|
Laboratoriya ishida quyidagicha topshiriq qo‘yiladi
|
| bet | 2/5 | | Sana | 09.01.2024 | | Hajmi | 0,61 Mb. | | #133001 |
Bog'liq Begzod Elektronika 10-Amaliyot, 9-Maruza, Donayev Chori. Fizika-2 MI, 1 topshiriq (4), ЭМОЦИИ И ЧУВСТВА ДОШКОЛЬНИКА, ЭТИКА МОРАЛЬ НРАВСТВЕННОСТЬ ЧЕМ РАЗЛИЧАЮТСЯ ЭТИ ПОНЯТИЯ , ГОСУДАРСТВЕННОЕ УПРАВЛЕНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ РФ, BEYJIK namuna Kimyo, Umumiy Fizika fanidan test savollari, KIBER WORD, Doc2, Struct kalit so’zi yordamida qanday tuzilma yaratiladi #Yozuv Al, 1. int turi uchun qaysi amallar o’rinli #qo’shish, ayirish, butu, 28-30Laboratoriya ishida quyidagicha topshiriq qo‘yiladi:
1. Tajribada olingan natijalarbo‘yicha optron kirish xarakteristikasini quring va Ikir=10 mA qiymatiga mos keluvchi kirish kuchlanishi Ukir qiymatini aniqlang.
2. Diodli va fotovoltaik rejimlar uchun optron uzatish xarakteristikalarini quring va Ikir=10 mA qiymatida tok bo‘yicha uzatish koeffisientini KI aniqlang.
3. Diodli optronda signal tarqalishining o‘rtacha kechikish vaqtini hisoblab toping.
. (10.1)
4. Tranzistorli optron uzatish xarakteristikasi quring va Ikir=10mA qiymatida tok qiymatida tok bo‘yicha uzatish koeffitsienti KI aniqlang.
3. O‘lchash natijalarini qayta ishlash:
1-jadval
Uft, V
Iyod,mA
|
0
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
10
|
0
|
Ift,mA
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Natija
11-laboratoriya ishi
UE ulanish sxemasidagi BTni statik VAXlarini tadqiq etish
Ishning maqsadi: UE ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o‘lchash va tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish.
1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik:
Grafik ko‘rinishda ifodalangan tok va kuchlanish orasidagi bog‘liqlik tranzistor statik xarakteristikalari deb ataladi. Umumiy emitter ulanish sxemasida mustaqil o‘zgaruvchilar sifatida baza toki va kollektor – emitter kuchlanishi tanlanadi, shunda:
(11.1)
Ikki o‘zgaruvchili funktsiya grafik ko‘rinishda xarakteristikalar oilasi kabi tasvirlanadi.
BT kirish xarakteristikalari oilasi 1 a- rasmda, chiqish xarakteristikalar oilasi 1 b-rasmda keltirilgan.
a) b)
1- rasm. UE ulanish sxemasidagi BT ni kirish (a)
va chiqish xarakteristikalar oilasi (b)
. BT statik xarakteristikalarini bo‘lakli- chiziqli aprroksimatsiyasidan foydalanib topish
Approksimatsiyalangan kirish xaratkeristiklari uchun
(11.6)
ga egamiz.
Chiqish xarakteristikalari uchun esa 11.6 formulalarda
UBO‘S- emitter o‘tishdagi bo‘sag‘aviy kuchlanish,
- tranzistor kirish qarshiligining o‘rta qiymati ( ),
- to‘yinish rejimidagi tranzistor chiqish qarshiligi (boshlang‘ich sohada).
, va (11.8)
- aktiv rejimda chiqish qarshiligi ning o‘rta qiymati.
va bo‘lganda (11.9)
Tajriba o‘tkazishga tayyorgarlik ko‘rish:
Tranzistor tuzilishi va chegaraviy parametrlari bilan tanishib chiqing, tranzistor haqidagi ma'lumotlarni yozib oling, o‘lchash uchun jadval tayyorlang.
1 – jadval
Kirish va boshqarish xarakteristikalari
ЕB
|
V
|
-53.431
|
UBE
|
V
|
-53.799
|
IB
|
mkА
|
0.053
|
IK
|
mА
|
0.054
|
2 - jadval
Tranzistor chiqish xarakteristikalari
IB, mkА
|
|
|
uКE
|
V
|
|
|
iK
|
mА
|
|
|
uКE
|
V
|
|
|
iK
|
mА
|
|
|
uКE
|
V
|
|
|
iK
|
mА
|
|
vа h.z.
|
|
|
|
3 – rasmda keltirilgan o‘lchash sxemasini yig‘ing. Tranzistor tsokolining sxemasi 5.4 – rasmda keltirilgan. Rezistor qarshiliklari R1= (5–10 ) kOm va R2=(510-1000) Om.
Natija
12 laboratoriya ishi
UB ulanish sxemasidagi BTni statik VAXlarini tadqiq etish
Ishning maqsadi: UB ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o‘lchash va tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish.
1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko’rish:
Grafik ko‘rinishda ifodalangan tok va kuchlanish orasidagi bog‘liqlik tranzistor statik xarakteristikalari deb ataladi. Umumiy baza ulanish sxemasida mustaqil o‘zgaruvchilar sifatida emitter toki va kollektor – baza kuchlanishi tanlanadi, shunda:
(12.1)
Ikki o‘zgaruvchili funktsiya grafik ko‘rinishda xarakteristikalar oilasi kabi tasvirlanadi.
BT kirish xarakteristikalari oilasi 1 a- rasmda, chiqish xarakteristikalar oilasi 1 b-rasmda keltirilgan. Xarakteristikalarning har biri quyidagi bog‘liqlik bilan ifodalanadi:
UB ulanish sxemasidagi BTni statik VAXlarini o‘lchash sxemasi
Kichik amplitudali siganllar bilan ishlanganda va qiymatlar bilan beriladigan ixtiyoriy ishchi nuqta atrofidagi nochiziqli bog‘liqliklar (12.1-12.3), chiziqli tenglamalar bilan almashtirilishi mumkin, masalan tranzistorning h- parametrlar tizimidan foydalanib.
(12.4)
yozish mumkin, bu erda , bo‘lganda
, bo‘lganda
, bo‘lganda (12.5)
, bo‘lganda
h- parametrlar (12.5) formulalari yordamida xaratkeristikalar oilasidan aniqlanishi mumkin (h11B va h12B – kirish xarakteristikalar oilasidan, h21B va h22B – chiqish xarakteristikalar oilasidan).
|
| |
