|
СОЗДАНИЯ СКРЫТЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ NiSiBog'liq 1 ТДТУ 2023 01 10 2023СОЗДАНИЯ СКРЫТЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ NiSi
2
, В ПРИПОВЕРХНОСТНОЙ
ОБЛАСТИ КРЕМНИЯ
А.К.Ташатов
1
, Н.М.Мустафоева
2
1
Каршинский государственный университет
2
Каршинского института ирригации и Агротехнологий
Гетероструктуры типа NiSi
2
/Si имеют больше перспективы в создание новых
приборов функциональной электроники, в частности, в создании СВЧ-транзисторов,
детекторов излучения, омических контактов и барьерных структур. Большинство
силицидных фаз обладают свойствами характерными для металлов. Физико-химические
свойства тонких и сверхтонких плёнок хорошо изучены только для силицидов Na, Ва, Pd и
Со [1, 2].
Данный работа посвящен получению нанокристаллическых фаз и слоев NiSi
2
на
различных глубинах приповерхностной области Si изучению их электронной и
кристаллической структуры и параметров зон. Перед напылением, проволоки из особо
чистого Ni обежгаживались в течении 5-6 часов. Скорость напыления пленок определялась
предварительно с использованием метода ОЭС в сочетании с отжигоми и она составляла
~0,5 Å/мин. Напыление атомов Ni, прогрев образцов, исследования их состава и параметров
энергетических зон с использованием методов оже-электронной и ультрафиолетовой
фотоэлектронной спектроскопии (ОЭС и УФЭС) и измерением интенсивности
проходящего через образец света проводились в одном и том же приборе в условиях
сверхвысокого вакуума (Р = 10
-7
Па). Морфология поверхности изучалась методами
растровой электронной и атомно-силовой микроскопии (РЭМ и АСМ). Напыление Ni
различной толщины (от 10 Å до 100 Å) проводилась при комнатной температуре, при этом
образовались сплошные аморфные пленки и на границе раздела Ni/Si не наблюдалось
заметной взаимодиффузии Ni в Si и Si в Ni.
|
| |
