Эмиттердан инжекцияланган электронлар токининг база соҳасида рекомбинация ҳисобига камайиши электронларни ташиш коэффициенти деб аталувчи катталик билан ифодаланади

Эмиттердан инжекцияланган электронлар токининг база соҳасида рекомбинация ҳисобига камайиши электронларни ташиш коэффициенти деб аталувчи катталик билан ифодаланади

• Эмиттердан инжекцияланган электронлар токининг база соҳасида рекомбинация ҳисобига камайиши электронларни ташиш коэффициенти деб аталувчи катталик билан ифодаланади

.

• Реал транзисторларда =0,980 ÷ 0,995.
• Актив режимда транзисторнинг КЎ тескари йўналишда силжитилганлиги сабабли, коллектор занжирида хусусий ток IК0 оқади. У икки хил ноасосий заряд ташувчиларнинг дрейф токларидан ташкил топган. Натижада р-n ўтишнинг тескари токи амалда тескари кучланишга боғлиқ бўлмайди ва хона температурасида кремнийли ўтишларда IК0=10-15 А ни ташкил этади.
• Шундай қилиб, эмиттер токи бошқарувчи, коллектор токи эса бошқарилувчидир. Шунинг учун БТ ток билан боршқарилувчи асбоб дейилади.

БТ асосий параметрлари

• Кириш қаршилиги: [Ом] ;
• Чиқиш қаршилиги: [Ом] ;
• Ток бўйича кучайтириш коэффициенти: ;
• Кучланиш бўйича кучайтириш коэффициенти: ;
• Қувват бўйича кучайтириш коэффициенти: .

БТ нинг h- параметрлари

h11 – UКЭ доимий кучланишда, кириш қаршилиги ;

h12 – кучланиш бўйича тескари алоқа коэффициенти;

h21 – УЭ схемасида токни узатиш коэффиценти, UКЭ кучланиши доимий қийматга эга бўлганда транзисторнинг кучайтириш хусусиятларини кўрсатади (β орқали ҳам белгиланади).

h22- база токи доимий бўлгандаги чиқиш ўтказувчанлиги.

Эмиттер токининг узатиш коэффициенти

• Коллектор токи икки ташкил этувчидан иборат

.

• Агар IКn эмиттернинг тўлиқ токи билан боғлиқлиги эътиборга олинса, у ҳолда


Download 354,43 Kb.