• KanalI InduksIyalangan MDYa – tranzIstor
  • Berilgan m va n haqiqiy sonlari ustida quyidagi amallarni bajarish dasturi.
  • Qabul qildi: Ergashev. Sh Технические требования




    Download 459,73 Kb.
    bet4/8
    Sana11.01.2024
    Hajmi459,73 Kb.
    #134949
    1   2   3   4   5   6   7   8
    Bog'liq
    elektronikasx

    MT asosiy parametrlari

    • Maydoniy tranzistorlarning asosiy parametrlaridan biri bo’lib xarakteristika tikligi hisoblanadi.
    • Bu yerda Smax UZI=0 bo’lgandagi maksimal tiklik. (3.12) (3.13) ifodalardan ko’rinib turibdiki, UZI ortishi bilan stok toki va maydoniy tranzistor xarakteristika tikligi kamayadi.
    • Statik xarakteristikalardan maydoniy tranzistorning boshqa parametrlarini ham aniqlash mumkin.
    • Tranzistorning differensial (ichki) qarshiligi istok va stok oralig’idagi kanal qarshiligini ifodalaydi.
    • Bu koeffisient stokdagi kuchlanish stok tokiga zatvordagi kuchlanishga nisbatan qanchalik ta‘sir ko’rsatishini ifodalaydi.

    KanalI InduksIyalangan MDYa – tranzIstor

    • P – n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardan farqli ravishda MDYa–tranzistorlarda metall zatvor kanal hosil qiluvchi o’tkazgichli sohadan doim dielektrik qatlami yordamida izolyatsiyalangan. Shu sababli MDYa– tranzistorlar zatvori izolyatsiyalangan maydoniy tranzistorlar turiga kiradi. Dielektrik qatlami SiO2 dielektrik oksidi bo’lganligi sababli, bu tranzistorlar MOYa – tranzistorlar (metall – oksid- yarim o’tkazgichli tuzilma) deb ham ataladilar.
    • MDYa–tranzistorlarning ishlash prinsipi ko’ndalang elektr maydoni ta‘sirida dielektrik bilan chegaralangan yarim o’tkazgichning yuqori qatlamida o’tkazuvchanlikni o’zgartirish effektiga asoslangan. Yarim o’tkazgichning yuqori qatlami tranzistorning tok o’tkazuvchi kanali vazifasini bajaradi.

    Berilgan m va n haqiqiy sonlari ustida quyidagi amallarni bajarish dasturi.

    • p – kanali induksiyalangan MDYa - tranzistor tuzilmasi a –rasmda va uning shartli belgisi b- rasmda keltirilgan.
    • Tranzistor quyidagi chiqishlarga ega: istokdan – I, stokdan – S, zatvordan – Z va asos deb ataluvchi – A kristalldan.
    • Stok va istoklarning p+ - sohalari n – turdagi yarim o’tkazgich bilan ikkita p–n o’tish hosil qilganligi sababli, USI kuchlanishining biror qutblanishida bu o’tishlardan biri teskari yo’nalishda ulanadi va stok toki IS deyarli nolga teng bo’ladi.

    Download 459,73 Kb.
    1   2   3   4   5   6   7   8




    Download 459,73 Kb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Qabul qildi: Ergashev. Sh Технические требования

    Download 459,73 Kb.