|
“Физика ва электрониканинг долзарб муаммолари”Bog'liq 1 ТДТУ 2023 01 10 2023“Физика ва электрониканинг долзарб муаммолари”
мавзусидаги Республика илмий-амалий анжумани
Тошкент, 2023 йил, 3-4 ноябрь
25
Рис.1. Зависимость интенсивности Оже пиков Si (E=1619 эВ) и Ni (E=848 эВ) для системы
Si/NiSi
2
/Si(111);
нм
d
Si
50
=
,
нм
d
NiSi
20
2
=
Для создания трехслойной системы на поверхности гетероэпитаксиалной структуры
NiSi
2
/Si (111) при Т=1000 К напылялась пленки Si с толщиной ~50 нм. Толщина NiSi
2
составляла ~20 нм. Испарение кремния осуществлялось электронной бомбардировкой.
Увеличение Т до 1100-1150 К способствует получению монокристаллической
пленки Si. Однако, при этом из-за нарушение сплоченности пленки NiSi
2
формируется
островковые образования. На рис.1 представлен оже профиль сформированной
гетероструктуры Si/NiSi
2
/Si(111).
Видно, что граница раздела между слоями Si/NiSi
2
и NiSi
2
/Si(111) резкая и толщина
переходных слоев не перевешает 4-5 нм. Наши дальнейшее исследования показали, что в
случает массивных пленок NiSi
2
толщиной 500-600 нм, островки образуются при Т≈1200 К.
ЛИТЕРАТУРА
1. Алтухов А.А., Жирнов В.В. //Материалы II-го Всесоюзного межотраслевого
совещания “Тонкие пленки в электронике”: Москва-Ижевск. 1991. С. 15-22.
2. B.E.Umirzakov, D.A.Tashmukhamedova, A.K.Tashatov, N.M.Mustafoeva, Technical
Physics, 2019, 64(5), 708–710
ШИРИНА ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ СКРЫТЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ NiSi
2
,
СОЗДАННЫХ В ПРИПОВЕРХНОСТНОЙ ОБЛАСТИ Si МЕТОДОМ ИОННОЙ
ИМПЛАНТАЦИИ
Н.М.Мустафоева
1
|
| |
