Quyosh elementlari: zamonaviy holati va rivojlanish istiqbollari

Download 410.94 Kb.
bet	3/3
Sana	15.02.2023
Hajmi	410.94 Kb.
	#42302

Bog'liq
7-mavzu
davlat-standarti-asosida-chizmalarni-taxt-qilish, Test tayyorlanishga (2), Asbobsozlik materiallari Qirindi hosil bo’lish jarayoni, Testlar to\'plami 2021, маруза, Referat Psixologiya fanidan Mavzu Temperament va uning tiplari, Хавоканд, MInimalizm uslubining milliy uylarimizdagi muhim jihatlari, ttb 6, Исокжонов Жамшидбек 89 А 20-гурух, xx asrning 60-80-yillarida ozbekistonda suv resurslaridan foydalanish muammolari, Саволлар Коллеж учун, betlik, 55555, lira

Quyosh elementlari: zamonaviy holati va rivojlanish istiqbollari Qayta tiklanuvchi energetika bo‘yicha milliy laboratoriya ma’lumotlariga (NREL, AQSH) muvofiq 2017-yilda maksimal samaradorlikka ega QEni ishlab chiqish haqidagi ma’lumotlar 3.2-rasm keltirilgan. 3.2-rasmdagi ma’lumotlarni mulohaza qilishga qulaylik bo‘lishi uchun to‘rtta texnologik guruhda qarab chiqamiz. Birinchi texnologiya guruhga birdan besh kaskadlargacha bo‘lgan (ko‘pkaskadli QE) davriy tizimdagi III va V guruh birikmalari asosidagi QE keltirish mumkin, o‘z navbatida ular konsentratorli va konsentratorsiz bo‘lishi mumkin. 3.2-rasmga muvofiq, ular katta maksimal samaradorlikga ega. Kaskadli Quyosh elementlari monolit ko‘pkadkadli monokristall strukturani o‘stirish yoki tayyor elementlarni mexanik tutashtirish orqali shakllantiriladi. Bu guruhga ta’luqli ko‘pchilik yuqori samarali QE ko‘p o‘tishli (kaskad) geterostrukturalar asosida tayyorlanadi. Ular metall organik birikma tarkibiga ega (MOSVD-texnologiya) gaz fazali epitaksiya yoki molekulyar-dastali epitaksiya (MVE) usullari bilan olinadi. Uch kaskadli QEning namunasi va u tomonidan Quyosh energiyasini o‘zgartirishning energetik sxemasi 3.3-rasmda keltirilgan. Germaniyada tayyorlangan (Fraunhofer ISE/Soitec) to‘rtkaskadli QEda Quyosh energiyasini 500 karra zichlashtirish orqali samaradorlik 46,0% ga etkazildi. 2015-yil 14-yanvarda (Kalarado shtati, AQSH Energetika vazirligi, NREL) GOLDEN kompaniyasi to‘rt o‘tishli QE konsentratsiya darajasi 234 birlikka yetkazilganda samaradorlik 45,7% bo‘lganligini e’lon qildilar. NREL esa istalgan turdagi QE ichida yuqori samaradorlikga erishilganini aytib o‘tdi. Bunda uch kaskadli QE samaradorligi 2013-yilda «Solar Junction» kompaniyasi tomonidan 942 birlik konsetratsiya darajasida olingan natijalarga ko‘ra 44,4% ni tashkil etdi. Yuqori samaradorlik olish uchun konsentratsiyalarni qo‘llash (Frenel linzalari) katta optik yo‘qotishlarga olib keladi. Eslatib o‘tish kerakki, maxsus yoritish sharoitlarida laboratoriya elementlari tadqiq qilinmoqda. Konsentratorli ko‘pkaskadli elementlarning o‘zi tabiiy sharoitda qo‘llanilganda Quyoshni kuzatish tizimlaridan iborat murakkab mexanik tayanch konstruksiyalardan foydalanishni talab qiladi, diffuz radiatsiya vaqtida yomon ish qobilyatiga ega bo‘ladi, lokal qizish oqibatida strukturani samarali sovitish lozim bo‘ladi. «Boeing – Spectrolab» va «Sharp» kompaniyalarida olingan ko‘pkaskadli konsentratorsiz QE maksimal samaradorligi mos ravishda 38,8% (beshkaskadli) va 37,9% (uchkaskadli) ni tashkil etdi. Ko‘pkaskadli QE ni olishning kamchiliklari bo‘lib texnologik jarayonning murakkabligi, qimmat jihozlardan foydalanish, taglik sifatida monokristall Ge, GaAs va boshqa materiallar, kompo-nentlardan foydalanish hisoblanadi. J.I. Alferov ta’kidlab o‘tganidek, kaskadli QE hamma boshqa yarimo‘tkazgichli jihozlar bilan taqqoslaganda strukturaviy munosabatiga ko‘ra eng murakkab hisoblanadi. Tayyor elementlarni mexanik tutashtirish yo‘li bilan ikki kaskadli QE tayyorlashda yuqori kaskad uchun GaAs asosidagi materialdan, quyi kaskad uchun Ge dan foydalanildi. Mualliflar (High Efficiency ΙΙΙ–V Solar Cells / K.W. Smith [et al.] // Phys. Lett.2000. Vol.76. P.143) yuqori kaskad uchun AlGaAs (Eg ~ 1,7 eV) asosidagi QE qo‘llanilgan quyi kaskad uchun Si dan foydalanildi. Ammo samaradorligi 37% bo‘lgan rekord qiymatlar Quyosh nurlanishini 100 birlik zichlashtirilgan darajasida o‘zgartirilib quyi kaskad sifatida GaSb va GaAs asosidagi yuqori kaskaddan tashkil topgan QE mexanik usul orqali tushuntirish yo‘li bilan erishilgan. Mexanik usulda tutashtirilgan QE yutuqlari shundaki, ular yaxshi ishlab chiqilgan bir o‘tishli QE asosida yaratiladi. Bunda kaskadlarda elektr tokining muvofiqligining zaruriyati yo‘q. Kamchiliklariga esa kaskadlar kommutatsiyasining etarlicha murakkab tizimi, kaskadlar chegaralarida yuqori optik yo‘qotishlar, quyi kaskadda o‘zgartiriladigan nurlanish yuqori kaskadda yutilishiga qo‘yiladigan minimal talablar kiradi. Yuqorida ko‘rsatilib o‘tilgan salbiy tomonlarga qaramasdan ko‘pkaskadli QE Quyosh fotoenergetikasida qo‘llanilishiga ko‘ra o‘z bozorini topdi. Ulardan nafaqat kosmosda samarali foydalaniladi, balki Yer sharoitida har xil turdagi konsentratorli QES da ham qo‘llaniladi. 2008-yilga kelib «Boeing», «Emcore», «Spectrolab» kompaniyalari 1 MVt/yil ortiq ishlab chiqarish quvvatiga ega ko‘pkaskadli QE tayyorlanishi qayta o‘zlashtirilgan texnologiyasiga ega edilar va Yer sharoitida samaradorligi 36–39% bo‘lgan QE asosidagi konsentratorli QES bozori shakllantirilgan edi. Birinchi texnologik guruhdagi bir kaskadli QE 27,5% gacha bo‘lgan FIK ga ega bo‘lib kremniyga qaraganda (25,6%) uncha yuqori emas, lekin o‘ta murakkab texnologik jarayon, qurilmalar va materiallarga yuqori narx, ishlab chiqarilayotgan elektr energiyasining yuqori narxi kabi kamchiliklari mavjud. Shunday qilib bu guruhning asosiy kamchiligi yuqori narxi hisoblanadi. Ikkinchi texnologik guruhga kremniyli texnologiya asosida tayyorlanadigan QE ta’luqlidir. Yuqorida ta’kidlab o‘tilganidek hozirgi vaqtda kremniy Quyosh fotoenergetikasi uchun asosiy material hisoblanadi va uning asosida 90% dan ortiq QE ishlab chiqariladi. Fotoenergetika sanoatini rivojlantirishning yuqori templari ishlab chiqaruvchilaridan yuqori, toza kremniyni olish jarayonlarini rivojlantirish va tadqiq etishga ko‘proq e’tibor qaratishni majbur etadi. Qoidaga muvofiq, fotoenergetika sohasi uchun kremniyni mashhur «Simens-jarayoni» kabi bug‘ni kimyoviy cho‘ktirish asosidagi usul va qaynoq qatlam reaktorlari asosida ishlab chiqarishning texnologik sxemasi bo‘yicha olinadi. Bu guruhlar uchun texnologik usullar va jarayonlar ko‘p o‘zlashtirilganligi sababli bunga ko‘p e’tibor qaratmaymiz. Mono – va multikristaldan tayyorlangan QE klassik konstruksiyasi 3.4 a-rasmda keltirilgan. 3.2-rasmga muvofiq monokristall kremniyli QE uchun maksimal samaradorlik 25,3% ni tashkil etadi. 92-karra Quyosh nurlari konsentratsiyasidan foydalanilganda (Amonix kompaniyasi) maksimal samaradorlik 27,6% olingan. Bunday konstruksiyada multikristall kremniyli QE qo‘llash samaradorlikni 21,9% gacha kamayishiga olib keladi. Bu guruhlarda konsentratorlar qo‘llanilgan holatda maksimal samaradorlik NIT (yupqa qatlamli strukturalar yordamidagi a) 3.4-rasm. Quyosh elementlarining klassik konstruksiyasi: a-s-Si asosidagi; b-a-Si:N/s-Si (HIT-texnologiya) asosidagi geteroo‘tishlarda; c-a-Si:N/ -Si:N asosidagi yupqa qatlamlarda; TSO – shaffof o‘tkazuvchi oksid (odatda indiy-titan oksidi (ITO)); ARC – antiakslantiruvchi qoplama. c) geteroo‘tishlar) bo‘yicha tayyorlanadigan kremniyli QE da 26,6% ni tashkil etadi. 3.4 b-rasmda kristal kremniy asosidagi geterostrukturali QE shakllantirish texnologiyasining umumiy konsentratsiyasi keltirilgan. Oldindan tayyorlangan kimyoviy qayta ishlangan taglik yordamida strukturalangan va tozalangan yuzaga xususiy va chegirlangan amorf kremniy qatlamlaridan tashkil topgan omik va geterokontakt plazmali kimyoviy cho‘ktirish usuli bilan shakllantirildi. Yuza tomoniga tok yig‘ilishini ta’minlovchi kumushrang kontakt trafaret pechat usulida yotqiziladi, ya’ni shaffof o‘tkazuvchi qoplama uchiriladi. Orqa kontakt kumush va indiy-titan oksidi qatlamlarining uchirish bilan shakllantiriladi. Texnologik jarayon etti bosqichdan iborat bo‘lib 18 operatsiyali kristall kremniyli QE olish (Sun Power firmasi) IBC texnologiyasiga qaraganda birmuncha kamdir. 3.4-rasm a – Si : H/μc – Si : H asosidagi yupqa qatlamli QE konstruksiyasi ko‘rsatilgan. Qoidaga muvofiq, bunday jihozni olishning texnologik zanjiri katta miqdordagi texnologik qadamlardan tashkil topadi, QE o‘zi esa NIT – texnologiya bilan taqqoslaganda juda kichik samaradorlikga ega va degradatsiyaga barqaror bo‘lmagan element hisoblanadi. 3.2-rasmga muvofiq yupqa qatlamli QE maksimal samaradorligi 21,2% ni tashkil etadi. Shunday qilib, bu guruhda Quyosh fotoenergetikasining rivojlanishida eng istiqbolli bo‘lgan QE bu NIT – texnologiyasi asosida ishlab chiqarish hisoblanadi. Uchinchi texnologik guruhda qarab chiqiladigan QE birinchi guruh elementlari kabi bo‘lib ikkinchi avlod elementlari deb atash mumkin. Ularni tayyorlash uchun kristall kremniyli QEga nisbatan kam yarimo‘tkazgichli materiallar talab qilinadi. Ammo bu guruhdagi QE ishlab chiqarishda salbiy omillar sifatida quyidagilarni aytish mumkin, yupqa qatlamli texnologiyada zaharli va narxi o‘ta yuqori bo‘lgan nodir elementlar zarur bo‘ladi. Bundan tashqari yupqa qatlamlarni bir tekisda yotqizish kabi mavjud texnologik muammolar elementlardan modulga o‘tish vaqtida nisbatan samaradorlikni katta yo‘qotilishiga olib keladi. Bu guruhda maksimal samaradorlikga ega CIGS deb nomlanadigan Cu (In, Ga) (Se, S)2 xalkopiritlar asosidagi ikkinchi avlod yupqa qatlamli QE hisoblanadi. Ular laboratoriya sharoitlarida nisbatan engil sintezlanadi va texnologik xususiyatlariga ko‘ra ularni vakuumdan foydalanib yoki foydalanilgan holdagi usullar yordamida olish mumkin. Vakuum variantli usulga ko‘ra bu birmuncha QE narxiga taqalsada, bunda eng yuqori samaradorlik ~ 22,6% olingan, vakuumsiz variant usulida 17% ortiq samaradorlikga ega QE olish imkoniyati yo‘q. CIGS asosidagi QE strukturasi 3.5-rasmda keltirilgan. Bu yerda CIGS p-turdagi yarimo‘tkazgich sifatida yupqa molibden bilan qoplangan, quyi kontakt vazifasini bajaradigan taglikga yotqizilgan. n-tur ostida legirlangan keng zonali yarimo‘tkazgich CdS qatlamini yotqizish orqali indiy-titan (to‘rli kontakt) shaffof o‘tkazgich va shaffof rux oksidi yupqa qatlami bilan yopiladigan p-n struktura yaratiladi. 14,7 krat. zichlashtirilgan Quyosh nurlanishi darajasidan 3.5-rasm. CIGS asosidagi quyosh elementlarining tipik strukturasi 3.6-rasm. CdTe asosidagi quyosh elementlarining tipik strukturasi QUYOSH ENERGETIKASI 78 foydalanilganda CIGS asosidagi QS samaradorligini 23,3% (3.2- rasm) ga oshirish mumkin. Bu guruhda navbatdagi natijaviyligi bo‘yicha CdTe asosidagi QE masimal erishilgan FIK 22,1% hisoblanadi. CdTe asosidagi QE tipik strukturasi 3.6-rasmda keltirilgan. Bunday QE olishning asosiy texnologiyasi bo‘lib sublimatsiya jarayonlari, kimyoviy uchirish, gaz fazadan kimyoviy cho‘ktirish, epitiksiya, trofaret hisoblanadi. Bu kabi QE ni jahonda etakchi ishlab chiqaruvchi «First Solar» kompaniyasi bo‘lib rekord ko‘rsatkichi 21,5% (2016-y.) ni tashkil etadi. Kompaniya direktorlarining so‘zlariga ko‘ra korxonaning asosiy vazifasi «Kristall kremniyli a’nanaviy texnologiya bilan taqqoslaganda CdTe afzalligining doimo raqobatdoshligining tasdiqlanishi» hisoblanadi. 2014-yilda «Bloomberg» Qatarda eng ko‘p foydalaniladigan QE narxi va Quyosh modullarining joriy narxi, sotuvdagi narxlari haqida e’lon qildi. QE samaradorligi haqida yangi ma’lumotlar bilan birgalikda Quyosh fotoelektrik texnologiyasi bo‘yicha olinadigan elektroenergiya xarajatlari darajasini rivojlantirishni ko‘rsatish mumkin bo‘lgani uchun bu ma’lumotlar ko‘paytirilgan. Bu ma’lumotlar kelajakda Qatarda Quyosh fotoenergetikasi uchun elektr energiya harajatlari darajasini rivojlantirish yo‘l xaritasini aniqlashga imkon beradi. Yupqa plyonkali CdTe asosidagi tadqiq etiladigan QE uchun samaradorlikni rivojlantirish tezlashmoqda, bu esa o‘z navbatida bu QE olinadigan energiyani 60% bo‘lgan chiqimlar darajasini qisqartirish mumkin. Bu guruhda eng kichik samaradorlikga ega (14,0%) amorf kremniy asosidagi yupqa qatlamli QE hisoblanadi. Bunda modullarning asosiy muammosi amorf elementning degradatsiyasi hisoblanadi. Uchinchi texnologik guruhga kiradigan qarab chiqilgan QE asosan bino va inshoatlarning konstruksiyalari elementlarida qo‘llaniladi. To‘rtinchi texnologik guruhdagi QE materiallari va texnologiyalariga yaqinda etarlicha o‘rganilgan (yuqorida keltirib o‘tilgan texnologiyalar bilan taqqoslaganda) va oxirigi yillarda rivojlanish tendensiyalari eng ko‘pligi bilan ahamiyatlidir. Bu guruhga sensibi- III bob. YARIMO‘TKAZGICHLI MATERIALLAR ASOSIDAGI QUYOSH ELEMENTLARI 79 lizatsiyalangan bo‘yoqlar, perovskitlar, organik va tandem organik plyonkalar asosidagi texnologiyalar, shuningdek kolloid texnologiyasi asosida olingan kvant nuqtalarini kiritish mumkin. Bu guruhda eng istiqbolli hisoblangan QE perovskitlardir. «Koreya ximiya texnologiyalari ilmiy-tadqiqot institute» dagi Seo Jang-Won boshchiligida tadqiqot guruhi perovskitli QE eng katta samaradorlikga ega 22,7% (2017-y.) ni qayd etishdi. Bunday QE uchinchi avlodga mansub bo‘lib ular engil va egiluvchandir, ularni tayyorlash nisbatan sodda va arzon usullarni qo‘llashni talab qiladi. Ammo, ta’kidlab o‘tish kerakki, ayni vaqtda ular vaqtinchalik degratsiya bilan zararlanadi. Bu QE ga yuqori talabdagi germetizatsiyani qo‘llash kerak bo‘ladi. Bugun bu texnologik guruxdagi QE ishlab chiqarish sanoat masshtabida mavjud emas. Bu QE tayyorlash uchun arzon texnologik gurux bo‘lib laboratoriya tadqiqot bosqichida turibdi. Yuqorida qayd etilgan texnologiya bo‘yicha QE yaratishning muqobili sifatida kvant nuqtali ko‘pqatlamli nanogeteroepitiksial struktura asosidagi bir o‘tishli elementlarni tayyorlash hisoblanadi. Bu holatda element dizayni sezilarli tarzda soddalashadi, bunday QE bir kaskadli hisoblanadi. Uni tayyorlash uchun ikkita yarimo‘tkazgich material ishlatiladi: birinchisi – keng zonali (matritsali), boshqasi – tor zonali (kvant nuqtani tayyorlash uchun). Bunday QE strukturasi namunasi va uning energetik sxemasi 3.7- rasmda keltirilgan. Nazariy isbotlandiki, Eg2 > Eg1 taqiqlangan zona kengligiga ega keng zonali yarimo‘tkazgich materialdan tayyorlangan QE ga Eg1 taqiqlangan zona kengligiga ega tor zonali yarimo‘tkazgich materialdan iborat kvant nuqtani kiritilishi keng zonali yarimo‘tkazgich materialda yutilmaydigan hν > Eg2 energiyali qisqa to‘lqinli nurlanish, shuningdek hν > Eg2 energiyali nurlanishni utilizatsiya qilish imkonini beradi. Bunda kvant nuqtali bir o‘tishli QEning energetik diagrammasida (3.7 b-rasm) ko‘rsatilgandek, ikki uzun to‘lqinli yorug‘lik kvantlari energiyasi yig‘indisi hisobiga Quyosh nurlanishi spektrining uzun to‘lqinli qismining utilizatsiyasi amalga oshiriladi. QUYOSH ENERGETIKASI 80 1990-yillarda NREL xodimi Artur Nozik Quyosh nurlanishi qisqa to‘lqinli spektri nurlangan kvantlari orqali tor zonali yarimo‘tkazgichlarda kvant nuqtali bir qancha elektron-kovaklar juftligini olish imkoniyatiga ega bo‘ldi. 2006-yilda PbCc kvant nuqtasi ultrabinafsha nurlanish bilan yoritilganda bitti foton ettita elektronni hosil qilish eksperimental aniqlandi, 2007-yilda esa kvant nuqtali kremniyda λ = 0,48 mkm to‘lqin uzunligiga ega bitta nurlanish fotoni ikkita elektronni yuzaga keltirdi. Nazariy tahlil shuni ko‘rsatmoqdaki, kvant nuqta yordamida quyosh nurlanishi spektrining uzun va qisqa to‘lqinli qismining utilizatsiyasi QE samaradorligini yaqin termodinamik chegaraga (84% dan ko‘p) erishishga imkon beradi. Si da Ge kvant nuqtali quyosh elementlari uchun 53% samaradorlikga erishish mumkinligini nazariy baholash mumkin. Ge/Si nanogeterostrukturasi asosidagi qurilmalarning samaradorligini oshirish fazoviy kvantlash effekti tufayli amalga oshirish imkoni bo‘ladi. QE da katta zichlikga ega N (yutilish koeffitsientini oshirish uchun) massiv kvant nuktalari zarurdir va imkon qadar L o‘lchov bo‘yicha kvant nuqtalarini keng taqsimlash, bu quyosh spektridan to‘liq foydalanishni ta’minlaydi. Nanogetereoepitaksial kvant nuqtali matritsali material sifatida keng zonali yarimo‘tkazgichlilarni qo‘llash texnik-iqtisodiy xarakteristikalari yaxshilangan QE tayyorlashga imkon beradi. 3.7-rasm. Kvant nuqtali bir o‘tishli Quyosh elementi (a) va uning energetik diagrammasi (b). a) b) III bob. YARIMO‘TKAZGICHLI MATERIALLAR ASOSIDAGI QUYOSH ELEMENTLARI 81 1) Ta’qiqlangan zona kengligining katta qiymati Eg yaratiladigan QE yuqori ishchi harorat-chegarasi va yuqori harorat barqarorligini aniqlaydi; 2) To‘g‘ri optik o‘tishlar bilan aniqlanadigan asosiy yutilish yo‘lining keskin kars ning III–V to‘g‘ri zonali yarimo‘tkazgichlar guruhida mavjudligi yupqa qatlamli QE Quyosh nurlanishini yuqori o‘zgartirish samaradorligini olish imkoniyatiga olib keladi; 3) Yuqori radiatsion barqarorlikga erishish imkoniyati mavjud, shuningdek bu materiallarda radiatsion nurlanish ta’sirida bu materiallar uchun xarakterli bo‘lgan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar diffuzion uzunliklari kichik qiymatining sezilarli kamayishi yuz bermaydi; 4) ΙΙΙ–V guruhlardagi keng zonali materiallarning p-n o‘tishlarida katta potensial to‘siq kichik tok qiymatlarini asoslabgina qolmasdan, bir tomondan QE chiqish quvvatining yorug‘lik oqimiga (katta yorug‘lik oqimlari sohasida) chiziqli bog‘liqligining katta sohasini ta’minlasa, boshqa tomondan kichik yorug‘lik oqimi va harorat diapozonida yuqori samaradorlikni olishga imkon beradi; 5) GaAs dan tashqari, keng zonali yarimo‘tkazgich sifatida bir o‘tishli QE olish uchunGaP dan foydalanish istiqbollidir, tor zonali kvant nuqtali QE olish uchun esa Ge, InAs, GaSb shuningdek ular asosidagi qattiq birikmalar (GaxSi1–x, InAsP, GaInSb) zarurdir. Kvant nuqtali nanogeteroepitaksial strukturali metall organik birikmali (MOCVD) yuqori samarali QE ni bug‘ fazasidan kimyoviy cho‘ktirish va molekulyar-nur epitaksiya usullari orqali olish bo‘yicha urinishlarda matritsali material sifatida GaAs dan foydalaniladi, kvant nuqtalar uchun esa InAs, kvant nuqtalarni kiritish QE da kvant samaradorlikni oshiradi, balki kamaytiradi, bunda kvant nuqtalar massivining ortishi bilan QE samaradorligi kamayadi. Download 410.94 Kb.

Download 410.94 Kb.