|
Muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti samarqand filiali hisob
|
| Sana | 11.04.2024 | | Hajmi | 0.6 Mb. | | #193231 |
Bog'liq 4-MAVZU.MTda YASALGAN KUCHAYTIRGICH SXEMASINI TADQIQ ETISH. A1Medical Catalog, Aliena · SlidesCarnival, 777777777777кафедра АРМ ва кафедралардаги мавжуд хорижий адабиётлар, Havoni konditsiyalash tizimining prinsipial sxemalari, Yer osti va yuzasida suv taminoti manbalari, 0biIu71YOpc7qm0WFfBVN19hE3sgdlar2lwTitX8, 2П-1 новая, tort-retsepti, 2- ma’ruza Determinantlar va ularning asosiy xossalari. Reja, 22 12.01.2018, BHA 47-22 M.NiyozovaMustaqil ishi, a — копия (2), 4-mavzu, 3-Topshiriq (1)
4- MAVZU
|
MAYDONIY TRANZISTORDA YASALGAN KUCHAYTIRGICH SXEMASINITADQIQ ETISH.
|
Ishning maqsadi: Maydoniy tranzistordan yasalgan kuchaytirgich bosqichini tadqiq qilish va dinamik xarakteristikalari va differensial parametrlarini o‘lchash.
Laboratoriya mashg‘ulotida o‘lchangan natijalar asosida 4.1–jadval to‘ldiriladi.
4.1 - jadval
ωt
|
0
|
15
|
30
|
45
|
60
|
75
|
90
|
va x.k.
|
UZI , V
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IS , mA
|
|
|
|
|
|
|
|
|
USI, V
|
|
|
|
|
|
|
|
|
O‘lchangan qiymatlar asosida IS = f(ωt), UZI= f(ωt), USI = f(ωt) va
IS= f(UZI), IS= f(USI), grafiklari chiziladi.
UZI= f(ωt)
USI = f(ωt)
IS= f(UZI),
Olingan grafiklar asosida quydagi koeffitsiyentlari qiymatlarini hisoblab topiladi:
Xarakteristika tikligi
USI = const bo‘lgandagi ;
Ichki (differensial) qarshilik
UZI = const bo‘lgandagi ;
Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti
IS = const bo‘lgandagi yoki .
Multisim dasturi asosida yig’ilgan sxema.
Nazorat savollari
UZ, UI va US kuchaytirgich kaskadlari orasida qanday farqlar bor (sxemalari, parametrlari va xarakteristikalari)?
Maydoniy tranzistorning, tranzistorli kuchaytirgich bosqichining ekvivalent sxemasini chizing.
Maydoniy tranzistorli kuchaytirgichning kirish va chiqish qarshiligini, kuchlanishi, tok va quvvat bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyentlarini o‘lchang (aniqlang).
Maydoniy tranzistorli kuchaytirgich bosqichida signal buzilishining paydo bo‘lish sabablari.
Maydoniy tranzistorning chegaraviy chastotani qanday tushunasiz?
Adabiyotlar ro’yxati
A.A. Tulyaganov, S.S. Parsiev, V.A Tulyaganova, U.M. Abdullayev Elektr zanjir nazariyasi. (o’quv qo'llanma). Т.: Aloqachi, 2018. 144 bet
X.K.Aripov, AM. Abdullayev, N.B. Alimova, J.T. Maxsudov, A.A. Tulyaganov, Sh.T.Toshmatov. Elektronika va sxemotexnika (darslik) Toshkent: «Aloqachi», 2017y, 376 b.
Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., Toshmatov Sh.T. “Sxemotexnika” (darslik), Toshkent. «Tafakkur bo’stoni», 2013. 447 b.
Thomas F. Schubert, Jr., Ernest M. Kim. Fundamentals of Electronics Book I: Electronic Devices and Circuit Applications, 2014,
B.T. Еременко, A.A. Paбочий, А.П. Фисун, Н.И. Невров, A.B. Тютякнн, А.Е. Георгиевский. Основы электротехники и электроники. Учебник. Орел. 2012
|
| |
