uchun hozir aytilmagan ma’noda p-n o’tish potensial to’siq bo’lib uning
balandligi p-n sohadagi potensiallar ayirmasiga teng.
4. Yupqagina p-n o’tish qatlamidagi ichki
elektr maydon EYUK xosil
qilmaydi.
5. p-n sohasida harakatchan zaryadlar –elektronlar va kovaklar juda kam
miqdorda bo’ladi, binobarin, bu sohaning solishtirma
qarshiligi juda ham
katta (solishtirma o’tkazuvchanligi juda kichikdir).
Hajmiy zaryadlar paydo bo’lishi bilan birga chegaraviy qatlamdan n-sohadan p-
sohaga yo’nalgan elektr maydoni va uning ta’sirida elektronlar va kovaklarning
dreyf oqimlari vujudga keladi. Hajmiy zaryadli chegaraviy qatlamning shakllanishi
to dreyf oqimlari deffuzion oqimlariga tenglashguncha davom etadi
. p va
n-sohalar
chegarasida vujudga keladigan qatlamni
p-n o’tish deyiladi.
Agar p-n-o’tishli yarim o’tkazgichni fotonning energiyasi
ħω≥Eg bo’lgan
kuchsiz yorug’lik bilan yoritilsa unda elektron-kovak juftlari vujudga keladi.
Birinchi tartibda asosiy zaryad tashuvchilar konsentratsiyasining o’zgarishi
hisobga olmasa ham, yoritishning ta’siri asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilarning
konsentratsiyasini oshirishdan iborat bo’ladi.
1-rasm.Yoritilmagan (muvozanatdagi)
Agar p-n-o’tishni uning chegarasi bo’ylab yoritilsa
u xolda namunadan o
muvazanat xolatdagi zaryad tashuvchilar vujudga keladi. p-n-o’tish sohasidan
diffusion uzunlik chamasidagi masofa vujudga kelgan elektron-kovak juftlari
p-n-o’tish chegarasi tomonga diffuziyalanadi, uning maydoni esa juftlarni ajratadi,
yani elektronlarni p-sohadan n-sohaga o’tkazadi
kovaklarni esa n-sohadan p-
sohaga o’tkazadi. p-n-o’tishdan diffusion uzunlik chamasidan nariroqda vujudga
kelgan nomuvozanati elektronlar va kovaklar p-n-o’tishga yetib kelolmay
rekombinatsiyalanib ketadilar.
4-rasm.Yupqa p-n- o’tishli fotoelement va fotodiodning volt-amper
xarakteristikasi
