|
Solved problems
|
| bet | 13/23 | | Sana | 18.01.2024 | | Hajmi | 2,03 Mb. | | #140347 |
Bog'liq Book practise for Semicon (2) Gibrid organik-noorganik Perovskitlar uchun yangi davr ochish, 5-5, 619 17-Mavzu Ped кор, file, Sotvoldiyev Xasanboy Rasuljon o‘g‘li, 9 – Mauza. Ms access dasturida hisobotlar Reja Accessda hisobot, LBxVFbQW42aNGaM3j1o99zIxoBBuRvNF9XA6nON7, Mámleketlik sa-WPS Office, referat, McCarathy Calculator Poster, Controlled Influence of In and Si Doping on the Spectral Characteristics of CdTe Epitaxial Layers Grown on Poly-Silicon Substrates Using Vacuum Thermal Evaporation (VTE), NAMANGAN ENGLISH1, Амалий машгулот, Book tables
1. Quyosh elementi materialining taqiqlangan soha kengligi Eg = 1.6 eV bo’lsa, ushbu quyosh elementida fotoelektrik generatsiya uchun optimal nurlanish to’lqin uzunligini aniqlang? (Javob: λ = 0,78 μm)
2. Agar berilgan quyosh elementi fotoelektrik generatsiyasi uchun optimal nurlanish to’lqin uzunligi λ = 1.02 μm bo’lsa, fotoelement materialining taqiqlangan sohasining kengligini aniqlang. (Javob: Eg = 1,21 eV)
3. Germaniy (Ge) elementining taqiqlangan soha kengligi 0,6 eV. Ge dan tayyorlangan quyosh elementining fotelektrik generatsiyasi uchun optimal nurlanish to’lqin uzunligini aniqlang. (Javob: λ = 2 μm)
4. CdTe materiali taqiqlangan sohasining kengligi 1,4 ev ga teng. CdTe quyosh batareyasi fotoelektrik generatsiya uchun nurlanishning optimal to’lqin uzunligini aniqlang. (Javob: λ = 0,89 μm)
5. Kremniyning taqiqlangan soha kengligi Eg = 1,1 eV. Kremniyli quyosh elementida fotoelektrik generatsiya uchun optimal nurlanish to’lqin uzunligini hisoblang. (Javob: λ = 1,13 μm)
6. CdS uchun taqiqlangan soha kengligi 2.4 ev ga teng. CdS asosidagi quyosh elementida fotoelektrik generatsiya sodir bo’lishi uchun yorug’likning optimal to’lqin uzunligini aniqlang. (Javob: λ = 0,52 μm)
7. Ga1-x Alx As (0 g=1,4 - 1,9 eV. Ga1-x Alx As quyosh batareyasida x1 = 0 va x2 = 0.34 bo’lganda fotoelektrik generatsiya uchun yorug’likning optimal to’lqin uzunligini hisoblang.
(Javob: λ1 = 0,88 μm, λ2 = 0,65 μm)
8. Ga1-x Alx As uchun taqiqlangan soha kengligi 0.34 (Javob: λ1 = 0,65 μm; λ2 = 0,56 μm)
9. Quyidagi yarimo’tkazgichlardan qaysi biri shaffof, qisman shaffof, ko’rinadigan yorug’lik uchun shaffof emas (λ = 0.4-0.7 μm): Si, GaAs, GaP va GaN?
|
| |
