Mustaqil ish mavzu: Funksional elektronika. Fan: Elektronika va Sxemalar. Guruh: S911-22 Bajardi: :##############. Tekshirdi:##############. Urganch-2023 Reja

Download 463.22 Kb.
bet	1/4
Sana	01.12.2023
Hajmi	463.22 Kb.
	#109358

1 2 3 4

Bog'liq
Funksional elektronika
реферат, аду, Документ DOC, Презентация Microsoft PowerPoint, 10-sinf fizika darsligi [uzsmart.uz], Fizika. 7-sinf (2017, P.Habibullayev, A.Boydedayev) (1), Ona tili 10-sinf 2020 2-qism, Muhammadg\'ofur Shermatovning Islom moliyasi mavzusida yozgan maqolasi , 3-Laboratoriya(2-yadro) 31-44. (1), 1-mavzu IRT, 1111 Сирожович семинарга олиб чиыадиган вариант, Microsoft Word Document (2), Biologiya, Baxodir

Urganch-2023 Reja

O’zbekiston Respublikasi Axborot Texnologiyalari va
Komunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi

Muhammad al-Xorazimiy nomidagi

Toshkent Axborot Texnologiyalar Universiteti
Urganch Filiali

MUSTAQIL ISH
Mavzu: Funksional elektronika.

Fan: Elektronika va Sxemalar.

Guruh: S911-22

Bajardi: :##############.

Tekshirdi:##############.

Urganch-2023
Reja:

Kirish
1. Funksional elektronika

2. Akustoelektronika asboblari.
3. Magnitoelektronika asboblari.
Xulosa
Foydanilgan adabiyotlar

Kirish

Yarim o‘tkazgich IMSlar analog mikroelektron apparatlar hisoblash texnikasi tizimlari va qurilmalarining element bazasini tashkil etadi. Mikroelektronika rivojining asosiy tendensiyasi integrasiya darajasini Mur qonuniga muvofiq orttirishdan iborat.
Integratsiya darajasini oshirishning bitta yo‘li tranzistor tuzilm alarning o‘lchamlarini kichiklashtirishdan iborat. Bunda bipolyar IMSlar komponentalari bir-biridan va yarim o‘tkazgich asosdan qo‘shimcha konstruktiv elem entlar yordam ida elektr jih atd an izolatsiyalanadi.
Komponentlar ichki ulanishlarni metallash yo‘li bilan funksional sxemaga birlashtiriladi, chunki ulanayotgan sohalar turli elektr o ‘tkazuvchanlikka (elektron yoki kovakli) ega. Sxema elementlari o‘lchamlarining kichiklashishi (diod, tranzistor, rezistorlar) sxema zichligini oshiradi va, natijada, signal o ‘tish vaqtini, ya’ni qurilmalar tezkorligini oshiradi. Integrasiya darajasining oshishi bilan kristalning o‘zaro ulanishlar bilan band pogon sig'imga ega ulushi ortadi. Aloqa liniyasi С pogon sig‘imga ega bo‘lsin.
Agar aloqa liniyasi uzunligi I bo'lsa, va u orqali t sekund davomida amplitudasi U b o ‘lgan impuls uzatilsa, har bir impuls bilan liniyaga P = (CIU2)/1 q u w at kiritiladi. Impuls quw atini oshirib m antiq elem en t qayta u lan ish tezligini o shirishi m um kin. Sxem aga kiritilayotgan impuls quw at oshirilishi bilan unda ko‘proq ajralayotgan issiqlikni olib ketish ham kerak. Shuning uchun zamonaviy sxemotexnik elektronika qurilm alarida axborotlarni qayta ishlash tezligi sekundiga 10 9-^-1010 operatsiyadan oshmaydi. Bunday xarak teristikalar axborotlarning katta massivlariga real vaqt masshtabida ishlov berishga imkoniyat bermaydi (obrazlarni aniqlash, konstruksiyalarni sintez qilish, bilimlar bazasini boshqarish, sun’iy intellekt yaratish va h.k.).
Elektronika rivojining tezkorlikni oshirishga yo‘naltirilgan alternativ yo‘llaridan biri a n ’anaviy elem entlardan chetlashishdan va katta massivga ega axborotlarga ishlov berishda axborot tashuvchi sifatida qattiq jismdagi dinamik bir jinslimasliklardan foydalanishdan iborat.

Download 463.22 Kb.

1 2 3 4

Download 463.22 Kb.