p-n o `tish VAX to`g`ri shaxobchasi bilan o`xshashligi (2.14) dan ko`rinib turibdi. Chastota ortishi bilan diffuziya sig`im kamayadi. 3




Download 449,33 Kb.
bet6/33
Sana05.06.2024
Hajmi449,33 Kb.
#260458
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   33
Bog'liq
«Kompyuterning fizik asoslari» fanidan yakuniy nazorat Variant

p-n o `tish VAX to`g`ri shaxobchasi bilan o`xshashligi (2.14) dan ko`rinib turibdi. Chastota ortishi bilan diffuziya sig`im kamayadi.
3.Elektron-kovak o`tish qo`sh elektr qatlamni tashkil etadi va zaryadlangan kondensatorga o`xshaydi. p-n o`tish sig`imi o`tish yuzasi C, uning kengligj va yarim o`tkazgichning dielektrik doimiysi ε bilan aniqlanadi. U barer sig`im deb ataladi va quyidagi ifoda bilan
aniqlanadi:

(2.15)
p-n o`tishga kuchlanish berilganda uning qalinligi o`zgargani sababi sig`imi ham o`zgaradi. Sig`imning kuchlanish qiymatiga bogliqligi quyidagicha bo`ladi:

(2.16)
Bu ifodada p-n o `tish to`g`ri ulanganda ishora manfiy, teskari ulanganda esa - musbat olinadi. Barer sig`im p-n o`tishga berilgan kuchlanish qiymatiga bog`liq bo`lgani sababli, undan o`zgaruvchan sig`imli kondensator sifatida foydalanish mumkin.



  1. Bipolyar taranzistorlarning umumiy emitterli ulanish sxemasida chiqish satatik xarakteristikasi



BT larda ikki turdagi elektr teshilishlar kuzatiladi: birlamchi va ikkilamchi. Birlamchi teshilish odatda tranzistor kuchaytirgich rejimida ishlaganda kuzatiladi va kollektor-baza yoki kollektor-emitter kuchlanish ma’lum bo‘sag‘aviy kuchlanishdan ortganda, kollektor (emitter) tokining keskin ortishi bilan belgilanadi. Ikkilamchi teshilish tranzistorning impuls yoki kalit rejimida kuzatiladi va o‘zini kollektor-emitter kuchlanish bir vaqtda keskin pasayganda kollektor toki keskin oshishi bilan namoyon qiladi. Bunday teshilish natijasida tranzistor asosidagi elektron kalit boshqarilmaydigan bo'lib qoladi va uni bu holatdan chiqarib bo‘lmaydi.UE ulangan tranzistorning statik chiqish xarakteristikalarida birlamchi va ikkilamchi teshilish sohalari 4-rasmda ko‘rsatilgan. Birlamchi teshilish sodir bo‘lish mexanizmi va rivojlanishi yetarlicha sodda. U boshlanishining birinchi sababi, teskari siljitilgan KO‘ da zaryad tashuvchilarning ko‘chkili ko ‘payishi bilan bog‘liq. Zaryadlarning ko‘chkili ko‘payishi, kollektorga berilgan teskari kuchlanish qiymati, bo‘sag‘aviy kuchlanishdan katta bo‘lganda boshlanadi.
Teshilishning rivojlanishiga kollektoming xususiy toki bilan emitter toki orasida musbat teskari aloqa mavjudligi yordam beradi. KO‘ da kuchlanish (kollektor zanjiridagi qarshilikda kuchlanish tushishi natijasida) kam ayishiga qaram asdan kollektor toki (chiqish xarakteristikalarda manfiy differensial qarshilikli sohalar) ortib boradi.



4-rasm. Tranzistorning chiqish xarakteristikalarida birlamchi va ikkilamchi teshilish sohalari.



Download 449,33 Kb.
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   33




Download 449,33 Kb.

Bosh sahifa
Aloqalar

    Bosh sahifa



p-n o `tish VAX to`g`ri shaxobchasi bilan o`xshashligi (2.14) dan ko`rinib turibdi. Chastota ortishi bilan diffuziya sig`im kamayadi. 3

Download 449,33 Kb.