• Keng polosali kuchaytirgichlar
  • Kanali qurilgan MDYa – tranzistor




    Download 459,73 Kb.
    bet5/8
    Sana11.01.2024
    Hajmi459,73 Kb.
    #134949
    1   2   3   4   5   6   7   8
    Bog'liq
    elektronikasx

    Kanali qurilgan MDYa – tranzistor


    • Agar UZI = 0 bo’lganda USI kuchlanish o’rnatilsa, u holda kanal orqali elektronlar hisobiga tok oqib o’tadi. Zatvorga istokka nisbatan manfiy kuchlanish berilsa, kanalda ko’ndalang elektr maydon yuzaga keladi va uning ta‘sirida kanaldan elektronlar itarib chiqariladilar. Kanal elektronlar bilan kambag’allashib boradi, uning qarshiligi ortadi va stok toki kamayadi. Zatvordagi manfiy kulchlanish qancha katta bo’lsa, bu tok shuncha kichik bo’ladi. Tranzistorning bunday rejimi kabag‘allashish rejimi deb ataladi.

    Boyish rejimida stok xarakteristikalari UZI = 0 da olingan boshlang’ich xarakteristikadan - yuqorida, kambag’allashish rejimida esa – pastda joylashadi

    Boyish rejimida stok xarakteristikalari UZI = 0 da olingan boshlang’ich xarakteristikadan - yuqorida, kambag’allashish rejimida esa – pastda joylashadi

    Xarakteristika tikligi va ichki qarshilik barcha turdagi maydoniy tranzistorlardagi kabi qiymatlarga ega bo’ladi. Kirish qarshiligi va elektrodlararo sig’imlarga kelsak, MDYa – tranzistorlar p-n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardagiga nisbatan yaxshi ko’rsatkichlarga ega. RZI kirish qarshiligi bir necha darajaga yuqori bo‗lib 1012-1015 Om ni tashkil etadi.

    • Xarakteristika tikligi va ichki qarshilik barcha turdagi maydoniy tranzistorlardagi kabi qiymatlarga ega bo’ladi. Kirish qarshiligi va elektrodlararo sig’imlarga kelsak, MDYa – tranzistorlar p-n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardagiga nisbatan yaxshi ko’rsatkichlarga ega. RZI kirish qarshiligi bir necha darajaga yuqori bo‗lib 1012-1015 Om ni tashkil etadi.
    • Elektrodlararo sig‗imlar qiymati SZI, SSI lar uchun -10 pF dan, SZS uchun -2 pF dan ortmaydi. Bu ko‗rsatkichlar tranzistor inersiyasini belgilaydilar.

    Keng polosali kuchaytirgichlar

    Analog integral mikrosxemalar elementar negiz bosqichlar asosida yasaladilar. Negiz bosqichlarga UE sxemada ulangan bipolyar tranzistorlar hamda UI sxemada ulangan maydoniy tranzistorlardan yasalgan bir bosqichli kuchaytirgichlar kiradi. Negiz bosqichlar bir vaqtning o’zida tok yoki kuchlanish, hamda tok va kuchlanish bo’yicha kuchaytirish bilan quvvatni kuchaytiradilar.


    Download 459,73 Kb.
    1   2   3   4   5   6   7   8




    Download 459,73 Kb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Kanali qurilgan MDYa – tranzistor

    Download 459,73 Kb.