Nazorat savollari
1. Maydoniy tranzistor nima va nima sababli ular unipolyar tranzistorlar deb
ataladi ?
2. Maydoniy tranzistorlar sinflanishini keltiring.
3. Maydoniy tranzistor kanali, zatvor, stok, istok va asoslari nima ?
4. R-n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor ishlash prinsipi nimadan iborat ?
5. Asosga nisbatan zatvor va istok oralig‘idagi kuchlanish o‘zgarishida kanal geometriyasi qanday o‘zgaradi ?
6. Zatvor va istok oralig‘idagi kuchlanish maydoniy tranzistor stok toki qiymatiga qanday ta’sir ko‘rsatadi ?
7. Maydoniy tranzistorlarning asosiy ulanish sxemalarini aytib bering.
8. Maydoniy tranzistor qanday rejimlarda ishlashi mumkin ?
9. Maydoniy tranzistor asosiy xarakteristikalarini aytib bering.
VI BOB. KENG POLOSALI KUChAYTIRGIChLAR
════════════════════════════════════════════
Analog integral mikrosxemalar elementar negiz bosqichlar asosida yasaladilar. Negiz bosqichlarga UE sxemada ulangan bipolyar tranzistorlar hamda UI sxemada ulangan maydoniy tranzistorlardan yasalgan bir bosqichli kuchaytirgichlar kiradi. Negiz bosqichlar bir vaqtning o‘zida tok yoki kuchlanish, hamda tok va kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish bilan quvvatni kuchaytiradilar.
6.1. Bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi
Umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi eng keng tarqalgan. Kuchaytirgich tahlil qilinganda signal manbai yoki qarshilik RG bilan ketma – ket ulangan ideal kuchlanish manbai YeG ko‘rinishida (6.1 a-rasm), yoki qarshilik RG bilan parallel ulangan ideal tok manbai IG ko‘rinishida (6.1 b-rasm) ifodalanishi mumkin.
a) b)
6.1 – rasm.
Agar RG va kuchaytirgich bosqichining kirish qarshiligi qiymatlari bir – biriga yaqin bo‘lsa, signal manbaining turi hisoblash aniqligiga ta’sir ko‘rsatmaydi. Agar RG kuchaytirgich bosqichining kirish qarshiligidan ancha katta bo‘lsa, 6.1 b-rasmda keltirigan signal manbaidan, aks holda esa 6.1 a-rasmda keltirigan signal manbaidan foydalanish tavsiya etiladi.
Umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi sxemasi 6.2 – rasmda keltirilgan.
Sxemani tahlil qilganda, tranzistor holati kirish kuchlanishi bilan boshqarilganda uzatish xarakteristikasi (6.3-rasm), chiqish xarakteristikalar oilasi (4.5-rasm) hamda kirish xarakteristikalar oilasi (4.4-rasm) dan foydalanish qulay.
6.2 – rasm. 6.3 – rasm.
Uzatish xarakteristikasi - kollektor toki IK ning baza – emitter kuchlanishi UBE ga bog‘liqligi eksponensial funksiya bilan approksimatsiyalanadi
. (6.1)
bu yerda - termik potensial, IKS – proporsionallik koeffitsienti bo‘lib uning tahminiy qiymati mikroquvvatli kremniyli tranzistorlar uchun T=300 K bo‘lganda 10-9 mA tartibga ega bo‘ladi.
Kirish signali mavjud bo‘lmaganda kuchaytirgich bosqichi sokinlik rejimida bo‘ladi. Sokinlik rejimida kollektor – emittter kuchlanishining doimiy tashkil etuvchisi .
Kirishga o‘zgaruvchan kirish signalining musbat yarim davri berilsa, baza toki ortadi va u kollektor toki o‘zgarishiga olib keladi. Bu holat uzatish xarakteristikasi (6.3-rasm) dan ko‘rinib turibdi. Kollektor toki IK ning UBE kuchlanishiga bog‘liq ravishda o‘zgarishi xarakteristika tikligi S bilan ifodalanadi:
UKE = const bo‘lganda
Bu kattalikni (6.1) ifodadan foydalanib ham topish mumkin:
(6.2) .
Shunday qilib, tiklik kollektor tokiga proporsional bo‘lib, har bir tranzistorning individual xossalariga bog‘liq bo‘lmaydi. Shuning uchun bu kattalikni aniqlashda o‘lchashlar talab qilinmaydi.
Kirish signali ta’siri natijasida RK dagi kuchlanish ortadi, UKE kuchlanish esa kamayadi, ya’ni manfiy yarim davrli chiqish signali shakllanadi. Demak, bunday kuchaytirgich bosqichi chiqish va kirish kuchlanish signallari orasida 180 0 ga faza siljishini amalga oshiradi. Kollektor toki Ik
.
kattalikka ortadi.
Chiqish kuchlanishi UChIQ esa
.
kattalikka kamayadi.
Demak kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti (yuklama mavjud bo‘lmaganda (IYu=0)), quyidagiga teng
(6.3)
Masalan, agar RK =5 kOm; =25 mV; IK k=1 mA; S= 40 mA/V, u holda KU=-200.
Kollektor toki faqat UBE kuchlanishiga emas, balki UKE kuchlanishiga ham bog‘liq bo‘ladi. Bu bog‘liqlik differensial chiqish qarshiligi bilan xarakterlanadi
UBE = const bo‘lganda,
Bu yerda proporsionallik koeffitsienti UE Erli kuchlanishi. UE ning qiymatlari kremniyli n-p-n tranzistorlar uchun 80-200 V atrofida bo‘ladi. rKE hisobiga
(6.5) .
Signal manbaiga nisbatan kuchaytirish bosqichi uchun kirish qarshiligi katta rol o‘ynaydi. Uning qiymati qancha katta bo‘lsa, signal manbai shuncha kam yuklanadi va shunchalik yaxshi kirish bosqichiga uzatiladi. Kirish zanjirini yuklamaga ulangan kuchlanish manbai ko‘rinishida ifodalash uchun differensial kirish qarshiligi kattaligi kiritiladi
UKE = const bo‘lganda.
Kirish qarshiligi rBE va tiklik S orasida quyidagi bog‘liqlik mavjud
,
bu yerda - tok uzatish differensial koeffitsienti. Amaliy hisoblar uchun quyidagi nisbatdan foydalanish mumkin
(6.6).
Kuchaytirgich bosqichining chiqish yoki ichki qarshiligi rChIQ bu bosqichni yuklama (keyingi bosqich) bilan o‘zaro ta’sirlashuvida katta rol o‘ynaydi. Kuchaytirgichning chiqish qarshiligi yuklamadan tok oqib o‘tayotganda chiqish kuchlanishini kamayishiga olib keladi va bu holatni kuchaytirish koeffitsientini hisoblayotganda hisobga olish kerak bo‘ladi.
Yuklama qarshiligi RYu va chiqish qarshiligi rChIQ kuchaytirgich kuchaytirish koeffitsientini martaga kamaytiruvchi kuchlanish bo‘luvchisini hosil qiladilar. Chiqish ichki qarshiligi . Natijada yuklamadagi kuchaytirish koeffitsienti
. (6.7)
Kuchaytirish koeffitsienti temperatura o‘zgarishiga bog‘liq, chunki .
Nihoyat, tok bo‘yicha differensial kuchaytirish koeffitsienti quyidagi ifoda yordamida aniqlanadi
UKE = const bo‘lganda.
Bu kattalik statik koeffitsientdan kollektor tokining keng o‘zgarish diapazonida sezilarli farq qilmaydi va ga teng.
Nochiziqli buzilishlarni kamaytirish va kuchaytirish koeffitsientini temperaturaviy barqarorligini oshirish maqsadida kuchaytirgich bosqichiga manfiy teskari aloqa kiritiladi.
|
