• 13-laboratoriya ishi MT statik xarakteristikalarini tadqiq etish Ishning maqsadi
  • 1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko‘rish
  • Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq




    Download 0,61 Mb.
    bet3/5
    Sana09.01.2024
    Hajmi0,61 Mb.
    #133001
    1   2   3   4   5
    Bog'liq
    Begzod Elektronika
    10-Amaliyot, 9-Maruza, Donayev Chori. Fizika-2 MI, 1 topshiriq (4), ЭМОЦИИ И ЧУВСТВА ДОШКОЛЬНИКА, ЭТИКА МОРАЛЬ НРАВСТВЕННОСТЬ ЧЕМ РАЗЛИЧАЮТСЯ ЭТИ ПОНЯТИЯ , ГОСУДАРСТВЕННОЕ УПРАВЛЕНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ РФ, BEYJIK namuna Kimyo, Umumiy Fizika fanidan test savollari, KIBER WORD, Doc2, Struct kalit so’zi yordamida qanday tuzilma yaratiladi #Yozuv Al, 1. int turi uchun qaysi amallar o’rinli #qo’shish, ayirish, butu, 28-30
    Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:
    2.1. Tajriba o‘tkazishga tayyorgarlik ko‘rish:
    Tranzistor tuzilishi va chegaraviy parametrlari bilan tanishib chiqing, tranzistor haqidagi ma'lumotlarni yozib oling, o‘lchash uchun jadval tayyorlang.

    2- rasmda keltirilgan o‘lchash sxemasini yig‘ing. Tranzistor tsokolining sxemasi3- asmda keltirilgan. Rezistor qarshiliklari R1= (270-510 ) Om va R2=(510-1000) Om.


    Natija


    13-laboratoriya ishi


    MT statik xarakteristikalarini tadqiq etish


    Ishning maqsadi: Maydoniy tranzistor statik xarakteristikalari va differentsial parametrlarini o‘rganish, tranzistor ishiga temperaturaning ta'sirini tadqiq etish.
    1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko‘rish:
    Laboratoriya ishida tuzilishi va sxemalarda shartli belgilanishi 1- rasmda keltirilgani kanali r- turli maydoniy tranzistor tadqiq etiladi.

    a) b)
    1-rasm. p – n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorni tuzilishi (a) va shartli belgilanishi (b)
    Stok toki zatvorga kuchlanish berish orqali boshqariladi, ya'ni boshqarilayotgan p-n o‘tishga teskari kuchlanish UZI>0 beriladi. UZI dagi berkitish kuchlanishi ortgan sari hajmiy zaryad sohasining kengligi ortib boradi. Natijada berilgan USIkuchlanish qiymatida kanal kengligi kichrayadi, uning qarshiligi RK ortadi, demak stok bilan istok oralig‘idagi stok toki IS kamayadi. 2- rasmda boshqarish xarakteristikasi IS= f (UZI) keltirilgan.
    Boshqaruvchi p-n o‘tishning hajmiy zaryad sohasi va asos bilan kanal orasidagi p-n o‘tish birikkandagi (stok toki ISnolga teng bo‘ladigan) zatvor kuchlanishi qiymati bo‘sag‘aviy kuchlanish UBO‘Sdeb ataladi.
    Bu kattalik to‘yinish rejimida hisoblansa, katta qiymatga ega bo‘ladi, shuning uchun tranzistor kuchaytirgich sifatida ishlatilayotganda sxemaning sokinlik nuqtasi shu rejimda tanlanadi. Chiziqli rejimda tranzistor chiqish qarshiligi zatvordagi kuchlanish UZI ga bog‘liq va taxminan tanlangan ishchi nuqtada USI kuchlanishini IS tokka nisbati ko‘rinishida yoki 13.3 – formuladan aniqlanishi mumkin.
    , (13.3).
    2.2. Stok kuchlanishining USI=1/3 USI.CHEG va 2/3 USI.CHEG qiymatlari uchun ikkita boshqaruv xarakteristikasini o‘lchang (USI.CHEG qiymati pasport ko‘rsatmalaridan olinadi). O‘lchash natijalarini 6.1 – jadvalga kiriting va undan foydalanib boshqaruv xarakteristikasini quring. Tajribada UZI kuchlanish qiymatini 0 dan bo‘sag‘aviy kuchlanish UBO‘S gacha o‘zgartiring.
    2.3. Zatvordagi kuchlanishning uchta qiymatida (UZI=0; 0,25UBO‘S; 0,5UBO‘S) chiqish xarakteristikalar oilasi IS=f(USI) ni o‘lchang.Tajriba o‘tkazishdan avval IS – USI koordinatalar tizimida tranzistorning ruxsat etilgan ishchi rejimi sohalarini belgilab oling.

    14-laboratoriya ishi

    Kanali induksiyalangan metal-dielektrik-yarimo’tkazgich (MDYa) xarakteristikalarini tadqiq etish





    Download 0,61 Mb.
    1   2   3   4   5




    Download 0,61 Mb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq

    Download 0,61 Mb.