Emitterlari bog‘langan mantiq elementi (EBM)

Download 4.46 Mb.
bet	2/10
Sana	08.02.2023
Hajmi	4.46 Mb.
	#41539

Bog'liq
Tajriba Elektronika 4 kurs sirtqi (2)
Улчов бланка, Yusuf saryomiy va tasavvuf adabiyoti, Aziza rezume, 9-Mavzu O’tkir zaharlanishlar va ularga qarshi chora tadbirlar., 5,6,7,8,10-sinf test informatika, 11-klass informatika 1-4 sherek testleri, 10-klass informatika 1-4 sherek testleri, 8-klass informatika 1-4 shereklik test, 9-klass informatika 1-4 sherek test, 8-klass informatika 1-4 shereklik test, 9-klass informatika 1-4 sherek test, 10-klass informatika 1-4 sherek testleri, 11-klass informatika 1-4 sherek testleri, 5-synp

Bu sahifa navigatsiya:

• Bir turdagi MDYa – tranzistorlarda yasalgan elementlar (n – MD Ya )

Emitterlari bog‘langan mantiq elementi (EBM). EBM elementi DK kabi tok qayta ulagichi asosida bajariladi. Ikki mantiqiy kirishga ega bo‘lgan bir yelka ikki tranzistordan iborat bo‘ladi (VT1 va VT2), keyingi yelka esa - VT3 dan tashkil topadi. Yuklama qobiliyatini oshirish va signal tarqalishi kechikishini kamaytirish maqsadida qayta ulagich VT4 tranzistorda bajarilgan emitter qaytargich bilan to‘ldirilgan. VT3 bazasiga Ye0 – tayanch kuchlanishi beriladi va bu bilan uning ochiq holati ta’minlanadi. Ixtiyoriy biror kirishga (yoki ikkala kirishga) mantiqiy birga mos keluvchi signal berilsa unga mos keluvchi tranzistor ochiladi, natijada I0 tok sxemaning o‘ng yelkasidan chap yelkasiga o‘tadi. VT4 tranzistor baza toki kamayadi va u berkiladi va chiqishda mantiqiy nolga mos potensial o‘rnatiladi. Agar ikkala kirishga mantiqiy nolga mos signal berilsa, u holda VT1 va VT2 tranzistorlar berkiladi, VT3 esa ochiladi. R1 orqali oqib o‘tayotgan tok VT4 tranzistorni ochadi va sxemaning chiqishida mantiqiy birga mos kuchlanish hosil bo‘ladi. Bu sxema 2YoKI-EMAS amalini bajaradi. Iste’mol quvvati 2050 mVt, tezkorligi esa 0,73 ns ni tashkil etadi. 2 – rasm. Bir turdagi MDYa – tranzistorlarda yasalgan elementlar (n – MDYa). 2 – rasmdan – kanali induksiyalanuvchi MDYa – tranzistorlarda bajarilgan sxema keltirilgan. 3 – rasm. Yuklama tranzistori VT0 doim ochiq. Chiqishda juda kichik kuchlanish darajasi U0ChIQ ni ta’minlash maqsadida ochiq VT1 va VT2 tranzistorlarning kanal qarshiliklari VT0 tranzistor kanal qarshiligidan kichik bo‘lishi kerak. Shu sababli VT1 va VT2 tranzistorlar kanali qisqa va keng qilib, yuklamadagi tranzistor kanali esa - uzun va tor qilib yasaladi. Biror kirishga yoki ikkala kirishga mantiqiy bir darajasiga mos keluvchi musbat potensial berilsa, (U1KIRUBO‘S), bir yoki ikkala tranzistor ochiladi va chiqishda mantiqiy nol o‘rnatiladi (U0ChIQUBO‘S). Agar ikkala kirishga ham mantiqiy nol berilsa, u holda VT1 va VT2 tranzistorlar berkiladi. Chiqishdagi potensial mantiqiy birga mos keladi. Element 2YoKI –EMAS amalini bajaradi. Iste’mol quvvati 0,11,5 mVt, tezkorligi esa - 10100 ns ni tashkil etadi. O‘KIS va KISlarda KMDYa va I2M mantiqiy elementlari qo‘llaniladi. Ular tarkibida rezistorlar bo‘lmaydi va mikrotoklar rejimida ishlaydilar. Shu sababli kristallda kichik yuzani egallaydilar va kam quvvat iste’mol qiladilar. KISlarda elementlar soni 105 ta bo‘lganda bir element iste’mol qilayotgan quvvat 0,025 mVT dan oshmasligi kerak. Download 4.46 Mb.

Download 4.46 Mb.