|
3-laboratoriya ishi Mavzu: btda yasalgan ue kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish Ishning maqsadi
|
| bet | 1/2 | | Sana | 16.05.2024 | | Hajmi | 123,03 Kb. | | #237883 |
3-laboratoriya ishi
Mavzu: BTda yasalgan UE kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish
Ishning maqsadi: UE ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o’lchash va tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish.
Qisqacha nazariy ma’lumot:
Tranzistorning yaratilishi XX asrning eng muhim voqealaridan biri boʻlib, 1833-yilda ingliz olimi Maykl Faradey yarimoʻtkazgich material — kumush sulfidi bilan oʻtkazgan tajribadan boshlangan yarimoʻtkazgichlar elektronikasi sohasining keskin rivojlanishiga sabab boʻldi.
1874-yil nemis fizigi Karl Ferdinand Braun metall-yarimoʻtkazgich kontaktida bir tomonlama oʻtkazuvchanlik hodisasini aniqladi.
1906-yili injener Grinlif Vitter Pikkard nuqtaviy yarimoʻtkazgichli diod-detektorni ixtiro qildi.
1910-yilda ingliz fizigi Uilyam Ikklz baʼzi bir yarimoʻtkazgichlar elektr tebranishlarini hosil qilishi mumkinligini aniqladi. 1922-yilda esa Oleg Losev, maʼlum kuchlanishlarda manfiy differensial qarshilikka ega boʻlgan diodlarni yaratdi. Ushbu diodlar, keyinchalik, detektorli va geterodinli radiopriyomniklarda qoʻllanildi.
Bu davrning oʻziga xos tomonlaridan biri shunda ediki, u vaqtda yarimoʻtkazgichlar fizikasi hali yetarlicha keng oʻrganilmagan edi. Barcha yutuqlar, asosan, tajribalar tufayli qoʻlga kiritilgandi. Olimlar, kristall ichida qanday fizik hodisalar roʻy berayotganini tushuntirib berishga qiynalishgan. Baʼzida notoʻgʻri xulosalarga ham kelishgan.
Shu bilan birga, 1920-1930-yillarda chet davlatlarda radiotexnika sohasiga elektron lampalar kirib keldi. Bu soha yarimoʻtkazgichlar fizikasiga qaraganda kengroq oʻrganilgan boʻlgani uchun koʻp mutaxassis-radiotexniklar aynan shu sohada ishlagan.. Yarimoʻtkazgichli diodlarga esa moʻrt va „injiq“ qurilmalar sifatida baho berilgan. Oʻsha vaqtlarda yarimoʻtkazgichlarning katta imkoniyatlarini hech kim payqamagan.
1.Laboratoriya mashg’ulotini bajarish uchun topshiriqlar.
2 ta listga BTda yasalgan UE kuchaytirgich sxemasini asosiy rams,chizmalarini chizish va baholangandan keyin xemis tizimiga joylash.
Laboratoriya prinsipal va ishchi sxemasini o‘qish va tushuntirib berish.
Laboratoriya ishini sxema yordamida stentda yig‘ish va ishlatib ko‘rsatisb berish.
Grafik ko’rinishda ifodalangan tok va kuchlanish orasidagi bog’liqlik tranzistor statik xarakteristikalari deb ataladi. Umumiy emitter ulanish sxemasida mustaqil o’zgaruvchilar sifatida baza toki va kollektor – emitter kuchlanishi tanlanadi, shunda:
(3.1)
Ikki o’zgaruvchili funktsiya grafik ko’rinishda xarakteristikalar oilasi kabi tasvirlanadi.
BT kirish xarakteristikalari oilasi 3.1 a- rasmda, chiqish xarakteristikalar oilasi 3.1 b-rasmda keltirilgan.
a) b)
3.1-rasm
Xarakteristikalarning har biri quyidagi bog’liqlik bilan ifodalanadi:
, bo’lganda (3.2)
, bo’lganda (3.3)
Kichik amplitudali siganllar bilan ishlanganda va qiymatlar bilan beriladigan ixtiyoriy ishchi nuqta atrofidagi nochiziqli bog’liqliklar (3.1-3.3), chiziqli tenglamalar bilan almashtirilishi mumkin, masalan tranzistorning h- parametrlar tizimidan foydalanib.
(3.4)
yozish mumkin, bu erda , bo’lganda
, bo’lganda
, bo’lganda (3.5)
, bo’lganda
h- parametrlar (3.5) formulalari yordamida xaratkeristikalar oilasidan aniqlanishi mumkin (h11E va h12E – kirish xaratkeristikalar oilasidan, h21E va h22E – chiqish xarakteristikalar oilasidan).
Amaliy hisoblarda ko’pincha BT statik xarakteristikalarini bo’lakli- chiziqli aprroksimatsiyasidan ham keng foydalanishadi. (3.2- rasmga qarang)
3.2-rasm
Approksimatsiyalangan kirish xaratkeristiklari uchun
(3.6)
ga egamiz.
Chiqish xarakteristikalari uchun esa
(3.7)
3.6 va 3.7 formulalarda
UBO’S- emitter o’tishdagi bo’sag’aviy kuchlanish,
- tranzistor kirish qarshiligining o’rta qiymati ( ),
- to’yinish rejimidagi tranzistor chiqish qarshiligi (boshlang’ich sohada).
, va (3.8)
- aktiv rejimda chiqish qarshiligi ning o’rta qiymati.
va bo’lganda (3.9)
|
| |
