|
Ishlab chiqarishning asosiy bosqichlari
|
| bet | 4/14 | | Sana | 28.06.2022 | | Hajmi | 1.14 Mb. | | #24540 |
Bog'liq О‘zbekistоn respublikаsi аxbоrоt texnоlоgiyаlаri vа kоmmunikаtsi Fizika 7-8-9-sinf 34 soat to\'garak, Самокаты Юрент , hujjatlar 12212121, 1-Mustaqil ishi1.2 Ishlab chiqarishning asosiy bosqichlari
Mikroprotsessorni ishlab chiqarish 300 dan ortiq bosqichni o'z ichiga olgan eng murakkab jarayondir. Mikroprotsessorlar kimyoviy moddalar, gazlar va ultrabinafsha nurlanishidan foydalangan holda turli xil ishlov berish jarayonlarining muayyan ketma - ketligi natijasida nozik dairesel silikon plitalar yuzasida hosil bo'ladi.
Tagliklar odatda diametri bor 200 millimetr, yoki 8 dyum. Biroq, Intel allaqachon 300 mm diametrli yoki 12 dyumli plitalarga o'tdi. Yangi plitalar deyarli 4 marta ko'proq kristallarni olish imkonini beradi va mos keladigan chiqindilar ancha yuqori. Plitalar silikondan tayyorlanadi, ular tozalanadi, eritiladi va undan uzoq silindrsimon kristallar o'sadi. Keyin kristallar ingichka plastinkalarga bo'linadi va ularning sirtlari ko'zguda silliq va nuqsonsiz bo'lgunga qadar ularni parlatadi. Keyingi ketma-ket davriy takrorlab issiqlik oksidlanish (film SiO2 shakllantirish), fotolitografi, ifloslik (fosfor), epitaksi (qatlam qurish) diffuziya ishlab chiqarish.
Chiplarni ishlab chiqarish jarayonida eng nozik qatlam materiallari ehtiyotkorlik bilan hisoblangan chizmalar shaklida qo'llaniladi. Bir plastinka ustida bir necha yuz mikroprotsessorga joylashtiriladi, uni ishlab chiqarish uchun 300 dan ortiq operatsiyani bajarish kerak. Barcha protsessor ishlab chiqarish jarayoni bir necha bosqichlarga bo'linishi mumkin: silikon dioksidni yetishtirish va o'tkazuvchi maydonlarni yaratish, sinov, korpus ishlab chiqarish va yetkazib berish.
1.3 Silikon dioksidni etishtirish va o'tkazuvchi hududlarni yaratish
Mikroprotsessorni ishlab chiqarish jarayoni silikon dioksidning izolyatsion qatlamining parlatilgan plastinka yuzasida "yetishtirish" bilan boshlanadi. Ushbu bosqich juda yuqori haroratda elektr pechda amalga oshiriladi. Oksidli qatlamning qalinligi plastinka pechda o'tkaziladigan harorat va vaqtga bog'liq.
Keyin fotolitografik-plastinka yuzasida chizilgan diagramma hosil bo'lgan jarayon. Birinchidan, plastinkaga vaqtinchalik nurga sezgir material qo'llaniladi – fotorezistor, ultrabinafsha nurlanish yordamida naqshning shaffof qismlari yoki fotomaskaning tasvirini loyihalashtiradi. Maskalar protsessorni loyihalashda ishlab chiqariladi va protsessorning har bir qatlamida chizmalar yaratish uchun ishlatiladi. Radiatsiya ta'siri ostida fotosloyning yoritilgan joylari eriydi va ular ostida joylashgan silikon dioksidni ochadigan hal qiluvchi (gidroflorik kislota) yordamida chiqariladi.
Ochiq silikon dioksid "gul " deb ataladigan jarayon yordamida chiqariladi. Keyin qolgan fotosuratni olib tashlang, natijada yarim o'tkazgich plitasi silikon dioksid naqshidir. Bir qator qo'shimcha fotolitografiya va o'tlatish operatsiyalari natijasida o'tkazgich xususiyatlariga ega bo'lgan polikristalli kremniy ham plastinka ustiga qo'llaniladi. "Doping" deb nomlangan keyingi operatsiya davomida silikon plastinkaning ochiq joylari kremniyda ushbu hududlarning elektr o'tkazuvchanligini o'zgartiradigan salbiy va ijobiy ayblovlarni yuzaga keltiradigan turli xil kimyoviy elementlarning ionlari bilan bombardimon qilinadi.
Yangi qatlamlarni qo'llash, keyinchalik sxemani bo'yash bir necha marta amalga oshiriladi, qatlamlarda interloyali birikmalar uchun"derazalar" qoldiriladi, ular metall bilan to'ldiriladi, qatlamlar orasidagi elektr aloqalarini hosil qiladi. 0.13 mikronli texnologik jarayonida Intel mis o'tkazgichlarni qo'llanadi. Intel 0.18 mikronli ishlab chiqarish jarayonida va avvalgi avlod jarayonlarida alyuminiydan foydalan
|
| |
