kirishda R0 rezistorli ko‘p emitterli tranzistor (HAM mantiqiy amalini bajaradi)

kirishda R0 rezistorli ko‘p emitterli tranzistor (HAM mantiqiy amalini bajaradi);

• kirishda R0 rezistorli ko‘p emitterli tranzistor (HAM mantiqiy amalini bajaradi);
• R1 va R2 rezistorli VT1 tranzistorda bajarilgan faza kengaytirgich;
• VT2 va VT3 tranzistorlar, R3 rezistor va VD diodda bajarilgan ikki taktli chiqish kuchaytirgichi.

Bu sxema nisbatan kichik chiqish qarshilikka ega bo‘lib, yuklama sig‘imidagi qayta zaryadlanishni tezlashtiradi.

Sodda sxemadagi kabi, bu sxemada ham chiqishda U1 daraja olish uchun, KET biror kirishiga mantiqiy nol daraja berilishi kerak. Bu vaqtda VT1 va VT3 tranzistorlar berkiladi, VT1 kollektoridagi kuchlanish katta bo‘lganligi sababli VT2 ochiladi. SYu yuklama sig‘imi VT2 va diod VD orqali zaryadlanadi. R3 rezistor katta yuklanishdan saqlagan holda VT2 tranzistor orqali tokni cheklaydi.

KET barcha emitterlariga U1 daraja berilsa VT1 va VT3 tranzistorlar to‘yinadi, VT2 tranzistor esa deyarli berkiladi. SYu yuklama sig‘imi to‘yingan VT3 tranzistor orqali tez zaryadsizlanadi. TTM sxemalarni tezkorligini yanada oshirish maqsadida ularda diod va Shottki tranzistorlari qo‘llaniladi. Bu modifikatsiya TTMSh deb belgilanadi. Emitterlari bog‘langan mantiq elementi (EBM). EBM elementi (2 - rasm) DK kabi tok qayta ulagichi asosida bajariladi. Ikki mantiqiy kirishga ega bo‘lgan bir yelka ikki tranzistordan iborat bo‘ladi (VT1 va VT2), keyingi yelka esa - VT3 dan tashkil topadi.

Yuklama qobiliyatini oshirish va signal tarqalishi kechikishini kamaytirish maqsadida qayta ulagich VT4 tranzistorda bajarilgan emitter qaytargich bilan to‘ldirilgan. VT3 bazasiga Ye0 – tayanch kuchlanishi beriladi va bu bilan uning ochiq holati ta’minlanadi. Ixtiyoriy biror kirishga (yoki ikkala kirishga) mantiqiy birga mos keluvchi signal berilsa unga mos keluvchi tranzistor ochiladi, natijada I0 tok sxemaning o‘ng yelkasidan chap yelkasiga o‘tadi. VT4 tranzistor baza toki kamayadi va u berkiladi va chiqishda mantiqiy nolga mos potensial o‘rnatiladi. Agar ikkala kirishga mantiqiy nolga mos signal berilsa, u holda VT1 va VT2 tranzistorlar berkiladi, VT3 esa ochiladi. R1 orqali oqib o‘tayotgan tok VT4 tranzistorni ochadi va sxemaning chiqishida mantiqiy birga mos kuchlanish hosil bo‘ladi.

• Yuklama qobiliyatini oshirish va signal tarqalishi kechikishini kamaytirish maqsadida qayta ulagich VT4 tranzistorda bajarilgan emitter qaytargich bilan to‘ldirilgan. VT3 bazasiga Ye0 – tayanch kuchlanishi beriladi va bu bilan uning ochiq holati ta’minlanadi. Ixtiyoriy biror kirishga (yoki ikkala kirishga) mantiqiy birga mos keluvchi signal berilsa unga mos keluvchi tranzistor ochiladi, natijada I0 tok sxemaning o‘ng yelkasidan chap yelkasiga o‘tadi. VT4 tranzistor baza toki kamayadi va u berkiladi va chiqishda mantiqiy nolga mos potensial o‘rnatiladi. Agar ikkala kirishga mantiqiy nolga mos signal berilsa, u holda VT1 va VT2 tranzistorlar berkiladi, VT3 esa ochiladi. R1 orqali oqib o‘tayotgan tok VT4 tranzistorni ochadi va sxemaning chiqishida mantiqiy birga mos kuchlanish hosil bo‘ladi.
• Bu sxema 2YoKI-EMAS amalini bajaradi. Iste’mol quvvati 2050 mVt, tezkorligi esa 0,73 ns ni tashkil etadi.