Muxammad al-xorazmiy nomidagi tatu qarshi filiyali “KI” fakulteti akt-11-21 gurux talabasi ro’ziyev bekzodning elektronika va sxemalr fanidan 1- mustaqil ishi

MUXAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TATU QARSHI FILIYALI “KI” FAKULTETI AKT-11-21 GURUX TALABASI RO’ZIYEV BEKZODNING ELEKTRONIKA VA SXEMALR FANIDAN 1- MUSTAQIL ISHI

Topshirdi. Ro’ziyev.B

Qabul qildi . Jamolova.G

Mavzu:Tranzistorli tok manbalari Reja: 1.

Tranzistor (inglizcha: transfer — koʻchirmoq va rezistor) — elektr tebranishlarni kuchaytirish, generatsiyalash (hosil qilish) va oʻzgartirish uchun moʻljallangan 3 elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda mikroelektronika qurilmalarining asosiy elementi. Tranzistorlar tuzilishi, ishlash prinsipi va parametrlariga koʻra 2 ta sinfga ajratiladi — bipolyar va maydoniy (unipolyar) tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarda ikkala turdagi (p-tipli va n-tipli) oʻtkazuvchanlikka ega boʻlgan yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bipolyar tranzistor, oʻzaro yaqin joylashgan p-n oʻtish hisobiga ishlaydi va baza-emitter oʻtishi orqali tokni boshqaradi. Maydoniy tranzistorlarda faqat bir turdagi (n-tipli yoki p-tipli) yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bunday tranzisorlarning bipolyar tranzistorlardan asosiy farqi shundaki, ular kuchlanishni boshqaradi, tokni emas. Kuchlanishni boshqarish zatvor va istok orasidagi kuchlanishni oʻzgartirish orqali amalga oshirilad

Hozirgi kunda analog texnikalar olamida bipolyar tranzistorlar (BT) (xalqaro atama — BJT, Bipolar Junction Transistor) asosiy oʻrinni egallagan. Raqamli texnikalar sohasida esa, aksincha maydoniy tranzistorlar bipolyar tranzistorlarni siqib chiqargan. Oʻtgan asrning 90-yillarida, hozirgi davrda ham elektronikada keng miqyosda qoʻllanilayotgan bipolyar-maydoniy tranzistorlarning gibrid koʻrinishi — IGBT ishlab chiqildi. 1956-yilda tranzistor effektini tadqiq qilgani uchun William Shockley, John Bardeen va Walter Brattain fizika boʻyicha Nobel mukofoti bilan taqdirlanishgan. 1980-yilga kelib, oʻzining kichik oʻlchamlari, barqaror ishlashi, iqtisodiy jihatdan arzonligi hisobiga tranzistorlar elektronika sohasidan elektron lampalarni siqib chiqardi. Shuningdek, kichik kuchlanish va katta toklarda ishlay olish qobiliyati tufayli, elektromagnit rele va mexanik uzib-ulagichlarga ehtiyoj qolmadi. Elektron sxemalarda tranzistor „VT“ yoki „Q“ harflari bilan hamda joylashgan oʻrniga muvofiq indeks bilan belgilanadi. Masalan, VT15. Rus tilidagi adabiyotlar va hujjatlarda esa XX asrning 70-yillariga qadar „T“, „PP“ (poluprovodnikoviy pribor) yoki „PT“ (poluprovodnikoviy triod) kabi belgilanishlar ham ishlatilgan.

TRANZISTOR PARAMETRLARINI β = Men / I b (haqiqiy qiymati): kuchlanish U eq uchun daromad omillar / U BE va joriy. Odatda, koeffitsienti β 300 dan oshmaydi, lekin 800 va yuqorida qiymatlari yetishi mumkin. Kirish empedansı. chastota javob - bu amaliy signali o'zgarishlar uchun vaqt yo'q vaqtinchalik qaysi yuqorida va biron-bir chastotaga tranzistorli ishlashi qadar

Ming yillar o‘tib, insoniyatning eng buyuk ixtirolari haqida kitob chiqarilsa, o‘sha paytdagi avlodlar albatta 1947-yilning 16-dekabr sanasini "Axborot erasining boshlanishi" sifatida alohida qayd etishadi. Aynan shu kuni, Bell laboratoriyasi xodimlari - Jon Bardin (1908-1991) va Uolter Bratteyn (1902-1987) ikkita yuqori elektrodlarni, germaniy plastinkasi bilan ishlov berilgan va uchinchi, elektr kuchlanish manbaiga ulangan elektrodga joylashtirilgan maxsus plastinka bilan ulab, ajoyib bir mikroelektron detalni yaratishdi. Ushbu detalda, yuqori elektrodlardan biriga past kuchlanishli tok oqizilganda, ikkinchi yuqori elektrodda nisbatan kuchliroq tok paydo bo‘lar edi. Shu tarzda haqiqatan ham axborotlashtirish erasini boshlab bergan eng muhim vositalardan biri - tranzistor ixtiro qilindi.

Tranzistor bu - elektr signallarini kuchaytirish, generatsiyalash yoki kommutatsiyalash uchun qo‘llaniladigan yarimo‘tkazgich mikroelektron detaldir. Yarimo‘tkazgichning o‘tkazuvchanligini o‘zini ham unga berilayotgan elektr signallari vositasida boshqarish mumkin. Tranzistor konstruksiyasiga bog‘liq holda, uning kontaktlaridan bir juftiga berilgan tok yoki kuchlanish boshqa bir kontakt orqali oqayotgan tokni o‘zgartiradi.

1934-yilda nemis fizigi Oskar Xayl ham Buyuk Britaniyada ixtiro qilgan „kontaktsiz rele“si uchun patent olgan. Maydoniy tranzistorlar sodda elektrostatik effektga asoslangan va unda kechadigan jarayonlar bipolyar tranzistorlarga qaraganda oddiy boʻlishiga qaramasdan toʻliq ish holatidagi maydoniy tranzistorlarni yasash uchun juda koʻp vaqt ketdi. 1920-yilda patentlangan va hozirda kompyuter sanoatining asosini tashkil etadigan birinchi MDS maydoniy tranzistor birinchi boʻlib 1960-yilda amerikalik olimlar Kang va Atallaning ishidan soʻng yaratilgan boʻlib, ular kremniy sirtini oksidlash orqali uning sirtida dielektrikining kremniy dioksidining juda yupqa qatlamini hosil qilishni taklif qildilar. Bu qatlam oʻtkazgich kanalidan metall zatvorni izolyatsiya qilish vazifasini bajarardi. Bunday bunday tuzilishga MOS strukturasi deyiladi (Metall-oksid-yarim oʻtkazgich, inglizcha metall-oxide-semiconductor). XX asrning 90-yillaridan boshlab esa MOS-struktura bipolyar tranzistorlardan yetakchilikni tortib oldi