|
Toshkent axborot texnologiyalari universiteti
|
| bet | 2/2 | | Sana | 22.05.2024 | | Hajmi | 15,41 Mb. | | #249892 |
Bog'liq 2-Mustaqil ish 24-variant.
Variant №
|
Bipolyar tranzistor
|
RB, kOm
|
R, kOm
|
EM=E2, V
|
4
|
2N2221
|
56
|
10
|
5V
|
Bipolyar transistor asosidagi elektron kalit uzatish xarakteristikasini o‘lchash prinsipial sxemasi NI Multisim dasturiy muhitida variant bo’yicha yig’ilib, parametrlari sozlandi.
E1=UKIR kuchlanishini berilgan qiymatga mos holda oshirib borib, chiqish kuchlanishi (UCHIQ), baza toki (Ib) va kollektor toki (Ik) qiymatlarini jadvalga yozib olindi;
|
0
|
0.2
|
0.4
|
0.6
|
0.8
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
4.995
|
4.995
|
4.994
|
4.674
|
3.275
|
1.759
|
0.095
|
0.073
|
0.062
|
0.054
|
-0.000051
|
0.000028
|
0.000111
|
0.00012
|
0.00039
|
0.00073
|
0.025
|
0.043
|
0.061
|
0.079
|
0.000888
|
0.000888
|
0.007106
|
0.338
|
1.193
|
1.36
|
1.378
|
1.383
|
1.386
|
1.387
|
Natijalar asosida quyidagi grafiklar chizildi:
Maydoniy tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalarni
tadqiq etish
Ishning maqsadi: Maydoniy tranzistor (MT)larni kalit rejimida ishlash xossalarini oʻrganish. MTni yuklama rezistori sifatida qoʻllanilishini oʻrganish.
1. Laboratoriya ishini bajarishga tayѐrgarlik koʻrish:
Bu ishni bajarishda stok toki zanjiridagi qarshilik qiymatining uzatish xarakteristikasi koʻrinishiga ta'sirini oʻrganib chiqing. Kvazi chiziqli yuklama sifatida turli maydoniy tranzistorlar qoʻllanilganda uzatish xarakteristikalar turlicha boʻlishiga ahamiyat bering.
Mantiqiy signallar sathlarini aniqlashda kalitning uzatish xarakteristikasi UЧИҚ=f(UКИР) dan foydalanilishiga e'tibor bering. (2.1- rasm)
2.1 – расм. Калитнинг узатиш характеристикаси
ME larning amplitud-uzatish xarakteristikasi Uchiq=f(Ukir) ularning xalaqitbardoshligini, standart signalning amplitudasi va sathini belgilaydi. «K» nuqtaga mos keluvchi chiziqlar Uкв kuchlanishni kvantlash chegarasi deb ataladi. Agar U>Uкв, bo‘lsa signal mantiqiy «1», Uкв, bo‘lsa signal mantiqiy «0» deb hisoblanadi. Kuchlanishni kvantlash chegarasi Uкв ME ning AUX ni ikkita, ya'ni signallarni mantiqiy «0» va «1» ga tasvirlash sohalariga bo‘ladi
Mantiqiy nol U0 hamda mantiqiy bir U1 sathlar uzatish xarakteristikasi va uning koʻzguli aksi (punktir chiziq) kesishgan nuqtalardan aniqlanadi. ΛU = U1 – U0 mantiqiy signallarning sathlar farqi deb ataladi.
2.2 – rasm. . n -MDYa tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemasi. (Yuklamada rezistor)
|
2.3 – rasm. n -MDYa tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemasi. (Yuklamada tranzistor)
|
2.4 – rasm. VT1 va VT2 lar sifatida K176LP1 mikrosxemadagi ixtiѐriy komplementar tranzistorlar juftligi yoki alohida kalit sxemasi
|
Ishni bajarish tartibi.
n -MDYa tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemasi (Yuklamada rezistor) uchun:
1. 2.2-rasmda berilgan sxemani NI Multisim dasturiy muhitida yigʻing va berilgan variant boʻyicha MDYa tranzistorni, rezistor R qiymatini hamda kuchlanish manbai qiymatini E2=9 V qilib oʻrnating;
2. Kirish kuchlanishi UKIR E1 manba qiymatini 2.1– jadvaldagi kabi oshirib borib, UCHIQ в vaIST qiymatlarini jadvalga yozib oling;
2.1 – jadval
UКIR, V
|
0
|
0.5
|
1
|
1.5
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
UCHIQ, V
|
8.99
|
8.99
|
8.99
|
8.99
|
8.99
|
8.99
|
0.047
|
0.017
|
0.015
|
0.014
|
0.014
|
0.014
|
IIST, mА
|
0.009892
|
0.009892
|
0.009892
|
0.009892
|
0.009892
|
0.009892
|
8.953
|
8.983
|
8.985
|
8.986
|
9.986
|
9.96
|
3. Tajriba natijalari 2.1– jadvaldan foydalanib UCHIQ=f(UКIR) vа IIST=f(UКIR) bogʻliqlik grafiklarini quring.
n -MDYa tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemasi, (Yuklamada tranzistor) uchun:
1. 2.3-rasmda berilgan sxemani NI Multisim dasturiy muhitida yigʻing va berilgan variant boʻyicha MDYa tranzistorni hamda kuchlanish manbai qiymatini E2=9 V qilib oʻrnating;
2. Kirish kuchlanishi UKIR E1 manba qiymatini 2.2– jadvaldagi kabi oshirib borib, UCHIQ в vaIST qiymatlarini jadvalga yozib oling;
11.2 – jadval
UКIR, V
|
0
|
0.5
|
1
|
1.5
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
UCHIQ, V
|
5.135
|
5.135
|
5.135
|
5.135
|
5.135
|
5.135
|
5
|
4
|
3.727
|
3.694
|
3.679
|
3.67
|
IIST, mА
|
0.005651
|
0.005651
|
0.005651
|
0.005651
|
0.005651
|
0.005651
|
0.02
|
1.416
|
2.179
|
2.279
|
2.328
|
2.357
|
3. Tajriba natijalari 2.2– jadvaldan foydalanib UCHIQ=f(UКIR) vа IIST=f(UКIR) bogʻliqlik grafiklarini quring.
KMDYa tranzistorlarda yasalgan kalit uzatish xarakteristikasini tadqiq etish:
1. 2.4-rasmda berilgan sxemani NI Multisim dasturiy muhitida yigʻing va berilgan variant boʻyicha MDYa tranzistorni hamda kuchlanish manbai qiymatini E2=9 V qilib oʻrnating; p-MDYa tranzistorini NI Multisim dasturiy muhitida tanlab oling;
2. Kirish kuchlanishi UKIR E1 manba qiymatini 2.3– jadvaldagi kabi oshirib borib, UCHIQ в vaIST qiymatlarini jadvalga yozib oling;
2.3 – jadval
UКIR, V
|
0
|
0.5
|
1
|
1.5
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
UCHIQ, V
|
8.696
|
8.696
|
8.696
|
8.696
|
8.696
|
8.696
|
8.245
|
8.132
|
8.031
|
7.944
|
7.924
|
7.916
|
IIST, mА
|
0.009577
|
0.009577
|
0.009577
|
0.009577
|
0.009577
|
0.009577
|
1.208
|
5.16
|
10.194
|
15.041
|
16.187
|
16.636
|
3. Tajriba natijalari 2.3– jadvaldan foydalanib UCHIQ=f(UКIR) vа IIST=f(UКIR) bogʻliqlik grafiklarini quring.
Xulosa:Men bu mustaqil ishni bajarish davomida Bipolyar tranzistorli sodda elektron kalit sxemasida statik rejimlarni va o‘tish jarayonlarini va Bipolyar tranzistorli sodda elektron kalit sxemasida statik rejimlarni va o‘tish jarayonlarini tajriba sinab ko’rdim. O’zimga yangi bilimlarga ega bo’ldim.
|
| |
