Bipolyar tranzistorda yasalgan UB kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish.
Ishdan maqsad: Umumiy bazali sxema bo‘yicha ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasini nuqtalar bo‘yicha qurish
Sxemaning tavsifi
Kuchaytirish kaskadi umumiy bazali sxema bo‘yicha ulangan bipolyar tranzistorda bajarilgan (1-rasm).
1-rasm. Bipolyar tranzistorli kuchaytirish kaskadi
V1 va V2 Voltmetrlar baza-emitter Ube va kollektor-emitter kuchlanishlarini Uke ko‘rsatadi. A1 Ampermetr yordamida baza toki Ib o‘lchanadi. Kuchaytirgichning kirish va chiqishlari ossillograf hamda bode plotter ga ulangan. Ossillograf yordamida kuchaytirgichning kirish va chiqishidagi kuchlanishlar kuzatiladi, bode plotter yordamida esa kuchaytirish kaskadining amplituda chastotaviy (ACHX) va faza chastotaviy xarakteristikalari (FCHX) olinadi. Umumiy bazali sxema bo‘yicha ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasi emitter tokining o‘zgarmas qiymatida kollektor baza kuchlanishi va kollektor toki orasidagi bog‘lanishni ifodalaydi, ya’ni
IK= f(UKB), IE=const.
Tajriba sxemasi 1-rasmda keltirilgan.
1-rasm. Umumiy bazali sxema bo‘yicha ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasini olish sxemasi
Sxemada ikkita SS ulab-uzgich mavjud bo‘lib , ular yordamida 1 mA yoki 10 mA ga teng bo‘lgan emittera toki IE o‘rnatiladi. Ampermetr A1 va voltmetr V1 kollektor toki va kuchlanishini o‘lchash uchun xizmat qiladi.
GEN generatorning Offset parametri yordamida qiymatlari 1 kOm yoki 10 kOm bo‘lgan cheklovchi rezistorlar orqali tranzistorning kollektoriga kuchlanish beriladi.
Ishni bajarish tartibi
1. EWB dasturini ishga tushiring va 1-rasmda ko‘rsatilgan sxemani yig‘ing.
2. Sxema elementlarining parametrlarini 1-rasmda ko‘rsatilgandek o‘rnating.
3. Sxemani Ctrl va G klavishalarini bosib ishga tushiring.
4. SS ulab-uzgichni 1 mA li tok manbasiga ulang, ushbu holda emitter toki IE=1 mA bo‘ladi.
5. GEN generatorning Offset parametrini 0 V teng qilib o‘rnating va ampermetr hamda voltmetrning ko‘rsatishlarini yozib oling.
6. GEN generatorning Offset parametrini 0 V dan 20 V gacha 1-jadvalda ko‘rsatilgan qadam bilan o‘zgartirib, uning har bir qiymati uchun ampermetr va voltmetrning ko‘rsatishlarini yozib oling.
7. Olingan natijalarni 1-jadvalda keltiring.
1-жадвал
IЭ, мА
|
|
Offset, В
|
|
0
|
2
|
4
|
6
|
8
|
9
|
10
|
11
|
12
|
15
|
20
|
1
|
U, В
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I, мА
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
10
|
U, В
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I, мА
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
8. SS ulab-uzgichni 10 mA li tok manbasiga ulang va tajribaning 5, 6 va 7 punktlarini qaytadan bajaring.
9. Olingan natijalarga asosan umumiy bazali sxema bo‘yicha ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikalarini emitter tokining 1 mA va 10 mA qiymatlari uchun quring.
3-rasm. Display Graphs ni ishga tushirish
6. Kuchaytirgichning kirish va chiqishidagi signallarning ossillogrammalarini ko‘rish uchun Display Graphs ning Ossilloscope bo‘limini, ACHX, FCHX larni ko‘rish uchun Bode bo‘limini oching (4-rasm).
4-rasm. Modellash natijalari
7. Kuchaytirish kaskadining chiqishiga qarshiligi 1 kOm bo‘lgan yuklamani Spase (probel) klavishasini bosish yo‘li bilan ulang va tajribaning 3, 4, 5, 6-bo‘limlarini qaytadan bajaring.
|
