Reja: Bipolyar tranzistor xarakteristikasi




Download 0,91 Mb.
bet3/3
Sana13.02.2024
Hajmi0,91 Mb.
#155380
1   2   3
Bog'liq
Bipolyar tranzistor xarakteristika va parametrlarining temperaturaga

I K = a l E + I K0 va I K = f i l B + ( P + 1)/™-
Turli tem peraturalarda chiqish xarakteristikalarni o‘lchash UB
ulangan sxema uchun /£=const va UE sxema uchun esa / B=const
hollarda bajarilishi kerak. Shuning uchun tem peratura ortganda UB
ulangan sxem ada oc const bo‘lib Zoning ortishi faqat IKn qiymatining
ortishiga bogTiq. Ammo, / A.0odatda a ¡E ga nisbatan ancha kichik
bo'lgani uchun, Zoning o'zgarishlarini e ’tiborga olmasa ham bo‘ladi

UB ulangan sxemaning muhim afzalligi - chiqish xarakteristikalari


tem peratura barqarorligining yuqoriligidan iborat.
a) b) UB (a) va UE (b) ulangan BTning chiqish
xarakteristikalariga temperaturaning ta’siri.


UE ulangan BT chiqish xarakteristikalari tem peraturaga k o ‘proq
bog‘liqligi sababli, tem peratura o ‘zgarganda baza toki IB qiym atini
o‘zgarmas saqlab turish zarur. Agar (3 temperaturaga bog‘liq em as
deb qaralsa, kollektor toki /A ning tem peraturaga bogiiqligi (/? + 1)1 K0
had bilan aniqlanadi. /^ to k tem peratura har 10 °C ga o rtg an d a
taxminan ikki marta ortadi va misol uchun (3 =99 b o ig an d a tran zisto r
chiqish xarakteristikalarining nisbiy dreyfi tenglamaning faqat ikkinchi
hadi hisobiga 300 % ni tashkil etadi.
UE ulangan tranzistor chiqish xarakteristikalarining tem p eratu ra
o'zgarishlarga sezgirligi ko‘rinib turibdi. Shu sababdan,
ishchi rejimni barqarorlash uchun tranzistorni boshqarishda baza toki
bilan boshqarish rejimidan E 0 ‘ kuchlanishi bilan boshqarish rejim iga
o‘tish taklif etiladi.
a va p koeffitsientlar ham tranzistor ishchi rejimiga, y a’ni K O ‘dagi
tok va kuchlanishga bogliq a) b)
p ning kollektor tokiga (a) va kuchlanishiga (b)
bogliqligi.


Baza tokini uzatish koeffitsienti p ning kichik toklar sohasida
kam ayishi E O ‘dagi va sirt b o ‘ylab re k o m b in a tsiy a h is o b ig a
tushuntiriladi. Katta toklar sohasidagi kamayishi esa nom uvozanat
zary ad tashuvchilar konsentratsiyasi katta b o ‘lganda bazaning
solishtirm a o‘tkazuvchanligining ortishi bilan asoslanadi.
ß ning temperaturaga bog‘liqligi
Download 0,91 Mb.
1   2   3




Download 0,91 Mb.

Bosh sahifa
Aloqalar

    Bosh sahifa



Reja: Bipolyar tranzistor xarakteristikasi

Download 0,91 Mb.