• Integral – injeksion mantiq elementi (I
  • Komplementar MDYa – tranzistorlarda yasalgan mantiqiy elementlar (KMDYaM)




    Download 4.46 Mb.
    bet3/10
    Sana08.02.2023
    Hajmi4.46 Mb.
    #41539
    1   2   3   4   5   6   7   8   9   10
    Bog'liq
    Tajriba Elektronika 4 kurs sirtqi (2)
    Улчов бланка, Yusuf saryomiy va tasavvuf adabiyoti, Aziza rezume, 9-Mavzu O’tkir zaharlanishlar va ularga qarshi chora tadbirlar., 5,6,7,8,10-sinf test informatika, 11-klass informatika 1-4 sherek testleri, 10-klass informatika 1-4 sherek testleri, 8-klass informatika 1-4 shereklik test, 9-klass informatika 1-4 sherek test, 8-klass informatika 1-4 shereklik test, 9-klass informatika 1-4 sherek test, 10-klass informatika 1-4 sherek testleri, 11-klass informatika 1-4 sherek testleri, 5-synp
    Komplementar MDYa – tranzistorlarda yasalgan mantiqiy elementlar (KMDYaM). Ikki kirishli element sxemasi 69 – rasmda keltirilgan. Ikkaola kirishga mantiqiy nolga mos signal berilsa n – kanalli VT1 va VT2 tranzistorlar berkiladi, r – kanalli VT3 va VT4 tranzistorlar ochiladi.
    Berk tranzistorlarning kanalidagi tok juda kichik (10-10A). Demak, manbadan tok deyarli iste’mol qilinmaydi va sxemaning chiqishida Yem ga yaqin potensial o‘rnatiladi (mantiqiy bir darajasi). Agar biror kirish yoki ikkala kirishga mantiqiy bir darajasi berilsa, VT1 va VT2 tranzistorlar ochiladi va element chiqishida potensial nolga yaqin bo‘ladi. Element 2YoKI-EMAS amalini bajaradi. Iste’mol quvvati 0,010,05 mVtni, tezkorligi esa 1020 ns ni tashkil etadi.

    4 – rasm.
    Integral – injeksion mantiq elementi (I2M). Kalit komplementar bipolyar tranzistorlar juftligidan tashkil topgan bo‘lib, n-p-n turli VT1 tranzistor ko‘pkollektorli bo‘lib, uning baza zanjiriga p-n-p turli VT2 ko‘pkollektorli tranzistor ulangan. Bu tranzistor injektor nomini olgan bo‘lib, barqaror tok generatori vazifasini bajaradi.

    a) b)
    5 – rasm.
    VT1 tranzistor emitter – kollektor oralig‘i kalit vazifasini bajaradi. Signal manbai va yuklama sifatida xuddi shunday sxemalar ishlatiladi. Agar kirishga mantiqiy birga mos keluvchi yuqori potensial berilsa, VT1 tranzistor ochiladi va to‘yinish rejimida bo‘ladi. Uning chiqishidagi potensial nol potensialiga mos keladi. Kirishga mantiqiy nolga mos keluvchi potensial berilsa, VT1 tranzistorning emitter o‘tishi berkiladi. Kovaklar toki IQ (qayta ulanish toki) VT1 tranzistorning kollektor o‘tishini teskari yo‘nalishda ulaydi. Buning natijasida VT1 chiqish qarshiligi keskin ortadi va uning chiqishida mantiqiy bir potensiali hosil bo‘ladi. Ya’ni mazkur sxema yuqorida ko‘rilgan sxemalar kabi invertor vazifasini bajaradi. Mantiqiy amallarni bajarish invertor chiqishlarini metall simlar bilan birlashtirish natijasida amalga oshiriladi. 5 b – rasmda HAM amalini bajarish usuli ko‘rsatilgan. Haqiqatdan ham, agar X1 yoki X2 kirishlardan biriga yuqori potensial berilsa U1KIR, natijada birlashgan chiqishlarda (A nuqta) past potensial hosil bo‘ladi U0. Natijada va invers o‘zgaruvchilarning kon’yuksiyasi bajariladi. Ular VT1 va VT3 invertor chiqishlarida hosil bo‘ladi: . I2M elementining tezkorligi 10100 ns va iste’mol quvvati 0,010,1 mVt. Kristallda bitta I2M elementi KMDYa –elmentga nisbatan 34 marta kichik, TTM – elementiga nisbatan esa 510 marta kichik yuzani egallaydi.
    Ko‘rib o‘tilgan mantiqiy IMS negiz elementlarining
    asosiy parametrlari jadvali
    1- jadval

    Parametr

    Negiz element turi

    TTM

    TTMSh

    n – MDYa

    Kuchlanish
    manbai, V

    5


    5


    5


    Signal mantiqiy o‘tishi
    (U1ChIQ- U0ChIQ), V

    4,5-0,4


    4,5-0,4


    TTM bilan mos keladi



    Ruxsat etilgan shovqinlar darajasi, V

    0,8


    0,5


    0,5


    Tezkorligi,
    tK. O‘RT , ns

    5-20


    2-10


    10-100


    Iste’mol quvvati, mVt

    2,5-3,5


    2,5-3,5


    0,1-1,5


    Yuklama qobiliyati

    10


    10


    20


    2- jadval



    Parametr

    Negiz element turi

    KMDYa

    EBM

    I2M

    Kuchlanish
    manbai, V

    3-15


    -5,2


    1


    Signal mantiqiy o‘tishi
    (U1ChIQ- U0ChIQ), V

    Yep-0


    (-1,6)-(-0,7)



    0,5


    Ruxsat etilgan shovqinlar darajasi, V

    0,4Ep


    0,15


    0,1


    Tezkorligi,
    tK. O‘RT , ns

    1-100


    0,7-3


    10-20


    Iste’mol quvvati, mVt

    0,01-0,1


    20-50


    0,05


    Yuklama qobiliyati

    50

    20

    5-10

    Asosiy raqamli IMS seriyalarining mantiq turlari


    3 - jadval

    Mantiq turi

    Raqamli IMS seriya raqami

    TTM

    155, 133, 134, 158

    TTMSh

    130, 131, 389, 599, 533, 555, 734, K530, 531, 1531, 1533, KR1802, KR1804

    EBM

    100, K500, 700, 1500, K1800, K1520

    I2M

    KR582, 583, 584

    r- MDYaTM

    K536, K1814

    n – MDYaTM

    K580, 581, 586, 1801, 587, 588, 1820, 1813

    KMYaTM

    164, 764, 564, 765, 176, 561




    Download 4.46 Mb.
    1   2   3   4   5   6   7   8   9   10




    Download 4.46 Mb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Komplementar MDYa – tranzistorlarda yasalgan mantiqiy elementlar (KMDYaM)

    Download 4.46 Mb.