Mavzu: ttm va ttmsh markalanishi va xarakteristikasi. Reja muhammad al-xorazmiy




Download 20,83 Kb.
bet2/3
Sana20.05.2024
Hajmi20,83 Kb.
#245909
1   2   3
Bog'liq
Mavzu ttm va ttmsh markalanishi va xarakteristikasi. Reja-fayllar.org

Sodda invertorli TTM ME sxemasi 
Axborotni qayta ishlash va saqlash vazifalarini bajaruvchi zamonaviy
mikroelektron apparatlarda turli integratsiya darajasiga ega bo’lgan IMSlar
ishlatiladi. Ayniqsa, KIS va O’KIS integratsiya darajasiga ega bo’lgan IMSlar
keng qo’llanilmoqda. TTM va EBM elementlari yuqori tezkorlikni ta’minlaydi,
ammo iste’mol quvvati va o’lchamlari katta bo’lganligi sababli, faqat kichik va
o’rta integratsiya darajasiga ega bo’lgan IMSlar yaratishdagina qo’llaniladi. 1962-
yilda planar texnologik jarayon asosida kremniy oksidili (SiO2) MDYA –
tranzistor yaratildi, keyinchalik esa uning asosida guruh usulida ishlab chiqarish
yo’lga qo’yildi. Integral BTlardan farqli ravishda bir turdagi MDYA integral
tranzistorlarda izolatsiyalovchi cho’ntaklar hosil qilish talab etilmaydi. Shuning
uchun, bir xil murakkablikka ega bo’lganda, MDYA – tranzistorli IMSlar BTlarga
nisbatan kristallda kichik o’lchamlarga ega va yasalish texnologiyasi sodda
bo„ladi. Kremniy oksidili MDYA ISlarning asosiy kamchiligi – tezkorlikning
kichikligidir. Yana bir kamchiligi – kata iste’mol kuchlanishi bo’lib, u MDYA
ISlarni BT ISlar bilan muvofiqlashtirishni murakkablashtiradi. MDYA ISlar
asosan uncha kata bo’lmagan tezkorlikka ega bo’lgan va kichik tok iste’mol
qiladigan mantiqiy sxemalar va KISlar yaratishda qo’llaniladi. MDYA ISlarda eng
yuqori entegratsiya darajasiga erishilgan bo’lib, bir kristallda yuz minglab va
undan ko’p komponentlar joylashishi mumkin. MDYA – tranzistorli mantiq
(MDYATM) asosida yuklamasi MDYA–tranzistorlar asosida yaratilgan elektron


kalit – invertorlar yotadi. Sxemada passiv elementlarning ishlatilmasligi, IMSlar


tayyorlash texnologiyasini soddalashtiradi. Mantiqiy IMSlar tuzishda n– yoki p–
kanali induksiyalangan MDYA tranzistorlardan foydalanish mumkin. Ko’proq n–
kanalli tranzistorlar qo’llaniladi, chunki elektronlarning harakatchanligi
kovaklarnikiga nisbatan yuqori bo’lganligi sababli mantiqiy IMSlarning yuqori
tezkorligi ta’minlanadi. Bundan tashqari, n–MDYATM sxemalar kuchlanish
nominali va mantiqiy 0 va 1 sathlari bo’yicha TTM sxemalar bilan t o’liq m
uvofiqlikka ega.
Element ikkita mantiqiy kirishga ega bo‘lib, u ko‘p emitterli tranzistor (KET)
asosida hosil qilingan tok qayta ulagichi va VT1 tranzistorli elektron kalit
(invertor)dan tuzilgan.
KET TTM turdagi MElarning o‘ziga xos komponentasi hisoblanadi. U umumiy
baza va umumiy kollektorga ega bo‘lgan tranzistorli tuzilmadir.
Standart sxemalarda kirishlar (emitterlar) soni KBIRL≤8. TTM elementlar
tarkibidagi KET invers rejimda yoki to‘yinish rejimda ishlashi mumkin.
Sxemaning statik rejimini tahlil qilishda quyidagi soddalashtirishlar qabul qilingan,
agar:
- p-n o‘tish orqali to‘g‘ri tok oqib o‘tayotgan bo‘lsa, u holda o‘tish ochiq va undagi
kuchlanish U*=0,7 V;
- p-n o‘tish kuchlanishi teskari, yoki U* dan kichik bo‘lsa, u holda o‘tish berk va
oqib o‘tayotgan tok nolga teng;
- tranzistor to‘yinish rejimida bo‘lsa, u holda kollektor – emitter oralig‘idagi
kuchlanish U*KE.TO’Y=0,3 ÷ 0,4 V.

Invertorlar global miqyosda muhim ro’l o'ynaydi, chunki u uzluksiz elektr


ta'minotini ta'minlaydi va odamlarga energiya talablarini qondirishga yordam
beradi. Siz ishlab chiqaruvchi tomonidan ishlab chiqarilgan tayyor inverterni
ishlatgan bo'lishingiz mumkin, ammo o'zingiz buni qanday qilishingiz mumkin.
Ushbu maqolada tranzistorlar va transformatorlar kabi ba'zi asosiy elektron
komponentlar yordamida 12 vattni 120 vattga aylantiradigan tranzistor yordamida
oddiy inverter sxemasini qanday qilish kerakligi tasvirlangan.







Download 20,83 Kb.
1   2   3




Download 20,83 Kb.

Bosh sahifa
Aloqalar

    Bosh sahifa



Mavzu: ttm va ttmsh markalanishi va xarakteristikasi. Reja muhammad al-xorazmiy

Download 20,83 Kb.