• Maydoniy transistor.
  • Mavzu: mdya-tranzistorlarning parametrlarining ish rejimlariga hamda temperaturaga bog‘liqligi. Reja




    Download 177,6 Kb.
    bet1/10
    Sana17.05.2024
    Hajmi177,6 Kb.
    #240731
      1   2   3   4   5   6   7   8   9   10
    Bog'liq
    Mavzu mdya-tranzistorlarning volt-amper xarakteristikalari va p






    Mavzu: MDYa-tranzistorlarning parametrlarining ish rejimlariga hamda temperaturaga bog‘liqligi.
    Reja:
    1. Maydoniy transistorlar
    2. Maydoniy tranzistorni statik xarakteristikalari va asosiy parametrlari.
    3. Kanali induksiyalangan MDYa – tranzistor
    4. Maydoniy tranzistorlarda yasalgan kuchaytirgichlar
    5. Xulosa
    Maydoniy transistor. Maydoniy tranzistor (MT) deb, tok kuchi qiymatini boshqarish ychun o’tkazuvchi kanaldagi elektr o’tkazuvchanligikni o’zgartirish hisobiga elektr maydon o’zgarishi bilan boshqariladigan yarim o’tkazgichli aktiv asbobga aytiladi.
    Maydoniy tranzistorlar turli elektr signallar va quvvatni kuchaytirish uchun mo’ljallangan. Maydoniy tranzistorlarda bipolyar tranzistorlardan farqli ravishda tok tashkil bo’lishida faqat bir turdagi zaryad tashuvchilar ishtirok etadi: yoki elektronlar, yoki kovaklar. Shuning uchun ular yana unipolyar tranzistorlar deb ham ataladi.
    Maydoniy tranzistorlarning tuzilishi va kanal o‗tkazuvchanligiga ko‗ra ikki turi mavjud: p–n o‗tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor hamda metall – dielektrik – yarim o‗tkazgichli (MDYa) tuzilishga ega bo‗lgan zatvori izolyatsiyalangan maydoniy tranzistorlar. Ular MDYa- tranzistorlar deb ham ataladilar.


    p–n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor. 27 – rasmda nkanalli p–n o‗tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorning tuzilishining qirqimi (a) va uning shartli belgisi (b) keltirilgan.




    1. b)




    1. – rasm.



    n–turdagi soha kanal deb ataladi. Kanalga zaryad tashuvchilar kiritiladigan kontakt istok (I); zaryad tashuvchilar chiqib ketadigan kontakt stok (S) deb ataladi. Zatvor


    (Z) boshqaruvchi elektrod hisoblanadi. Zatvor va istok oralig‗iga kuchlanish berilganda yuzaga keladigan elektr maydoni kanal o’tkazuvchanligini, natijada kanaldan oqib o’tayotgan tokni o’zgartiradi. Zatvor sifatida kanalga nisbatan o’tkazuvchanligi teskari turdagi soha qo’llaniladi. Ishchi rejimda u teskari ulangan bo’lib kanal bilan p n o’tish hosil qiladi.
    Berilgan qutblanishda zatvor va istok oralig‗iga tashqi kuchlanish berilsa UZI p–n o‗tish teskari yo‗nalishda siljiydi, kanal tomonga kengayadi, natijada kanal uzunligi bo‗ylab kanalning ko‗ndalang kesim yuzasi bir tekis torayadi. Kanal qarshiligi ortadi, lekin chiqish toki IS = 0 bo‗ladi, chunki USI=0 (28 a - rasm).
    Agar istok va stok oralig‗iga kuchlanish manbai ulansa, u holda kanal bo‗ylab istokdan stok tomonga elektronlar dreyfi boshlanadi, ya‘ni kanal orqali stok toki IS oqib o‗ta boshlaydi. Kuchlanish manbai USI ning ulanishi p–n o‗tish kengligiga ham ta‘sir ko‗rsatadi, chunki o‗tish kuchlanishi kanal uzunligi bo‗ylab turlicha bo‗ladi. Kanal potensiali uning uzunligi bo‗ylab o‗zgaradi: istok potensiali nolga teng bo‗lib, stok tomonga ortib boradi, stok potensiali esa USI ga teng bo‗ladi. P–n o‗tishdagi teskari kuchlanish istok yaqinida
    U ЗИ
    ga, stok yaqinida esa teng bo‗ladi. Natijada o‗tish kengligi stok tomonda kattaroq bo‗lib, kanal kesimi stok tomoga kamayib boradi (28. b -rasm).

    a) b)

    1. –rasm.




      1. Download 177,6 Kb.
      1   2   3   4   5   6   7   8   9   10




    Download 177,6 Kb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Mavzu: mdya-tranzistorlarning parametrlarining ish rejimlariga hamda temperaturaga bog‘liqligi. Reja

    Download 177,6 Kb.