|
Muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti elektronika va sxemalar 1
|
| bet | 2/2 | | Sana | 18.12.2023 | | Hajmi | 123,35 Kb. | | #122584 |
Bog'liq Maydoniy tranzistorlar volt-amper xarakteristikalari ularning ish rejimlariga hamda temperaturaga bog‘liqligi. Kichik Biznes va Xususiy tadbirkorlikni bandlikni taminlashdagi , pdf 20230125 163757 0000, 5-laboratoriya Ollonazar, ГРАФИК 2 чорак, 6-sinf mavzulashtirilgan test, Chegaralar tasviri. Arifmetik o‘zgartirish., Binova va inshootlar, \', IELTS Sample Essays, t p 2, Резюме, 1639667264, Ab, Reja Ishlab chiqarish xarajatlarining mohiyati, tarkibi va elem-fayllar.orgVolt-amper harakteristikasi — tokning elektr zanjir elementiga qoʻyilgan kuchlanishiga yoki elektr zanjir elementidagi kuchlanish tushishining element orqali oʻtayotgan elektr tokiga bogʻlanishini ifodalovchi grafik: l=f(U). V-a.x. asboblarning turiga qarab toʻgʻri chiziq yoki egri chiziq koʻrinishida boʻlishi mumkin. Agar element qarshiligi tok qiymatiga bogʻlliq boʻlmasa, V-a.x. koordinata boshi orqali oʻtuvchi toʻgʻri chiziqdan iborat boʻladi. V-a.x. yordamida asboblarning xususiyatlari toʻgʻrisida maʼlumotlar olish va ularning tegishli parametrlarini aniqlash mumkin. Elektron asboblarning qanday sxema va qurilmalarda ishlatilishi ularning V.-a.x.ga qarab belgilanadi.
Agar p-n o‘tishga to‘g‘ri kuchlanish berilgan bo‘lsa, U0 kuchlanish ishorasi –musbat, teskari kuchlanish berilgan bo‘lsa esa - manfiy bo‘ladi. UTUG 0,1 V bo‘lsa eksponentsial songa nisbatan birni hisobga olmasa ham bo‘ladi va kuchlanish ortishi bilan tok ham eksponentsial ortib boradi. Teskari kuchlanish berilganda esa -0,2 V kuchlanish qiymatida tok I0 qiymatiga yetib keladi va keyinchalik kuchlanish qiymati o‘zgarmaydi. I0 kattaligi shu sababli teskari ulangan p-n o‘tishning to‘yinish toki deb ham ataladi.
Teskari tok to‘g‘ri tokka nisbatan bir necha darajaga kichik, ya’ni p-n o‘tish to‘g‘ri yo‘nalishda tokni yaxshi o‘tkazadi, teskari yo‘nalishda esa yomon.
Demak, p-n o‘tish to‘g‘rilovchi harakat bilan xarakterlanadi va uni o‘zgaruvchi tokni to‘g‘rilashda qo‘llashga imkon beradi.
Eksponentsial tashkil etuvchi qaramay eqU0 / kT temperatura ortishi bilan kamayishiga VAX to‘g‘ri shaxobchasidagi qiyalik ortadi (11. b-rasm). Bu hodisa I0ni temperaturaga kuchli to‘g‘ri bog‘liqligi bilan tushuntiriladi. To‘g‘ri kuchlanish berilganda temperatura ortishi bilan tok ortishiga olib keladi. Amaliyotda p-n o‘tish VAXga temperaturaning bog‘liqligi kuchlanishning temperatura koeffitsienti (KTK) deb ataladigan kattalik bilan baholanadi. KTKni aniqlash uchun temperaturani o‘zgartirib borib, o‘zgarmas tokdagi p-n o‘tish kuchlanishini o‘zgarishi o‘lchab boriladi. Odatda KTK manfiy ishoraga ega, ya’ni temperatura ortishi bilan o‘tishdagi kuchlanish kamayadi. Kremniydan yasalgan p-n o‘tish uchun KTK 3 mV/grad darajani tashkil etadi.
Xulosa: Maydoniy tranzistor yoki unipolyar tranzistorlarning yaratilishi avstriya vengriyalik fizik Yuliy Edgar Lilienfild nomi bilan bogʻliq. U tokni boshqarishning yangi yoʻlini taklif qilgan. U taklif qilgan usulga koʻra, tok uzatish yoʻli boʻylab unga koʻndalang elektr maydon qoʻyiladi. Bu elektr maydon zaryad tashuvchilarga taʼsir qilib, oʻtkazuvchanlikning yoʻnalishini oʻzgartiradi. Maydoniy tranzistorlar sodda elektrostatik effektga asoslangan va unda kechadigan jarayonlar bipolyar tranzistorlarga qaraganda oddiy boʻlishiga qaramasdan toʻliq ish holatidagi maydoniy tranzistorlarni yasash uchun juda koʻp vaqt ketdi. 1920-yilda patentlangan va hozirda kompyuter sanoatining asosini tashkil etadigan birinchi MDS maydoniy tranzistor birinchi boʻlib 1960-yilda amerikalik olimlar Kang va Atallaning ishidan soʻng yaratilgan boʻlib, ular kremniy sirtini oksidlash orqali uning sirtida dielektrikining kremniy dioksidining juda yupqa qatlamini hosil qilishni taklif qildilar. Bu qatlam oʻtkazgich kanalidan metall zatvorni izolyatsiya qilish vazifasini bajarardi.
Foydalanilgan adabyotlar: Internet saxiyfalari:Vikipediya. Tranzistorlar
|
| |
