Транзисторы

Transistor - bu faol elektron komponentlar toifasiga kiruvchi yarimo'tkazgichli elektron qurilma. Yarimo'tkazgich qatlamlarining joylashishiga qarab, tranzistorlar ikkita asosiy turga bo'linadi - NPN tranzistorlari va PNP tranzistorlari.

• Transistor - bu faol elektron komponentlar toifasiga kiruvchi yarimo'tkazgichli elektron qurilma. Yarimo'tkazgich qatlamlarining joylashishiga qarab, tranzistorlar ikkita asosiy turga bo'linadi - NPN tranzistorlari va PNP tranzistorlari.

Transistor - yarimo'tkazgichli materialdan tayyorlangan radioelektron komponent,odatda uchta oyoqqa ega bo'lib, elektr zanjirida kirish signallari oqimni boshqarishga imkon beradi.

• Transistor - yarimo'tkazgichli materialdan tayyorlangan radioelektron komponent,odatda uchta oyoqqa ega bo'lib, elektr zanjirida kirish signallari oqimni boshqarishga imkon beradi.
• Chiqish pallasida joriy nazorat kirishni kuchlanish yoki to`kni o'zgartirish orqali amalga oshiriladi. Kirish miqdorlarining sezilarli kichik o'zgarishi chiqish voltaji va oqimidagi katta darajadao'zgarishlar olib kelishi mumkin.

Tuzilishi bo'yicha:

• Tuzilishi bo'yicha:
• Bipolyar transistor
• Maydoniy transistor
• Asosiy yarimo'tkazgich materialiga ko'ra:
• Germanikalar
• Kremniy
• Galiy arsenid

Quvvat bo`yicha

• Quvvat bo`yicha
• 100 mVt gacha bo'lgan kam quvvatli tranzistorlar
• 0,1 dan 1 Vt gacha bo'lgan o'rta quvvatli tranzistorlar
• Kuchli tranzistorlar (1 Vt dan ortiq)

Bipolyar tranzistor uchta hududdan iborat: emitir, baza va kollektor, ularning har biri kuchlanish bilan ta'minlangan. Ushbu hududlarning o'tkazuvchanligi turiga qarab, n-p-n va p-n-p tranzistorlar farqlanadi. Odatda kollektor maydoni emitir maydonidan kengroqdir. Baza engil qo'shilgan yarimo'tkazgichdan qilingan (shuning uchun u yuqori qarshilikka ega) va juda nozik qilingan.

• Bipolyar tranzistor uchta hududdan iborat: emitir, baza va kollektor, ularning har biri kuchlanish bilan ta'minlangan. Ushbu hududlarning o'tkazuvchanligi turiga qarab, n-p-n va p-n-p tranzistorlar farqlanadi. Odatda kollektor maydoni emitir maydonidan kengroqdir. Baza engil qo'shilgan yarimo'tkazgichdan qilingan (shuning uchun u yuqori qarshilikka ega) va juda nozik qilingan.

Transistorning asosiy sxemasi kollektor-emitter pallasida oqayotgan oqimni boshqaradi.Bazaga berilgan past kuchlanishni kichik chegaralarda o'zgartirish orqali kollektor-emitter pallasida oqimni juda keng diapazonda o'zgartirish mumkin. NPN tuzilishiga ega bipolyar tranzistorning ishlash printsipi. Bazaga qo'llaniladigan oqim tranzistorni ochadi va kollektor-emitter pallasida oqim o'tishiga imkon beradi. Bazaga qo'llaniladigan kichik oqimdan foydalanib, kollektordan emitentga oqadigan yuqori quvvat oqimini boshqarish mumkin.

• Transistorning asosiy sxemasi kollektor-emitter pallasida oqayotgan oqimni boshqaradi.Bazaga berilgan past kuchlanishni kichik chegaralarda o'zgartirish orqali kollektor-emitter pallasida oqimni juda keng diapazonda o'zgartirish mumkin. NPN tuzilishiga ega bipolyar tranzistorning ishlash printsipi. Bazaga qo'llaniladigan oqim tranzistorni ochadi va kollektor-emitter pallasida oqim o'tishiga imkon beradi. Bazaga qo'llaniladigan kichik oqimdan foydalanib, kollektordan emitentga oqadigan yuqori quvvat oqimini boshqarish mumkin.