|
asos ichida yoki sirtida joylashadi, elektr jihatdan birlashtirilgan vaBog'liq 3-mMasos ichida yoki sirtida joylashadi, elektr jihatdan birlashtirilgan va
yagona qobiqga joylashtirilgan bo’lib, yagona hisoblanadi. IMS
elementlarining hammasi yoki bir qismi va elementlararo
bog’lanishlar yagona texnologik siklda bajariladi. Shu sababli
integral mirosxemalar yuqori ishonchlilikka va kichik tannarhga
ega.
Hozirgi kunda yasalish turi va hosil bo’ladigan tuzilmaga ko’ra
IMSlarning uchta prinsipial turi mavjud: yarim o’tkazgichli,
pardali va gibrid. Har bir IMS turi konstruktsiyasi, mikrosxema
tarkibiga kiradigan element va komponentlar sonini ifodalovchi
integratsiya darajasi bilan xarakterlanadi.
Asosiy IMS konstruktiv belgilaridan biri bo’lib asos
turi hisoblanadi. Bu belgiga ko’ra IMSlar ikki turga bo’linadi:
yarim o’tkazgichli va dielektrik.Asos sifatida yarim
o’tkazgichlimateriallar orasida kremniy va galliy arsenidi keng
qo’llaniladi. IMSning barcha elementlari yoki elementlarning bir
qismi yarim o’tkazgichli monokristall plastina ko’rinishida asos
ichida joylashadi.Dielektrik asosli IMSlarda elementlar uning
sirtida joylashadi. Yarim o’tkazgich asosli mikrosxemalarning
asosiy afzalligi – elmentlarning juda katta integratsiya darajasi
hisoblanadi, lekin uning nominal parametrlari diapazoni juda
cheklangan bo’lib ular bir - biridan izolyatsiyalanishni talab qiladi.
Dielektrik asosli mikrosxemalarning afzalligi – elementlarning juda
yaxshi izolyatsiyasi, ularning xossalarining barqarorligi, hamda
elementlar turi va elektr parametrlari tanlovining kengligi. Pardali
va Gibrid mikrosxemalarPardali IS – bu dielektrik
asos sirtiga
|
| |
