Mustaqil ish mavzu: Funksional elektronika. Fan: Elektronika va Sxemalar. Guruh: S911-22 Bajardi: :##############. Tekshirdi:##############. Urganch-2023 Reja

Download 463,22 Kb.
bet	4/4
Sana	01.12.2023
Hajmi	463,22 Kb.
	#109358

1 2 3 4

Bog'liq
Funksional elektronika

Foydanilgan adabiyotlar X.K. Aripov, A.M. Abdullayev, N.B. Alimova, J.T.Maxsudov, A.A.Tulyaganov., Sh.T. Toshmatov. “Elektronika va sxemotexnika”.
Радиоматериаллар ва радиокомпонентлар.

Magnito elektronika asboblari.
Magnitoelektron asboblarda ferromagnit materiallar ishlatiladi. Ular domen tuzilishga ega, ya’ni butun hajmi ko‘p sonli lokal sohalar — dom enlardan tashkil topadi. D om enlar to ‘yinguncha spontan m agnitlangan. U lar polosali, labirinsimon va silindrik shaklga ega bo‘lishi mumkin. Dom enning chiziqli o ‘lchamlari millimetrning minglarcha ulushidan o ‘nlarcha ulushiga teng.
Dom enlar o ‘zaro chegaradosh devorlar (Blox devorlari) bilan ajralib turadi. Bu devorlarda bitta dom en m agnitlanganlik vektoriga nisbatan asta o ‘zgarishlari sodir bo‘ladi. Magnitoelektronika asboblarida axborot signalini tashuvchi sifatida quyidagi dinamik birjinslimasliklarning biridan foydalaniladi: 1) silindrik shakldagi domenlar; 2) chiziqli dom enlarda vertikal Blox chiziqlar (VBCh). Q o‘shni VBChlar orasidagi masofa yetarli kichik, o‘lchami 0,5 mkm bo‘lgan chiziqli dom en devorida 100 bitgacha axborot saqlash mumkin; 3) ferromagnit materialning chastotasi kvant o‘tishlar chastotasiga teng yorug‘lik bilan yoritilganda hosil boMuvchi rezonanslar va to ‘lqinlar; 4) spin toMqinlari va boshqalarning kvant tebranishlarini aks ettiruvchi kvazizarrachalar — magnonlar.
Silindrik magnit domen (SM D )lar asosidagi funksional elektronika asboblarining tuzilish va ishlash prinsipi bilan tanishamiz. Barcha m agnitoelektron qurilm alarda dom enlar ishtirokidagi jarayonlar ishlatiladi, qurilmalarning o ‘zi esa ikkilik sanoq tizim ida aks ettirilgan axborotni qayta ishlash va saqlash uchun ishlatiladi. SM D m a’lum sharoitda umumiy formulasi RFeO, bo‘lgan monokristall plastinalar yoki ba’zi ferritlarning yupqa pardalarida hosil bo‘ladi. Agar formuladagi R — yer ishqoriy elem ent bo‘lsa, modda ortoferrit deb, agar ittriy bo‘lsa granat deb ataladi. Qalinligi h = 3T0_5-M T 0-3 smli ortoferrit plastina yoki granat pardasi tashqi magnit maydon mavjud bo'lmagan holda m agnitlanganlik vektorlari qaram a-qarshi yo‘nalgan chiziqli dom enlardan tuziladi.
Keltirilgan qalinliklarda dom enlar materialning butun ko‘ndalang kesimini egallaydi va turli shaklga ega bo‘ladi. Yettita chiziqli dom enga ega parda (kristal)ning bir qismi 13.21, a-rasm da ko‘rsatilgan.

Parda sirtiga tik yo‘nalgan tashqi magnit maydon NTASH ta ’sir etganda maydon vektori yo'nalishi tashqi m aydonniki bilan b ir xil dom enlar kattalashadi, maydon vektoriga teskari yo‘nalgan dom enlar esa kichiklashadi va tashqi magnit maydonning m a’lum qiymatida SM Dlarga aylanadi (13.21, b-rasm). Tashqi magnit maydon ortgan sari dom enlar diametri ular yo‘qolib ketgunicha kamayadi va parda bir tekis magnitlanadi, ya’ni bitta yaxlit domen hosil bo‘lgandek bo‘ladi.

SM Dlar diam etri ferrit materialiga qarab 50-H mkm bo‘ladi. SM Dlarning turg'un saqlanishi tashqi magnit maydon borligi hisobiga amalga oshadi. SM Dlarnig borligi (yoki yo‘qligi) ikkilik sanoq tizimida aks ettirilgan axborotning saqlanishiga teng deb qaralishi mumkin. Ushbu holat katta hajmga ega xotira qurilmalarni hosil qilish uchun ishlatiladi, chunki ortoferrit kristalining 1 sm2 yuzasida chamasi 107 bit axborot saqlanishi mumkin. Boshqa tom ondan yondoshilganda, agar kristalning m a’lum pozitsiyalarida SM Dlar generatsiyasi ta ’minlansa, ular diskret siljitish axborotlarni yozish va o ‘qish, hamda o'chirish uchun ishlatilishi mumkin.
Xotira qurilmasining magnit ISlarida SM Dlar tokli sim sirtmoq ko‘rinishidagi dom enlar generatori yordamida hosil qilinadi (13.22, a-rasm). Tokli sirtmoq 1 asos 4 sirtida joylashgan asosiy ferrit parda 3 sirtidagi izolyasiyalovchi parda 2 ga purkash bilan hosil qilinadi. M o n o k ris ta ll p a rd a la r ( fe r ritla r, g ra n a tla r) b u g 1 fa z a d a n m agnitlanm aydigan, m asalan, gadoliniy — galliyli granat asosga kimyoviy o ‘tkazish yo‘li bilan olinadi. SM D halqa orqali pardaning lokal sohasini qayta magnitlash uchun yetarli amplitudasi yuzlarcha mAni tashkil etuvchi / tok impulsi o'tkazilganda hosil bo‘ladi. Domenlarni o ‘chirish davomiyligi 1 mks, amplitudasi 200 mA va yo‘nalishi SMD hosil qiluvchi tok yo‘nalishiga teskari tok o ‘tkazish bilan amalga oshiriladi. Musbat (+) va manfiy (-) ishoralar bilan mos ravishda SM Dning janubiy va shimoliy qutblari belgilangan. SM Dni yupqa pardaning m a’lum sohasida fiksatsiya qilish uchun magnitostatik tutgichlardan foydalaniladi. Tutgich maxsus magnit yum shoq m aterial p erm o llo y d an yasalgan m a’lum shakldagi applikatsiyalardan iborat.
Applikatsiya ostidagi sohada tashqi magnit maydon ekranlanadi va potensial chuqur — tutgich hosil bo ‘ladi. Shuning uchun SM D chuqurga tushib istalgancha uzoq vaqt saqlanishi mumkin. SM Dning ma’lum nuqtaga (manzilga) siljitilishi quyidagicha amalga oshiriladi. Asosiy yupqa parda sirtida applikatsiyalarga aylanish o ‘qi asosiy parda sirtiga tik yo‘nalgan aylanib turuvchi tashqi NB0ShQmaydon ta’sir etadi. Aylanib turuvchi magnit maydon bir-biriga nisbatan 90° ga burilgan, ikki fazali tok bilan ta’minlanuvchi ikkita g‘altak yordamida hosil qilinadi. Bu holda natijalovchi maydon NBOShQ vektori soat strelkasi bo'ylab со burchak tezlik bilan tekis buraladi. NBOShQ maydon SMDga amaliy ta’sir ko'rsatmaydi, lekin permalloyli applikatsiyalarda magnit zaryadlar qutblarining davriy qayta taqsimlanishini hosil qiladi.
Aytib o ‘tiIgan qutblarning SM Dga ta ’siri uni chapdan o‘ngga siljishiga olib keladi.

SMDlaming siljishi T-simon yoki shevronli permalloy applikatsiyalar orqali am alga oshishi m um kin. Shevronli applikatsiyalar keng qo'llaniladi. Ular zich joylashishi va diametri 1 mkm amtroflda bo‘lgan dom enlar siljishini ta ’minlaydi.

Uchta shevronli applikatsiyadan tashkil topgan tuzilma, NB0ShQ yo‘nalishi, applikatsiyalarda magnit qutblar holati va maydonning turli holatlarida SM D holati 13.23-rasmda ko‘rsatilgan. Applikatsiyalar dom enning janubiy qutbiga tegadi deb faraz qilinadi. Applikatsiyalar bir-biridan _ 1 mkm masofada joylashib registrni hosil qiladi. SM D asosidagi xotira qurilmalarida 8 ta yoki 16 ta birbiriga yaqin joylashgan dom enlar generatorlari hosil qilinadi va ular 8 yoki 16 razryadli sonlarni yozuvchi registrni tashkil etadi.
Dom enlar siljish tezligi sekundiga yuzlarcha m etrni tashkil etishi m um kin, axborotni yozish tezligi esa 105-И 0 6 bit/s ni tashkil etadi. Axborotni o ‘qish uchun magnitorezistiv effektga ega yarim o‘tkazgich halqadan foydalaniladi. Magnitorezistiv effekt sodir bo‘lganda yarim o‘tkazgich ostidan SM D o'tganda uning elektr qarshiligi o ‘zgaradi. Buning uchun halqa (datchik) orqali o ‘zgarmas tok o'tkaziladi. Agar datchik ostidan SMD o‘tsa halqadagi magnit maydon o'zgaradi.
U bilan birgalikda halqa qarshiligi va undan o ‘tadigan tok qiymati ham o'zgaradi. Mantiqiy ko'prik sxemaga ulangan bunday mikrovoltli datchikning signali keyinchalik kuchaytiriladi.

SMDlar asosida KIS va 0 ‘KlSli yarimo‘tkazgich xotira qurilmalar yaratiladi. Ularning axborot sig'imi 92 yoki 250 Kbitli katta bo‘lmagan seksiyalar bilan oshirib boriladi. Shunday qilib kerakli sig‘imli xotirani hosil qilish m um kin.
SMD asosidagi xotira q urilm alar yuqori ishonchlilikka ega va magnit disklardagi shunday qurilmalarga nisbatan tezkor ishlaydi, xotirasida saqlovchi axborotning ko‘pligi va massa hamda o ‘lchamlarining kichikligi bilan farq qiladi.
Ular ancha kam quw at iste’mol qiladi. Bundan tashqari, SMD asosidagi asboblar yordamida mantiq elementlarning to‘liq to'plamini hosil qilish mumkin.
Xulosa
Elektronika rivojining tezkorlikni oshirishga yo‘naltirilgan alternativ yo‘llaridan biri a n ’anaviy elem entlardan chetlashishdan va katta massivga ega axborotlarga ishlov berishda axborot tashuvchi sifatida qattiq jismdagi dinamik bir jinslimasliklardan foydalanishdan iborat.
IMSlarda kom ponentli tuzilishdan chetlashish va dinam ik bir jinslikm aslilardan foydalanishga asoslangan yo'nalish “funksional elektronika” nomini oldi. Funksional elektronika (FE) rivojlanishining boshlang‘ich bosqich ida turibdi.
F E n in g k o ‘p q u rilm a la ri mikroelektronikaning raqamli qurilmalari bilan ishlashga moslashgan. Ular birinchi navbatda yuqori tezkorlik va 105-H 0 7 bit sig‘imga ega xotira qurilmalaridir.
Funksional elektronikaning eng istiqbolli ba’zi asboblari ishlash prinsiplarini ko‘rib chiqamiz.
Foydanilgan adabiyotlar
X.K. Aripov, A.M. Abdullayev, N.B.
Alimova, J.T.Maxsudov, A.A.Tulyaganov., Sh.T. Toshmatov.
“Elektronika va sxemotexnika”. Darslik. –Toshkent, 2017.
Х.К. Арипов, Н.Б. Алимова, Х.Х. Бустанов, Ш.З. Таджибаев. Радиоматериаллар ва радиокомпонентлар. Ўқув қўлланма. Тошкент: ТАТУ, 2010
Abdullayev M.M., Alimova N.B.. Sxematexnika va mikroprosessorli tizimlar. Darslik. -Toshkent, 2022. -270 b.

Download 463,22 Kb.

1 2 3 4

Download 463,22 Kb.