|
Guruh talabasi Quldoshev Otabekning
|
| Sana | 17.12.2023 | | Hajmi | 270.58 Kb. | | #121334 |
Bog'liq Elektronika va sxemalar Mustaqil ish 5-ma'ruza, 2 5323664851619288983, Tabiiy fan, 7-МАЪРУЗА (лотин), 1 topshiriq (3), 1-Topshiriq. Sarimsakova.Sh.U, Презентация Microsoft PowerPoint (2), Boshlang‘ich ta’lim yo‘nalishi bo‘yicha tuzilgan test savollari -hozir.org, 3-Mustaqqil ish, 1-Web dizaynning asosiy prinsiplari bilan amaliyotda tanishuv, O‘zbekistonda pensiya va nafaqalar barmoq izi ma’lumotlari asosida to‘lanishi kutilmoqda, Yulduzkursishi, sabrina
Muhammad al-Xorazmiy nomidagi
Toshkent axborot texnologiyalari universiteti
Nurafshon filiali
Kompyuter injiniringi fakulteti
730-22 guruh talabasi
Quldoshev Otabekning
Elektronika va sxemalar fanidan
Mustaqil ish
Toshkent-2023
Mavzu: 15-ma’ruza hamda, 13-14-laboratoriya mashg‘ulotlari mavzulari asosida. Maydoniy tranzistorlar (MT) Integral mikro- sxemalar. Hisoblash natijalari hisobot shakilda topshiriladi.
Reja:
Maydoniy tranzistorlar.
Integral mikrosxemalar.
Xulosa.
Tranzistor (inglizcha: transfer —koʻchirmoq va rezistor) — elektr tebranishlarni kuchaytirish, generatsiyalash (hosil qilish) va oʻzgartirish uchun moʻljallangan 3 elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda mikroelektronika qurilmalarining asosiy elementi.
Tranzistorlar tuzilishi, ishlash prinsipi va parametrlariga koʻra 2 ta sinfga ajratiladi — bipolyar va maydoniy (unipolyar) tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarda ikkala turdagi (p-tipli va n-tipli) oʻtkazuvchanlikka ega boʻlgan yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bipolyar tranzistor, oʻzaro yaqin joylashgan p-n oʻtish hisobiga ishlaydi va baza-emitter oʻtishi orqali tokni boshqaradi. Maydoniy tranzistorlarda faqat bir turdagi (n-tipli yoki p-tipli) yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bunday tranzisorlarning bipolyar tranzistorlardan asosiy farqi shundaki, ular kuchlanishni boshqaradi, tokni emas. Kuchlanishni boshqarish zatvor va istok orasidagi kuchlanishni oʻzgartirish orqali amalga oshiriladi.
Hozirgi kunda analog texnikalar olamida bipolyar tranzistorlar (BT) (xalqaro atama — BJT, Bipolar Junction Transistor) asosiy oʻrinni egallagan. Raqamli texnikalar sohasida esa, aksincha maydoniy tranzistorlar bipolyar tranzistorlarni siqib chiqargan. Oʻtgan asrning 90-yillarida, hozirgi davrda ham elektronikada keng miqyosda qoʻllanilayotgan bipolyar-maydoniy tranzistorlarning gibrid koʻrinishi — IGBT ishlab chiqildi.
1956-yilda tranzistor effektini tadqiq qilgani uchun William Shockley, John Bardeen va Walter Brattain fizika boʻyicha Nobel mukofoti bilan taqdirlanishgan.
1980-yilga kelib, oʻzining kichik oʻlchamlari, barqaror ishlashi, iqtisodiy jihatdan arzonligi hisobiga tranzistorlar elektronika sohasidan elektron lampalarni siqib chiqardi. Shuningdek, kichik kuchlanish va katta toklarda ishlay olish qobiliyati tufayli, elektromagnit rele va mexanik uzib-ulagichlarga ehtiyoj qolmadi.
Elektron sxemalarda tranzistor „VT“ yoki „Q“ harflari bilan hamda joylashgan oʻrniga muvofiq indeks bilan belgilanadi. Masalan, VT15. Rus tilidagi adabiyotlar va hujjatlarda esa XX asrning 70-yillariga qadar „T“, „PP“ (poluprovodnikoviy pribor) yoki „PT“ (poluprovodnikoviy triod) kabi belgilanishlar ham ishlatilgan.
Integral (ingl. Integrated circuit, IC, microcircuit, microchip, silicon chip or chip) (mikro)sxema (IC, IMC, m/sx) chip, mikpochip-mikroelektron qurilmasi, murakkab elektron sxema, tayyorlanishi yarimo‘tkazgichli kristall (yoki plyonkali). Integral mikrosxemalar turli ko‘rinishda va turli xillarda ishlab chiqariladi. Ular ikki usul bilan bosma plataga kavsharlanadi.
Birinchi usuli an’anaviy usul bo‘lib, bosma plataning tuynukchalariga mikrosxemaning oyoqchalarini o‘rnatib bosma platani ikkinchi tomonidan kavsharlanadi.
Ikkinchi usul bosma platadagi yo‘lchalar ustiga qo‘yib kavsharlanadi. Bu usulni sirtqi montaj deyiladi, sirtqi montaj uchun radioelementlarni 2009-yildan ishlab chiqarish yo‘lga qo‘yilgan. Hozirgi kunda asosan sirtqi montaj uchun radioelementlar ishlab chiqarilmoqda.
Mikrosxemaning kashf qilinishi yupqa oksidli plyonkaning xossasi va xususiyatini o‘rganish va unga elektr kuchlanish uzatib elektr o‘tkazuvchanligini tekshirishdan boshlangan. Muammo shundan iborat ediki, ikki metall bir-biriga tegib turishida elektr kontaktni hosil qilmagan yoki qutblar xossasi to‘g‘ri kelmagan, uzoq muddat o‘rganishlar natijasida diod va tranzistorlar kashf qilingan. 1958-yil boshqa-boshqa joyda yashovchi olimlar bir vaqtda: biri Jek Kolbi «Texas Instruments», ikkinchisi Robert Noys yarimo‘tkazgichli «Fairchild Semi conductor» korxonasi olimi mikrosxema kashf qilgan. Bu ikki olim mikrosxema yaratishda rezistor, kondensator va boshqa komponentlarni mikrosxema ichiga joylashtirish masalasi to‘g‘risida gaplashib, o‘zaro fikr almashib olishgan. Oldingi vaqtda mikrosxemaning normal ishlashi uchun rezistor, kondensatorlar alohida bosma plataga joylashtirilgan edi, olimlar yarimo‘tkazgichli bitta monolit kristalldan foydalanishni sinab ko‘rishni kelishib olishdi, lekin Kolbi germaniy, Noys kremniyni tanlagan. Bu kashfiyotlari uchun 1959-yil ikkala olim alohida patent olishga erishgan. 1961-yil «Fairchild Semiconductor Corporation» korxonasi mikrosxemalarni sotuvga chiqardi. Bu esa, o‘z navbatida, kalkulator va kompyuter ishlab chiqarilishiga odim qadam tashlandi, kompyuter o‘lchamlari birmunchaga qisqardi, ishlab chiqarish birmuncha ortdi.
|
| |
