|
Labaratoriya ishi №1 Mavzu: Yorug’lik diodlarining volt-amper xarakteristikasi Tajriba maqsadi
|
| bet | 5/6 | | Sana | 05.12.2023 | | Hajmi | 246,57 Kb. | | #111660 |
Bog'liq 1-3 labaratoriya ishiTranzistor NPN, BD 137
1-jadval: baza-emitter o’tish.
Baza
B
|
Emitter
E
|
Tok
|
U BE
|
IB
|
V
|
mA
|
+
|
-
|
Bor
|
0,7
|
5
|
-
|
+
|
yo’q
|
2
|
0
|
2-jadval: baza-kollektor o’tish.
Baza
B
|
Kollektor
C
|
Tok
|
U BK
|
IB
|
V
|
mA
|
+
|
-
|
Bor
|
0,7
|
5
|
-
|
+
|
yo’q
|
2
|
0
|
3-jadval. Kollektor-emitter o’tish.
Kollektor
C
|
Emitter
E
|
Tok
|
UKE
|
Ic
|
V
|
mA
|
+
|
-
|
yo’q
|
2
|
0
|
-
|
+
|
yo’q
|
2
|
0
|
Natijalar tahlili
Tranzistorning baza-kollektor va baza-emitter o’tishlari diodlar kabi ishlaydi va ular ishlashi o’xshashdir. Bu holat 2-rasmda n-p-n va p-n-p tranzistorlar uchun ko’rsatilgan.
:
Ahar n-p-n tranzistor bazasiga musbat qutb ulansa ikkala baza-kollektor va baza-emitter o’tishlar ham tok o’tkazadi.
Agar p-n-p tranzistor bazasiga manfiy ta’minlash qutbi ulansa ikkala baza-kollektor va baza-emitter o’tishlar ham tok o’tkazadi
PNP-Tranzistor BD 138
4-jadval: Baza-emitter o’tish.
Baza
B
|
Emitter
E
|
Tok
|
U BE
|
IB
|
V
|
mA
|
+
|
-
|
yo’q
|
2
|
0
|
-
|
+
|
Bor
|
0,7
|
5
|
5-jadval: Baza-kollektor o’tish.
Baza
B
|
Kollektor
C
|
Tok
|
U Bc
|
IB
|
V
|
mA
|
+
|
-
|
yo’q
|
2
|
0
|
-
|
+
|
Bor
|
0,7
|
5
|
6-jadval: Kollektor-emitter o’tish.
Kollektor
C
|
Emitter
E
|
Tok
|
U KE
|
Ic
|
V
|
mA
|
+
|
-
|
yo’q
|
2
|
0
|
-
|
+
|
yo’q
|
2
|
0
|
Sinov savollari :
1. Tranzistor deb nimaga aytiladi
2. Baza deb nimaga aytiladi
3. Kollektr o’tish va emitter o’tishlarni tushuntiring
4. Tranzistorni VAX ga nimalar kiradi
Labaratoriya ishi №3
Mavzu:Tranzistorli kalit
Tajriba maqsadi
Tranzistorni elektron kalit sifatida ishlashiti o’rganish.
Kuchlanish bo’lgichlar yordamida kalit ishchi nuqtasini o’rnattish.
O’zgaruvchan qarshiliklar (LDR va PTC) yordamida kalitnig ochilish nuqtasini o’rnatish
Kerakli asbob-uskunakar: Rastrli panel DIN A4 , Tranzistor BD 137, NPN, , Bir qutbli qayta ulagich , E 10 lampa patroni, 10 ta lampalar majmui, 12 V/3 W, Rezistor 1kOm, 1.4 W, 5 %, O’zgaruvchan qarshilik 10 kOm, 1 W, Fotorezistor LDR 05, Termorezistor 30 Q, 1 Qizdirish elementi, 100 Q, 2 W,10 ta qisqa ulash simlari, Ta’minlash manbai DC 0...+/- 15 V, Multimetr LDanalog , Juft kabel, 50 sm, qizil va ko’k.
Nazariy qism: BT da yasalgan sodda kalit sxemasi 1 – rasmda keltirilgan. Yuklama qarshiligi RK emitteri umumiy shinaga ulangan tranzistorning kollektor zanjiriga ulangan. Kalit ikkita turg‘un holatga ega bo‘lishi kerak: ochiq va berk.
Ochiq kalit holatiga tranzistorning to‘yinish yoki aktiv ish rejimi, berk holatga esa - berkilish rejimi mos keladi.
Agar tranzistor bazasiga manfiy kuchlanish berilsa (UKIR0V), u holda emitter va kollektor o‘tishlar teskari yo‘nalishda ulangan bo‘ladi, ya’ni berk holatda bo‘ladi. Bu vaqtda tranzistor kollektor tokining berkilish rejimida ishlaydi va kalit uzilgan holatda bo‘ladi. Berkilish rejimida tranzistor toklari mos ravishda
, , (1) .
Natijada tranzistor kollektoridagi kuchlanish
, (mantiqiy bir U1) (2),
bo‘lib, yuklamaning manbadan uzilgan holatiga mos keladi (kalit uzilgan).
Baza zanjirida RB rezistor mavjud bo‘lganda tranzistor baza kuchlanishi
(3)
1 – rasm.
Zanjir chizmasi 1-rasmda kletirilgan.
Ta’minlash manbaini ulang va kuchlanishni 9 V qilib o’rnating.
Zanjirga cho’g’lanma lampa o’rnating va uni kuzating.
IB baza hamda IC kollektor toki, UBE baza va UCE kollektor kuchlanishlarini o’lchang.
Bazadagi qarshilik qiymatini o’zgartirgandan keyin o’lchashlarni yana takrorlang.
Yuqori temperaturalarda kalit IK0 qiymati keskin ortadi va natijada emitter o‘tishdagi kuchlanish ham ortadi. Shu sababli berkilish rejimida tranzistor normal ishlashi uchun quyidagi shart bajarilishi kerak
(4) ,
bu yerda UBO‘S – emitter o‘tishdagi musbat kuchlanish UBE bo‘lib, ushbu qiymat ortsa tranzistor berk rejimdan aktiv rejimga o‘tadi, ya’ni ochiladi.
Integral texnologiyada bajarilgan kremniyli tranzistorlar uchun UBO‘S=0,50,6 V.
Agar UKIR=0, u holda (4) shart quyidagicha qayta yoziladi.
(5) .
UBO‘S=0,6 V va IK0=1mkA deb faraz qilsak, u holda RB.max=0,6 MOm ga teng bo‘ladi.
Kirishga UKIR0,7 V (mantiqiy bir U1) kuchlanish berilsa tranzistor aktiv yoki to‘yinish rejimida ishlaydi (kalit ulangan).
Kalit rejimda tranzistorning aktiv ish rejimi ma’qullanmaydi, chunki yuklamadagi tok faqat yuklama RK va manba kuchlanishi YeM kattaligi bilan emas, balki tranzistordagi kuchlanish pasayishi UKE bilan ham aniqlanadi,
(6) , ya’ni tranzistor xossalariga (parametrlarning o‘zgarishi va ularning temperaturaga bog‘liqligi) ham bog‘liq bo‘ladi. Bundan tashqari, aktiv rejimda tranzistorda qo‘shimcha quvvat sochiladi, sxemaning FIK kamayadi.
Integral texnologiyada bajarilgan kremniyli tranzistorlar uchun to‘yinish rejimida UChIQ=UKE0,25 V (mantiqiy nol U0). Analog sxemalarda alohida kalitlar qo‘llaniladi. Raqamli sxemalarda esa kalitli zanjirlar qo‘llaniladi. Bunday zanjirlarda har bir kalitni o‘zidan oldingi kalit boshqaradi va o‘z navbatida bu kalitning o‘zi keyingi kalit uchun boshqaruvchi hisoblanadi. Demak, agar oldingi kalitda tranzistor to‘yinish rejimi bo‘lsa, u holda bu kalit keyingi kalitni qayta ulashi mumkin emas.
Shunday qilib, agar kalit kirishiga mantiqiy nol potensiali berilsa, u holda uning chiqishida mantiqiy birga mos potensial hosil bo‘ladi va aksincha, ya’ni bunday kalit invers sxema hisoblanadi va invertor deb ataladi.
Asosiy dinamik parametrlaridan biri bo‘lib, sxemaning ulanish va uzilish vaqtidagi qayta ulanish jarayonlari bilan aniqlanadigan tezkorligi hisoblanadi. Sxema chiqishidagi kuchlanishning bo‘sag‘aviy qiymati, kirish signalini U0 dan U1 ga o‘zgartirganda ma’lum t1K vaqtiga, U1 dan U0 ga o‘zagtirganda t0K vaqtiga kechikadi. Kechikishlarga tranzistorlar qayta zaryadlanish sig‘imi va yuklama sabab bo‘ladi. Sxema tezkorligi o‘rtacha kechikish vaqti bilan aniqlanadi
.
Sxema iste’mol qilayongan tok ortsa, sig‘imlarning katta qayta zaryadlanish tezligi hisobiga qayta ulanish vaqti ortadi. Lekin bu vaqtda sxemaning iste’mol quvvati ortadi. Shu sababli o‘rtacha kechikish vaqti qayta ulanish ishi AQ=RtK deb ataluvchi kattalik bilan aniqlanadi. Zamonaviy IMSlar uchun Aq=10-12-10-14 Dj.
Kalit elementi sifatida odatda kanali induksiyalanuvchi MDYa – tranzistorlar qo‘llaniladi, chunki ularda UZI nolga teng bo‘lganda uzilgan kalit holati ta’minlanadi (tranzistor berk).
Ishni bajarish tartibi:
Mazkur tajribada soda zanjirda tranzistor kalit sifatida qo’llanilgan. Buning uchun tranzistorning baza-emitter o’tishi IV toki bilan boshqarilishi lozim. Bu jrayonni indikator lampalar ko’rsatib turadi.
Tranzistorning tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsiyenti quyidagi ifoda bilan aniqlanadi:
Tajribaning birinchi qismida kalitni baza toki bilan ochish o’rganiladi. Tashqi maydon yo’nalishi baza-emitter yo’nalishi bo’yicha to’g’ri o’tishga mos kelgani uchun bu yo’nalishda tok o’tadi. Kollektor-emitter qarshiligi eng kichik qiymatda bo’lgani uchun bu yo’nalishda kuchlanishlar tushuvi juda kichik bo’ladi.
Tajribaning ikkinchi qismida o’zgaruvchan qarshilik bilan kalit ishchi nuqtasini topamiz. O’zgaruvchan qarshilik va fototranzistorlar birgalikda kuchlanish taqsimlagichini tashkil qiladilar. UBE kuchlanish shunday tanlanganki kuchlanishning bu qiymatida tranzistor baza-emitter yo’nalishi bo’yicha yopiq. Fotorezistorga kuchsiz yorug’lik tushganida fotorezistor qarshiligi va bazadagi kuchlanish ortadi. Bu o’z navbatida kalitning ochilishiga va tranzistor va indikaor orqali tok o’tishiga olib keladi.
Tajribaning uchunchi qismida termorezistordan (musbat harorat koeffitsiyentli termorezistor) foydalanamiz.
O’rganilayotgan zanjirlar turli avtomatik qayta ulagichlar va ikki kaskadli rostlagichlarda qo’llaniladi. Shu usulda tranzistorlar induktiv (elektromagnit) relelar o’rnida qollanilishi mumkin.
|
| |
