• Termik oksidlash.
  • . IMS tuzilmasi Legirlash.
    		•

    Plastinalarni kristallarga ajratish va yig’ish operatsiyalari. Guruh: ki 22 01 Talaba: Safartoshov M. B. Rahbar: Nizamov A. N. Samarqand 2024 y Reja




    Download 293,65 Kb.
    bet2/8
    Sana17.05.2024
    Hajmi293,65 Kb.
    #239301
    1   2   3   4   5   6   7   8
    Bog'liq
    Elektonika ma\'ruza 2-topshiriqq

    Zonali eritish usulida monokristall ifloslantiruvchi kiritmalardan qo‘shimcha tozalanadi. Bunda kristallning tor zonasi eritilib, eritilgan zona kristallning bir uchidan ikkinchi uchiga asta siljitib boriladi. Kiritmalarning erigan fazada eruvchanligi qattiq holatdagi eruvchanligiga qaraganda katta bo‘lsa, kiritmalar suyuq fazaga o‘tib kristallning ikkinchi uchiga siljib boradi va to‘planadi. Kiritmalar to‘plangan soha tozalash jarayonlari tugagandan so‘ng kesib tashlanadi.
    Epitaksiya. Epitaksiya jarayoni asos sirtida uning kristall tuzilishini takrorlovchi yupqa monokristall ishchi qatlamlar hosil qilish uchun ishlatiladi. Asos bunda mustahkamlikni ta’minlash va kristallanayotgan qatlam takrorlashi zarur bo‘lgan kristall panjara sifatida xizmat qiladi. Keyingi texnologik jarayonlarda epitaksial qatlamda IMSning aktiv va passiv elementlari hosil qilinadi.
    Gaz fazali va suyuq fazali epitaksiya usullari keng tarqalgan bo‘lib, ular monokristall asos sirtida n – yoki p – turli o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan epitaksial qatlamlar hosil qilish imkonini beradi.
    Termik oksidlash. Termik oksidlash – kremniy sirtida oksid (SiO2) qatlam (parda) hosil qilish maqsadida sun’iy yo‘l bilan oksidlashdan iborat jarayon. U yuqori (1000÷1200) 0C temperaturalarda kechadi(1-rasm).
    IMSlar tayyorlashda SiO2 qatlam bir necha muhim funksiyalarni bajaradi: sirtni himoyalovchi qatlam; niqob vazifasini bajarib, undagi tirqishdan zarur kiritmalar kiritiladi; MDYa – tranzistorlarda zatvor ostidagi yupqa dielektrik qatlam sifatida ishlaydi.

    1-rasm. IMS tuzilmasi


    Legirlash. Yarimo‘tkazgich hajmiga kiritmalarni kiritish jarayoni legirlash deb ataladi. IMSlar tayyorlashda legirlash sxemaning aktiv va passiv elementlarini hosil qilish va zarur o‘tkazuvchanlikni ta’minlash uchun kerak. Legirlashning asosiy usullari yuqori temperaturalarda kiritmalar atomlarini diffuziyalash va yuqori energiyali ionlar bilan bombardimon qilish (ionlarni kristall panjaraga kiritish)dan iborat.

    Download 293,65 Kb.
    1   2   3   4   5   6   7   8




    Download 293,65 Kb.
    Bosh sahifa
    Aloqalar
        Bosh sahifa
    Dərs
    Mühazirə
    Qaydalar
    Referat
    Xülasə
    Yazı


    Plastinalarni kristallarga ajratish va yig’ish operatsiyalari. Guruh: ki 22 01 Talaba: Safartoshov M. B. Rahbar: Nizamov A. N. Samarqand 2024 y Reja

    Download 293,65 Kb.