’lmog’i shart. Aks holda emitterdan bazaga injeksiyalangan asosiy zaryad tashuvchilar K O’ gacha yetib bormaydilar va B T samaradorligi pasayadi. Odatda baza sohasidagi kengligi 0,01/1 mkm ni tashkil etadi.
Tuzilish xususiyatlariga va tayyorlash texnologiyasi egra BT eritib tayyorlangan, planar va planar - epitoksial tranzistorlarga ajratiladi. Qotishmali tranzistorlarning baza sohasiga kiritma lar taqsimlanishi bir jinsli (tekis) bo`lganligi sababli unda elektr maydon hosil boʻlmaydi. Shuning uchun E 2 N lar bazadan kollektorga diffuziya hisobiga ko'chadilar.
Planar va planar epitoksial tranzistorlarning baza sohasidagi eritmalar konsentratsiyasi taqsimoti bir jinsli emas (notekis) boʻlib, u kollektorga siljigan sari kamayib boradi. Bunday bipolyar tranzistorlar dreyfli tranzistorlar deb ataladi. Kiritmalar konsentratsiyasi gradiyenti ichki elektr maydon hosil boʻlishiga olib keladi va EZN lar bazadan kollektorga dreyf va diffuziya jarayonlari hisobiga koʻchadilar. Demak dreyfli bipolyar tranzistorlarning tezkorligi yuqori bo'ladi
Bipolyar tranzistorlar asosan chastotalarning keng diapozonida (0/10 GGs) va quvvat boyicha(0.01/ 100 vt) elektr signallarni o`zgartiruvchi generator va kuchaytirgan sxemalarni hosil qilish uchun ishlatiladi.
Bipolyar tranzistorlar chastota bo’yicha : past chastotali - 3M Gs gacha; o`rta chastotali – 0.3/30 M Gs ; yuqori chastotali – 30/300 MGs gacha; o`ta yuqori chastotali – 300 MGs dan yuqori guruhlarga bolinadi.
Quvvat bo’yicha kam quvvatli – 0.3 Vt gacha; o`rta quvvatli – 0.3-1.5 Vt ; katta quvvatli – 1.5 dan yuqori guruhlarga ajratiladi .
Nanosekund diapazonida katta quvvatli impulslarni hosil qilishga moljallangan ko`chkilli tranzistorlar Bipolyar tranzistorlarning yana bir turini tashkil etadi.
Tuzilishi bo`yicha bipolyar tranzistorlar ko`p emetterli (K E T ) , ko`p kollektorli ( K K T ) va tarkibiy ( Darlington va shkalali )tranzistorlar bo`ladi.
Bipolyar tranzistor kirishiga berilgan signal quvvat bo`yicha kuchaytiriladi. Buning uchun uni oʻzgartiriladigan signal zanjiriga ( kirish yoki boshqaruvchi ) hamda kuchaytirilgan ( chiqish yoki boshqariluvchi) signallar zanjiriga ulanadi.
Bipolyar tranzistorning beshta asosiy ish rejimi mavjud.
Agar tashqi ulanish manbalari ( , ) yordamida EO` to`g`ri yo`nalishda, KO` esa teskari yo`nalishda siljitilsa u holda bipolyar tranzistor aktiv (normal) rejimda ishlaydi. Bu rejim analog sxemotexnikada keng qoʻllaniladi.
Agar EO` teskari yo`nalishda, KO` esa to`g`ri yo`nalishda siljitilgan bo`lsa bipolyar tranzistor invers (teskari) rejimda ishlaydi.
Agar emitter va kollektor o`tishlar togri sitilgan bo`lsa bipolyar tranzistor toʻyinish, teskari siljitilgan bo`lsa, berk rejimda ishlaydi. Bu rejimlar raqamli sxema texnikada qoʻllaniladi. EO` to`g`ri siljitilganda KO` da EYuK hosil bo`lsa Bipolyaryar transistor injeksiyavoltaik rejimda ishlaydi.
Bipolyar tranzistorning yana bir rejimi bo`lib, u teskari silkitilgan KO` ga yuqori kuchlanishlar, yoki temperatura taʼsir etganda yuzaga keladi. Bu rejim teshilish rejimi deb ataladi. Ko`chkili tranzistorlar elektr teshilish hisobiga ishlaydi
Tranzistorning kuchli legirlangan chekka sohasi ( - soha) emitter deb ataladi va u zaryad tashuvchilarni baza deb ataluvchi o`rta sohaga ( r – soha ) injeksiyalaydi. Keyingi chekka soha ( n – soha ) kollektor deb ataladi. U emitterga nisbatan kuchsizroq legirlangan bo`lib zaryad tashuvchilarni baza sohasidan ekstraksiyalash uchun xizmat qiladi. Emitter va baza oralig`idan o`tish - emitter o`tish, kollektor va baza oralig`idagi o`tish esa kollektor oʻtish deb ataladi.
Tashqi kuchlanish manbalari ( , ) yordamida emitter oʻtish to`g`ri yo`nalishda, kollektor oʻtish esa - teskari yo`nalishda siljiydi. Bu holda tranzistor aktiv yoki normal rejimda ishlaydi va uning kuchaytirish xossalari namoyon boʻladi.
1.3 – sxema .
Aktiv rejim uchun kuchlanish manbalari qutblari va elektrodlar toklari yo`nalishlari.
Tranzistorlar elektronikada elektr tebranishlarni kuchaytirish, generatsiyalash va kalit sifatida ishlatilinadi.
Tranzistor mikroelektronika qurulmalarining asosiy elementidir. Tuzulishi va ishlash usuliga qarab tranzistorlar bipolyar va unipolyar tranzistorlarga ajratiladi.
Bipolyar tranzistorlarning ishlashi p-n o‘tish hodisasiga, unipolyar tranzistorning ishlashi esa, bir turdagi o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan yarim o‘tkazgichning o‘tkazuvchanligini elektr maydoni yordamida boshqarishiga asoslangan.
Bipolyar tranzistor 1949- yili U.B.Shokli tomonidan taklif etilgan. Bipolyar tranzistor o`zaro ta’sirlashuvchi ikkita p-n o`tishdan tashkil topgan va signallarni tok, kuchlanish yoki quvvat bo`yicha kuchaytiruvchi uch elektrodli yarimo`tkazgich asbobga aytiladi. Bipolar tranzistorda to’k otishi ikki turdagi zaryad tashuvchilar –elektronlar va kovaklarning harakatiga asoslanlangan.Ya’ni asosiy va asosiy bo`lmagan shuning uchun bipolyar deyiladi.
Bipolyar tranzistor p-n-p va n-p-n o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan uchta yarim o‘tkazgichdan tashkil topgan. Bipolyar tranzistorlarda uch qatlamli struktura ikki xil bo‘lishi mumkin. Zaryad
tashuvchilar (elektron va kovaklar) manbasi hisoblangan tashqi qatlamlar emitter (E) deb ataladi. Emitterdan keluvchi zaryad tashuvchilarni qabul qiluvchi qatlam kollektor (K) deb ataladi . O‘rta qatlam baza (B) deyiladi. Emitter yarimo‘tkazgichli triodning bazaga asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarni injeksiyalash chun mo’ljallangan. Emitter va baza o‘rtasidagi elektron - kovak o‘tish emitterli o‘tish deyiladi. Kollektor esa tranzistorning bazasidan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarni tortib olish uchun mo‘ljallangan. Kollektor va baza o‘rtasi-dagi o‘tish kollektorli o'tish deyiladi.Tranzistor tayyorlash jarayonida uning barcha sohalari bitta monokristallda hosil qilinadi. Agar baza elektron o‘tkazuvchanlikli bo‘lsa, tranzistor p-n-p tipli , agar kovak o‘tkazuvchanlikli bo‘lsa, n-p-n tipli deb ataladi.
Ularning ishlash asoslari bir xil, ammo u yoki bu tipli tranzistor qo’lanilganda
kuchlanish manbayi qutbini mos holda o‘zgartirish lozim. n-p-n tipdagi tranzistorlar p-n-p tipdagi tranzistorlarga qaraganda kengroq qo'llaniladi, chunki ularning parametrlari yaxshiroq. Buni quyidagicha izohlash mumkin: n-p-n tipdagi tranzistorlarda yuzaga keluvchi elektr jarayonlarda asosiy rolni elektronlar o‘ynaydi, p-n-p tipdagi tranzistorlarda esa kovaklar o‘ynaydi. Elektronlar esa kovaklarga nisbatan 2-3 marta katta harakatchanlikka ega.
Amalda kollektorli o‘tish yuzasi emitterli o‘tish yuzasiga nisbatan katta bo‘lib, bunday nosimetriklik tranzistorlar xususiyatlarini ancha yaxshilaydi.
Tranzistorlaming shartli belgilash sxemalarida strelkalar bilan emitter toklari yo‘nalishlari ko‘rsatilgan.Bipolyar tranzistor asosi bo‘lib, uchta sohadan iborat kremniy yoki germaniy plastinka xizmat qiladiBipolyar tranzistor, ikki chet qatlam bir xil o‘tkazuvchanlikli, o‘rta qatlam esa qarama-qarshi tipdagi o‘tkazuvchanlikka ega bo‘ladi.
1.2. Rezistorlar
Rezistor elektron elementning tarkibiy qismi boʻlib, elektron elementlar orasidagi energiyani qayta taqsimlash va tartibga solish uchun moʻljallangan. Rezistorlar elektron qurilmalarning elektr pallasida koʻrsatilgan oqim va kuchlanish qiymatlarini hosil qilish, faol komponentlar uchun zarur elektr rejimlarni yaratish, elektr zanjirlarni taqqoslash, elektr quvvatini singdirish ,generator va filtrlarning chastota o`rnatish sxemalarida va hokazolarda foydalanish uchun ishlatiladi. Hozirgi vaqtda diskret rezistorlari bilan bir qatorda, rezistor to`plamlari ham keng tarqalgan. Strukturaviy ravishda to`plamlar mikrosirkulyatsiya holatlariga tayyorlanadi.
Rezistorlar ikkita katta guruhga boʻlinadi: doimiy va oʻzgaruvchan rezistorlar. Ularning maqsadlariga muvofiq doimiy rezistorlar saqlanadi. Ular uskunaning ishlashi paytida o`zgaradi.
Quyidagilar rezistorlarni tavsiflovchi asosiy parametrlar hisoblanadi:
qarshilikning nominal miqdori;
nominal miqdordan yo`l qo`yilgan ogʻish;
nominal tarqalish quvvati;
ish harorati oralig`i yo`l qo`yilgan nisbiy namlik va atmosfera bosimi;
oʻziga xos shovqin darajasi.
Rezistorning nominal miqdori uning ustida ko`rsatilgan bo`ladi. Miqdori 990 Om gacha boʻlgan qarshilik Om (om , Ω ) bilan 1000 dan 99000 gacha kilo Om ( k.om k Ω ) bilan 1000 Om va undan oshig`i mega om ( M om , m Ω ) bilan ifodalanadi.
Naminal tarqalish quvvati rezistor da ajraladigan quvvat bo`lib bunday rezistor yo`l qo`yilgan miqdorda qiziydi. ish haroratlari oralig`i rezistorning radioapparatura normal ishlashiga imkon beradigan haroratlar oralig`ini ko`rsatadi ish haroratlaridan tashqari qarshilik miqdorining oʻzgarishi haroratning o`zgarib turishga bog`liqligini ham hisobga olish kerak. bu oʻzgarish harorat bir gradusga ko`tarilganda qarshilik miqdori qanchalik oʻzgarishini koʻrsatuvchi harorat koeffitsienti bilan tavsiflanadi.
Ehtimol, hozirda rezistorlar har qanday zamonaviy radio yoki elektron qurilmalarning ajralmas va eng ko'p ishlatiladigan qismidir. Bugungi kunda bitta rezistorsiz radio, televizor, osiloskop yoki magnitafonni tasavvur qilishning iloji yo'q. Biroq, bu har doim ham shunday emas edi. Masalan, birinchi detektorli radiolarda bitta rezistor yo'q edi, bu ularning bir nechta stantsiyalarni ishonchli qabul qilishiga to'sqinlik qilmadi. Birinchi uchqunli telegraf uzatgichlarida ham rezistorlar yo'q edi. Rezistorlar ehtiyoj paydo bo'lganda paydo bo'ldi.
Rezistor (tug'ilgan rezistor, lotincha qarshilik - men qarshilik qilaman) - bu elektr tokining passiv elementi bo'lib, u faqat elektr tokiga qarshilik bilan tavsiflanadi, ya'ni. Ideal rezistor uchun Ohm qonuni har qanday vaqtda mamnun bo'lishi kerak: rezistordagi kuchlanishning oniy qiymati u orqali o'tgan oqim bilan mutanosibdir U (t) = R * I (t). Va Ohm qonuniga muvofiq, ularning qarshiligi quyidagicha yozilishi mumkin: qarshilik (R) [Ohm] = kuchlanish (U) [V] / oqim (I) [A].
Ushbu atamaning yana bir nomi - “Qarshilik”. Ammo bizning vaziyatimizda, bu ikki xil tushunchalar ushbu inshoda men qarshilik xususiyatiga ega bo'lgan element sifatida rezistor haqida yozmoqdaman.
Qarshilik boshqa tushunchalar bilan bir qatorda klassik elektrotexnikaning asosiy jismoniy miqdorlaridan biridir - kuchlanish, oqim, quvvat, elektr sig'imi, indüktans. Qat'iy aytganda, qarshilik mavhum ma'noda, siz Ohm qonunining formulasi bilan uning ma'nosini aniqlaganda, siz har qanday tafsilotlarni anglatishingiz shart emas. Bu shunchaki elektr qarshiligining kattaligi haqida bo'lishi mumkin va aniq nima - aksariyat hollarda bu umuman ahamiyatga ega emas. Shu bilan birga, ba'zi hollarda qarshilik juda aniq tushunchadir: uni nafaqat formula bo'yicha hisoblash, balki asbob bilan aniq o'lchash (ya'ni, o'zboshimchalik birliklarida uning qiymati bilan belgilanadigan).
Hozirda ishlab chiqarilgan rezistorlarning qiymatlari Oh fraktsiyalaridan o'nlab megaohmlarga qadar. Oqim rezistordan o'tib ketganda, quvvat issiqlik shaklida chiqariladi. Rezistorning harorati radiatsiyalangan issiqlik atrof-muhit tomonidan so'rilgan issiqlikka tenglashguncha ko'tariladi. Haroratning oshishi rezistor tomonidan tarqatilishi mumkin bo'lgan maksimal quvvat bilan belgilanadi.
Rezistorlar sezuvchanligi yuqori radiopriyomnik qurilmalar va oʻlchash apparat orasida ishlatilayotganda oʻziga xos shovqin darajasi muhim rol, o`rin egallaydi. Qarshilik vujudga keltirgan signallar uning oʻziga xos shovqini hisoblanadi oʻziga xos shovqin darajasi mikrovolt (mkv) bilan o`lchanadi. Radio qurilmalarining yuqori sifatli ishlash uchun retseptorlarning oʻziga xos shovqin darajasi mumkin qadar past boʻlishi kerak
Rezistorlarning ulanish sxemasi.
Rezistorlar tranzistor va mikrosxemalarning qulay ishchi rejimini taʼminlab beruvchi qurilmadir. Ular simli va simsiz bo`lib bir-biri bilan quvvatlari bilan farqlanadi oʻlchov birliklari: om - Ω; kilo-om k Ω; mega om M Ω; giga om - G Ω va h.k.z
Elektr zanjirlarida rezistorlar R harfi bilan belgilanadi; zanjirlarda ketma - ket , parallel , yoki aralash ulanishi mumkin. Elektr zanjirda rezistorlar ketma-ket ulanganda qarshiligi ortib , quvvat kamayadi.
1.3.Kondensatorlar.
Kondensatorlar o`zida zaryad to`plovchi qurilmalar boʻlib zanjirlarda kelishiga qarab vazifalari belgilanadi. Kondensatorlar o`zidan o`zgaruvchan tokni yaxshi o`tkazib o`zgarmas tokga toʻsqinlik qiladi ular elektr zanjirda taʼminoti filtiri, ajraluvchi filtrar, yechuvchi filtir vazifalarni bajaradi. Masalan taʼminot manbayidagi 2 yarim toʻgʻrilagich dan keyingi kondensator taʼminoti filtir vazifasini bajaradi. Filtr - tozalash degan maʼnoni bildiradi. 2 yarim davrli to`g`ri lagich chiqishidagi tokni to`g`rilash, yani o`zgaruvchan tashkil qiluvchi manbaning manfiy qismiga o`tkazib oʻzgarmas tokga toʻsqinlik qilishi bilan filtrlaydi. Bir kaskad bilan 2 kaskad oralig`iga qoʻyilgan kondensatorlar ajratuvchi kondensatorlar deyiladi. Oʻzidan o`zgaruvchan tokni (signalni) yaxshi otkazib, o`zgarmas tokka toʻsqinlik qiladi. Natijada foydali tokni (signalni) ajratib oladi yechuvchi filtr kaskad kirishidagi oziqlanish zanjiriga qo`yiladi va shu kaskadiga kelayotgan oziqlanish kuchlanishdagi halaqitlarni filtrlaydi.
Kondensatorlarda elektr zanjirlaridagi quyidagi buzuqlik nuqsonlari uchraydi: sig`im yo`qotadi, qisqa tutashuv bo`ladi, uzilib qoladi va buzuqlik nuqsonlari buyumni turli buzilishlarga olib keladi.
Kondensatorlarni LCR oʻlchov asbobi yoki mulki tester asbobi bilan sig`imlari tekshiriladi. Multi tester asbobining ko`rsatkichi shkala bo`yicha borib nolga qaytib kelsa, bu kondensator butun koʻrsatkich borib, nolgacha qaytmasa chala kuygan (sigʻim yoʻqotgan) , noldan qoʻzgʻalmasa uzilgan, shkala boʻyicha borib ortga qoʻzgʻalmasa qisqa tutashgan hisoblanadi.LCR asbobi raqamli oʻlchov asbobi boʻlib, ekranda kondensatorning sigʻimi Rx-reaktiv qarshiligi va kondensator ishchi holatda emasligini bildiradi.Prinsipial elektr sxemalarda kondensatorlarning oʻng tomon tepa qismiga qoʻyiladi
Elektronika va radiotexnikada turli sig`imdagi kondensatorlardan foydalanish uchun ularni turlicha ulash orqali sig`imlarini o`zgartirishimiz mumkin. Shuning uchun ularning ulanishini ko`rib chiqamiz.
Ketma-ket ulash.
Kondensatorning ketma – ket ulanishi 3.1 – sxemada tasvirlangan, bu ulashda kondensatorlarning qarama- qarshi qoplamalarni o`zaro ulanib kondensatorlarning hamma (q) plastinalarida zaryad miqdori bir xil bo`ladi.
3.1 - sxema
+ + = )
b) parallel ulash kondensatorlar ning musbat zaryadli qoplamalari bir nuqtaga, manfiy zaryadli qoplamalari esa ikkinchi nuqtaga ulanib qoplamalar dagi pensiallar ayirmasi ularning hammasi uchun bir xil bo`ladi. Shuning uchun ham bir kondensatordagi zaryad miqdori:
bo`lib zaryadlar yig`indisi:
+ + = ( + )
va umumiy elektr sig`imi:
C = =
bo`ladi. Demak parallel ulangan kondensatorlar ning umumiy elektr sig`imi shu ulangan kondensatorlarning elektr sig`imi yig`indisiga teng boʻladi.
3.2 – chizma
Ushbu turdagi kuchaytirgich konfederatsiyasi teskari bo`lmagan kuchlanish kuchaytirgich davri bo`lib Va V signal kuchlanishlari “ in – fazadir “ dir. Ushbu turdagi tranzistorni tartibga solish g`ayrioddiy yuqori kuchlanishni oshirish xususiyatlari tufayli juda keng tarqalgan emas. Uning kirish xarakteristikalari to`g` ridan to`g`ri yo`naltirilgan diodni, chiqish xususiyatlari esa yoritilgan fotodiotni ifoydalaydi.
Shuningdek ushbu turdagi bipolyar tranzistor konfiguratsiyasi chiqishning kirish qarshiligining yuqori nisbatiga ega yoki undan ham muhimi ''yuk'' qarshiligi va '' ko`rish '' qarshiligi unga “qarshilik kuchayishi’’ qiymatini beradi. Shunday qilib umumiy tayanch konfiguratsiyasi uchun kuchlanish kuchayishi ( ) quyidagicha beriladi.
Bu yerda : – joriy kuchlanish, alfa va - qarshilik kuchayishi.
Yakuniy tranzistor kuchaytirgich konfiguratsiyasi quyidagi sxema biz o`rganishimiz kerak bo`lgan umumiy tayanch kuchaytirgichlar. Ushbu konfiguratsiya boshqa ikkitasiga qaraganda murakkabroq va uning g`alati operatsion xususiyatlari tufayli kamroq tarqalgan.
Umumiy asosli kuchaytirgich
Ikki metall plastina va ular orasida izolator (dielektrik – o‘zidan tok o‘tkazmaydigan modda) bo‘lsa va o‘zida elektr zaryadini to‘play olsa, bunday qurilma kondensator (F) bilan belgilangan. Radioelektron qurilmalarda faradning milliondan biri – mikrofarad (mkF) sig‘im birligi qo‘llaniladi. Bir farad 1000000 mkFga, ya’ni 1 mkF =0, 000001F ga teng, 1 mkF = 1 000000 Pfga, ya’ni 1Pf = 0, 000001mkF ga teng. Pikofarad – pF, nanofarad – nF, mikrofarad – mkF deb belgilanadi.
Kondensatorlarni multi-tester o‘lchov asbobida tekshirish uchun tester shchuplarini kondensator oyoqchalariga tegizamiz. Multi-testerning shkala ko‘rsatkichi qo‘zg‘alib, 100 E ga borib yana 0 gacha qaytadi, shchuplarning o‘rnini o‘zgartirib kondensator oyoqchalariga tegizamiz, multi-tester shkala ko‘rsatkichi qo‘zg‘alib boradi va 0 gacha qaytadi, bu kondensator ishlayotgan bo‘ladi.
Kondensator sig‘imiga qarab multi-testerdagi vaziyatlar kaliti o‘zgartiriladi. X1, X10, X1K, X10K. Kondensator sig‘imi qancha katta bo‘lsa, vaziyatlar kaliti kamaytirib boriladi
(kondensator oyoqchalariga shchupni tegizganda qo‘zg‘almasa, u kondensator uzilgan, shkala ko‘rsatkichi borib-qaytmasa yoki 0 gacha qaytmasa, u kondensator ishdan chiqqan bo‘ladi).
Kondensatorning aniq sig‘imini tekshirish uchun multi-tester kifoya qilmaydi.
Kondensator sig‘imi RCL raqamli o‘lchov asbobi bilan tekshiriladi.
|
