Mdya tranzistorida yasalgan mantiqiy elementlar

Mantiqiy IMSlar tuzishda n – yoki p – kanali induksiyalangan MDYA – tranzistorlardan foydalanish mumkin. Ko‘proq n – kanalli tranzistorlar qo‘llaniladi, chunki elektronlarning harakatchanligi kovaklarnikiga nisbatan yuqori bo‘lganligi sababli mantiqiy IMSlarning yuqori tezkorligi ta’minlanadi. Bundan tashqari, n – MDYATM sxemalar kuchlanish nominali va mantiqiy 0 va 1 sathlari bo‘yicha TTM sxemalar bilan to‘liq muvofiqlikka ega.

• Mantiqiy IMSlar tuzishda n – yoki p – kanali induksiyalangan MDYA – tranzistorlardan foydalanish mumkin. Ko‘proq n – kanalli tranzistorlar qo‘llaniladi, chunki elektronlarning harakatchanligi kovaklarnikiga nisbatan yuqori bo‘lganligi sababli mantiqiy IMSlarning yuqori tezkorligi ta’minlanadi. Bundan tashqari, n – MDYATM sxemalar kuchlanish nominali va mantiqiy 0 va 1 sathlari bo‘yicha TTM sxemalar bilan to‘liq muvofiqlikka ega.

Bir turdagi MDYa – tranzistorlarda yasalgan elementlar (n – MDYa). 1 – rasmda n – kanali induksiyalanuvchi MDYa – tranzistorlarda bajarilgan sxema keltirilgan.

• Bir turdagi MDYa – tranzistorlarda yasalgan elementlar (n – MDYa). 1 – rasmda n – kanali induksiyalanuvchi MDYa – tranzistorlarda bajarilgan sxema keltirilgan.

Yuklama tranzistori VT0 doim ochiq. Chiqishda juda kichik kuchlanish darajasi U0ChIQ ni ta’minlash maqsadida ochiq VT1 va VT2 tranzistorlarning kanal qarshiliklari VT0 tranzistor kanal qarshiligidan kichik bo‘lishi kerak. Shu sababli VT1 va VT2 tranzistorlar kanali qisqa va keng qilib, yuklamadagi tranzistor kanali esa - uzun va tor qilib yasaladi. Biror kirishga yoki ikkala kirishga mantiqiy bir darajasiga mos keluvchi musbat potensial berilsa, (U1KIRUBO‘S), bir yoki ikkala tranzistor ochiladi va chiqishda mantiqiy nol o‘rnatiladi (U0ChIQUBO‘S). Agar ikkala kirishga ham mantiqiy nol berilsa, u holda VT1 va VT2 tranzistorlar berkiladi. Chiqishdagi potensial mantiqiy birga mos keladi. Element 2YoKI –EMAS amalini bajaradi. Iste’mol quvvati 0,11,5 mVt, tezkorligi esa - 10100 ns ni tashkil etadi.

• Yuklama tranzistori VT0 doim ochiq. Chiqishda juda kichik kuchlanish darajasi U0ChIQ ni ta’minlash maqsadida ochiq VT1 va VT2 tranzistorlarning kanal qarshiliklari VT0 tranzistor kanal qarshiligidan kichik bo‘lishi kerak. Shu sababli VT1 va VT2 tranzistorlar kanali qisqa va keng qilib, yuklamadagi tranzistor kanali esa - uzun va tor qilib yasaladi. Biror kirishga yoki ikkala kirishga mantiqiy bir darajasiga mos keluvchi musbat potensial berilsa, (U1KIRUBO‘S), bir yoki ikkala tranzistor ochiladi va chiqishda mantiqiy nol o‘rnatiladi (U0ChIQUBO‘S). Agar ikkala kirishga ham mantiqiy nol berilsa, u holda VT1 va VT2 tranzistorlar berkiladi. Chiqishdagi potensial mantiqiy birga mos keladi. Element 2YoKI –EMAS amalini bajaradi. Iste’mol quvvati 0,11,5 mVt, tezkorligi esa - 10100 ns ni tashkil etadi.