|
Kanali qurilgan MDYa – tranzistor
|
| bet | 4/10 | | Sana | 17.05.2024 | | Hajmi | 177,6 Kb. | | #240731 |
Bog'liq Mavzu mdya-tranzistorlarning volt-amper xarakteristikalari va p Kanali qurilgan MDYa – tranzistor
–rasmda n – turdagi kanali qurilgan MDYa tranzistor tuzilmasi (a) va uning shartli belgisi (b) keltirilgan.
Agar UZI = 0 bo‗lganda USI kuchlanish o‗rnatilsa, u holda kanal orqali elektronlar hisobiga tok oqib o‗tadi. Zatvorga istokka nisbatan manfiy kuchlanish berilsa, kanalda ko‗ndalang elektr maydon yuzaga keladi va uning ta‘sirida kanaldan elektronlar itarib chiqariladilar. Kanal elektronlar bilan kambag‗allashib boradi, uning qarshiligi ortadi va stok toki kamayadi. Zatvordagi manfiy kulchlanish qancha katta bo‗lsa, bu tok shuncha kichik bo‗ladi. Tranzistorning bunday rejimi kabag‘allashish rejimi deb ataladi.
Boyish rejimida stok xarakteristikalari UZI = 0 da olingan boshlang‗ich xarakteristikadan - yuqorida, kambag‗allashish rejimida esa – pastda joylashadi (34 b- rasm).
a) b)
– rasm.
S, Ri va statik differensial parametrlar xuddi p–n –o‗tish bilan
boshqariladigan maydoniy tranzistorlardagi (3.14), (3.15) va (3.16) ifodalardan mos ravishda aniqlanadi.
Xarakteristika tikligi va ichki qarshilik barcha turdagi maydoniy tranzistorlardagi kabi qiymatlarga ega bo‗ladi. Kirish qarshiligi va elektrodlararo sig‗imlarga kelsak, MDYa – tranzistorlar p-n o‗tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardagiga nisbatan yaxshi ko‗rsatkichlarga ega. RZI kirish qarshiligi bir necha darajaga yuqori bo‗lib 1012-1015 Om ni tashkil etadi.
Elektrodlararo sig‗imlar qiymati SZI, SSI lar uchun -10 pF dan, SZS uchun -2 pF dan ortmaydi. Bu ko‗rsatkichlar tranzistor inersiyasini belgilaydilar.
|
| |
