225
Ga (CH
3
)
3
+ AsH
2
→ GaAs + 3CH
4
(7.11)
Zn(C
2
H
5
)
3
+ PH
3
→ ZnP + 3C
2
H
5
(7.12)
Al(CH
3
) + AsH
3
→ AlAs + 3CH
4
(7.13)
bu 3la reaksiyadan ko’rinib turibdiki asosan 2 komponentli
tizim hosil qilish
mumkin ekan. Bunda metallar organik birikmaning yoki metalloid vodorod,
birikmalarining qay biri ko’p qay biri ozligi katta ahamiyatga bo’lmasligi mumkin,
ammo metallar organik birikmalarning parsial bosimi vodorodli birikmaning
parsial bosimning 5·10 marta katta qilib olinsa plyonkalar juda silliq va bir xil
tuzdagi ideal molekulalarga yaqin bo’lgan mahsulot olish mumkin 3 yoki 4 undan
ortiq komponentli birikmalar hosil qilishda yuzaga kelib reaksiyaga kuzatilayotgan
moddalarning miqdori hosil bo’layotgan birikmaning
tarkibiga ulardagi
konsentratsion nisbatlarga juda katta ta’sir etadi. 3 va 4 komponentli sistemalar
hosil qilishda quyidagi reaksiyalarni amalga oshirish zarur.
(1-x)Ga(CH
3
)
3
+ xAl(CH
3
)
3
+ AlH
3
→ Ga(1-x)AlxAs
(7.14)
(1-x)Ga(C
2
H
5
)
3
+ xZn(C
2
H
5
)
3
+ yPH
3
+ (1-y)AsH
3
→Ga1-x Zn As1-y Ry (7.15)
Plyonka otish jarayonida ularni kerak aralashma bilan legirlash mumkin.
Buning uchun chegaralovchi material bug’ga aylantiriladi va asosiy
komponentlarining bug’lariga aralashtiriladi. Metallar organik birikmalarning gaz
fazali epitaksiya usuli bilan olingan material 10 g quyidagicha ishlatiladi.
1.GaAlAs / GaAs gidro tizimi asosida kvant orqali lazerlar olishda.
2.Moddellashtirib legirlangan GaAlAs / GaAs gidro tizimlarini olishda.
3.Bir 1-3mkm to’lqin uzunligidan kichik bo’lgan
kichik tok zichligida
ishlaydigan gidro lazerlar olishda.
4.GaZnAs / ZnP gidro tizimli chegarasida 2 o’chamli elektron gazini olishda
hamda kvant koordinatali gidro tizimlar olishda keng qo’llaniladi.
226
Bоshqа turdаgi yarim o’tkazgich vа dielеktrik plyonkаlаr аsоsidа
nаnоmаtеriаllаr hоsil qilish. CdS, CaF
2
, SiO
2
lаrning yuzа qаtlаmlаridа
nаnоplyonkаlаr hоsil qilish.
Hozirgi zamon texnologiyasida ayniqsa mikro va nanoelektronika sohalarida
flyuortli nanoplyonkalar katta ahamiyatga egadir. Flyuortga GaF
2
va BaF
2
lar
misol bo’ladi. Bu plyonkalarni hosil qilishni bir qancha usullari mavjud. Shulardan
biri ion implantatsiyasi usuli orqalidir.
7.6– jadval
CaF
2
/Si (111) tarkibiy hususiyatini quyidagi jadvalda berilgan
Plyon
-kalar
Tarkibi
At %
℮φ
(eV)
E
ar
eV
ev
E
g
ev
eV
hw
v
eV
A
A°
n
Z %
Me
F O
CaF
2
33
65 2
4.2
3.6
va
3.7
13
12.1
(9.1)
1
20.5
5.45 1.45
8
SrF
2
32
65 2
-
-
11.8 10.8
1
16.7
5.8
1.48
-
BaF
2
34
64 2
-
-
11.2 10.2
1
18.5
6.2
1.46
-
Bunday nanoplyonkalar hosil
qilish uchun energiyasi E
0
=0.5 ÷ 10 keV
dozasi D=10
14
÷10
17
sm
-2
va 10
-8
mm.simob ustida yuqori vakum sharoitida
tajribalar o’tkazilgan.
E
ar
-aralashmani darajasidagi energiyasi;
hw
s
va hw
v
–quyi qismidagi energiya va plazma yuzadagi tebranish;
n- konsentratsiya;
%- foiz;
E
g
- taqiqlangan soha kengligini energiyasi.
Tajriba jarayonida Ar
+
va Ba+, Sr+ ionlari bilan CaF
2
tasirini dozada
energiya bo’yicha bog’liqligi quyidagi tasvirda ko’rsatilgan.
227
Chizmalardan ko’rinib turibdiki sirtdagi konsentratsiyasi
miqdori nurlanish
dozasi ortishi bilan o’zgarib borar ekan. Bunda F kamayib Ca ortar ekan, chunki
Ar CaF
2
ta’sir etishi natijasida F ni urub chiqaradi.Ya’ni quyidagicha plyonka
hosil bo’ladi. 7.16 – rasm:
Bunda kalsiy (Ca) 5÷6 Å qalinlikda (2-3 monoqatlam)
plyonkasi hosil bo’ladi. Bu kalsiy (Ca) qatlami CaF
2
qatlami bilan panjara tuzilishi
bilan yaqin bo’lgani uchun plyonka xossasini saqlab qoladi va aksincha kalsiy (Ca)
nanoqatlam mavjudligi bu nanostrukturali plyonkaligi ahamiyatlidir. 0.3 eV gacha
deyarli o’zgarmaydi 0.3÷0.5 eV atrofida esa birdaniga miqdori ortib ketyabdi 1÷4
keV gacha 5 dan katta esa deyarli o’zgarmaydi.
7.16-rasm. Ar
+
ionlari bilan CaF
2
tasirini har xil do’zada va energiya bo’yicha
bog’liqligi
