|
1-amaliy mashg‘ulot yarim o‘tkazgichli asboblarning klassifikatsiyasi va shartli belgilari. Sxemalardagi sig‘im, qarshiliklarni hisoblash usullarini o‘rganish. To‘g‘rilagich diodlarning parametrlarini hisoblash
|
| bet | 1/4 | | Sana | 25.06.2024 | | Hajmi | 395,25 Kb. | | #265565 |
Bog'liq 1-Amaliy mashg‘ulot
1-AMALIY MASHG‘ULOT
Yarim o‘tkazgichli asboblarning klassifikatsiyasi va shartli belgilari. Sxemalardagi sig‘im, qarshiliklarni hisoblash usullarini o‘rganish. To‘g‘rilagich diodlarning parametrlarini hisoblash (masalalar yechish). To‘g‘rilagich diodlarning volt-amper tavsiflarini (VAT) tuzish va uning asosida parametrlarni hisoblab chiqarish
1.1. Yarim o‘tkazgichli asboblarning klassifikatsiyasi va shartli belgilari
Yarim o‘tkazgichli asboblarning ko‘pchiligi bir jinsli bo‘lmagan yarim o‘tkazgichlardan tayyorlanadi. Xususiy xolatda bir jinsli bo‘lmagan yarim o‘tkazgich bir sohasi p-turdagi, ikkinchisi esa n-turdagi monokristaldan tashkil topadi.
Bunday bir jinsli bo‘lmagan yarim o‘tkazgichning p va n - sohalarining ajralish chegarasida hajmiy zaryad qatlami hosil bo‘ladi, bu sohalar chegarasida ichki elektr maydoni yuzaga keladi va bu qatlam elektron kovak o‘tish yoki p-n o‘tish deb ataladi. Ko‘p sonli yarim o‘tkazgichli asboblar va integral mikrosxemalarning ishlash prinsipi p-n o‘tish xossalariga asoslangan.
p-n o‘tish hosil bo‘lish mexanizmini ko‘rib chiqamiz. Soddalik uchun, n–sohadagi elektronlar va p - sohadagi kovaklar sonini teng olamiz. Bundan tashqari, har bir sohada uncha katta bo‘lmagan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar miqdori mavjud. Xona temperaturasida r - turdagi yarim o‘tkazgichda akseptor manfiy ionlarining konsentratsiyasi Na kovaklar konsentratsiyasi p ga, n - turdagi yarim o‘tkazgichda donor musbat ionlarining konsentratsiyasi Nd elektronlar konsentratsiyasi nn ga teng bo‘ladi. Demak, p- va n-sohalar o‘rtasida elektronlar va kovaklar konsentratsiyasida sezilarli farq mavjudligi tufayli, bu sohalar birlashtirilganda elektronlarning p - sohaga, kovaklarning esa n-sohaga diffuziyasi boshlanadi.
Diffuziya natijasida n - soha chegarasida elektronlar konsentratsiyasi musbat donor ionlari konsentratsiyasidan kam bo‘ladi va bu soha musbat zaryadlana boshlaydi. Bir vaqtning o‘zida r - soha chegarasidagi kovaklar konsentratsiyasi kamayib boradi va u akseptor kiritmasi bilan kompensatsiyalangan ion zaryadlari hisobiga manfiy zaryadlana boshlaydi (1-rasm). Musbat va manfiy ishorali aylanalar mos ravishda donor va akseptor ionlarini tasvirlaydi.
Hajmiy zaryadlar turli ishoralarga ega bo‘ladilar va p-n o‘tishda kuchlanganligi ga teng bo‘lgan elektr maydon hosil qiladilar. Asosiy zaryad tashuvchilar uchun bu maydon tormozlovchi bo‘lib ta’sir ko‘rsatadi va ularni p-n o‘tish bo‘ylab erkin harakat qilishlariga qarshilik ko‘rsatadi. 1 b-rasmda o‘tish yuzasiga perpendikulyar bo‘lgan, X o‘qi bo‘ylab potensial o‘zgarishi ko‘rsatilgan. Bu vaqtda nol potensial sifatida chegaraviy soha potensiali qabul qilingan.
1.1-rasm. p-n o’tish
Rasmdan ko‘rinib turibdiki, p-n o‘tishda voltlarda ifodalanadigan kontakt potensiallar farqiga teng bo‘lgan potensial to‘siq yuzaga keladi. UK kattaligi dastlabki yarim o‘tkazgich material ta’qiqlangan zona kengligi va kiritma konsentratsiyasiga bog‘liq bo‘ladi. p-n o‘tish kontakt potensiallar farqi: germaniy uchun 0,35 V, kremniy uchun esa = 0,7 V.
P-n o‘tish kengligi l0 ga proporsional bo‘ladi va mkmning o‘nlik yoki birlik qismlarini tashkil etadi. Tor p-n o‘tish hosil qilish uchun katta kiritma konsentarsiyasi kiritiladi, l0 ni kattalashtirish uchun esa kichik kiritmalar konsentratsiyasi qo‘llaniladi.
Zanjir qarshiligini hisoblash elektrotexnikadagi turli muammolarni hal qilishda zarur. Mohiyati murakkab tarmoqlangan elektr zanjirini oddiy elektr zanjiri deb ataladigan yagona ekvivalent qarshilikka ega bo‘lgan zanjirga kamaytirishdir.
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
1-amaliy mashg‘ulot yarim o‘tkazgichli asboblarning klassifikatsiyasi va shartli belgilari. Sxemalardagi sig‘im, qarshiliklarni hisoblash usullarini o‘rganish. To‘g‘rilagich diodlarning parametrlarini hisoblash
|
