|
Qurbonov zarifjon 619. 21 gurux refara t bipolyar tranzistorlar. Reja
|
bet | 3/3 | Sana | 21.01.2024 | Hajmi | 0,85 Mb. | | #142346 |
Bog'liq Qurbonov zarifjon 619. 21 gurux refara t bipolyar tranzistorlar. Microsoft PowerPoint 2010, MS WORD матн мухаррири бўйича тест саволлари 2, Документ Microsoft Word (3)ы, O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT TEXNALOGIYALARINI VA KOMMUN (6), Namuna, Мустакил иш мавзулари 1, Aqliy tarbiya Davlatov JahongirBipolyar tranzistorlar.
S-Bipolyartranzistor(ВТ)debo‘zarota’sirlashuvchiikkitap-n o‘tishdantashkiltopganvasignallarnitok,kuchlanishyokiquvvat bo‘yichakuchaytiruvchi uch elektrodli yarimo‘tkazgich asbobga aytiladi.
-BT datokhosilbo'lishidaikkixil(bipolyar)zaryadtashuvchilar- elektronlar va kovaklarishtirok etadi. ВТ p - van - o‘tkazuvchanlik turi takrorlanuvchiuchta(emitter,baza va kollektor) yarimo‘tkazgich sohaga ega.
-Tranzistor sxemaga ulanayotganda chiqishlaridan biri kirish va chiqishzanjiri uchun umumiy qilib ulanadi.
W-Analog qurilma – gibrid integral sxema (keyingi matnda– GIS) asosidagi kuchaytirgich ishlab chiqiladi.
-Elektron kuchaytirgich – bu qurilma elektr signalini shaklini saqlagan holda quvvatini oshirishga mo’ljallangan.
-Kuchaytirgichlar radioelektron apparaturalarda eng ko’p tarqalgan qurilma hisoblanadi. Kuchaytirgichni mikrosxema ko’rinishida ado etish aktual hisoblanadi.
-Integral mikrosxema (IMS)
tayyorlashda tehnologiya bo’yicha ikki yo’nalish farqlanqdi: yarim o’tkazgichli va gibrid (IMS) li. GIS o’z
tarkibida plyonkali passiv elementlar va osiladigan faol elementlarga ega va bir qator afzalliklarga ega: passiv
elementlarni har qanday qiymatlarini olish imkoniyatiga, parametrlarni haroratga kam darajada bog’liqligi
ishlab chiqarishni tashkil qilishda uncha katta bo’lmagan harajatga egaligi va platani tayyorlashni oddiyligi.
O-Agar emitter o’tish teskari yo’nalishda, kollektor o’tish esa to’g’ri yo’nalishda siljigan bo’lsa, u holda bu
tranzistor invers yoki teskari ulangan deb ataladi.
-Tranzistor raqamli sxemalarda qo’llanilganda u to’yinish
rejimida (ikkala o’tish ham to’g’ri yo’nalishda siljigan), yoki berk rejimda (ikkala o’tish teskari siljigan)
ishlashi mumkin .
-Kuchlanish manbai USI ning ulanishi p–n o’tish kengligiga ham tasir ko’rsatadi, chunki o’tish kuchlanishi
kanal uzunligi bo’ylab turlicha bo’ladi.
-Kanal potentsiali uning uzunligi bo’ylab o’zgaradi: istok potentsiali
nolga teng bo’lib, stok tomonga ortib boradi, stok potentsiali esa USI ga teng bo’ladi. p–n o’tishdagi teskari
kuchlanish istok yaqinida ga, stok yaqinida esa teng bo’ladi.
T-Bipolyar tranzistor p-n-p va n-p-n o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan uchta yarim o’tkazgichdan tashkil topgan
-Tranzistorning kuchli legirlangan chekka sohasi (n+ - soha) emitter deb ataladi va u zaryad tashuvchilarni
baza deb ataluvchi o’rta sohaga (r - soha) injektsiyalaydi
-. Keyingi chekka soha (n - soha) kollektor deb ataladi.
U emiitterga nisbatan kuchsizroq legirlangan bo’lib, zaryad tashuvchilarni baza sohasidan ekstraktsiyalash
uchun xizmat qiladi
-Emitter va baza oralig’idagi o’tish emitter o’tish, kollektor va baza
oralig’idagi o’tish esa -kollektor o’tish deb ataladi.
Mavzular bo’yicha video-roliklarni ko’rib chiqish va taxlil qilish yangi ma’lumotlar olish.
Mavzu;BIPOLYAR TRANZISTORLAR
https://youtu.be/44qj20LAlak
https://youtu.be/zl8G0DxMrok
Glossary tayyorlash.
Mavzu;Bipolyar tranzistorlar.
Yangi ma’lumotlarni internet saytlaridan izlash.
https://www.coursehero.com/file/51881316/Bipolyar-transistor-haqida-qisqacha-madocx/
https://music4good.ru/uz/wiring/what-are-the-characteristics-of-bipolar-transistors-bipolar-transistors.html
Adabiyotlar taxlili.
Mavzu;Bipolyar tranzistorlar.
|
| |